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公开(公告)号：CN102414832A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018562.9
申请日：2010-04-12
Applicant: 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022483 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 发现透明导电性层中的氧化锌层具有防止钠扩散的作用，可获得将该氧化锌层利用为电子装置的电极且作为防止钠从玻璃基板扩散的扩散防止层而利用的电子装置。
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公开(公告)号：CN101960613A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107659.4
申请日：2009-03-02
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/07 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/108 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的课题在于通过降低接触电阻来改善光电转换元件结构的转换效率。本发明的p i n结构的光电转换元件结构，通过选择p型半导体的电荷带的上限的能级或n型半导体层的电子亲和力、与该半导体接触的金属层的功函数，与使用Al、Ag等作为电极时相比，使接触电阻降低。选择的金属层可以设置在由Al、Ag等形成的电极和半导体之间，也可以与n或p型半导体替换。
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公开(公告)号：CN101903562A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN101903562B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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