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公开(公告)号：CN102867911A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110189267.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属存储器技术领域，提供了一种电阻型存储器及其制备方法，该电阻型存储器包括下电极、上电极以及置于上、下电极间的存储介质层，该存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层，基于第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于基于第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，金属氮氧化物层通过基于第一金属材料的金属氮化物层在接触基于第二金属材料的金属氧化物层的界面处被部分地氧化形成。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及开态电阻高、高低阻窗口大、以及数据保持能力好的优点，能明显提高电阻型存储器的存储性能，且其制备方法相对简单。
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公开(公告)号：CN102867541A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110188458.0
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413 , G11C29/42
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；读写电路，用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路；ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。本发明采用ECC检测处于standby模式下SRAM各个阵列的单元值，在保证hold不出错的情况下尽可能降低阵列的电源电压或者抬高阵列的地线电压，以尽可能降低漏电，实现极低功耗。
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公开(公告)号：CN102655410A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110049350.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经其中一个CMOS反相器的电流，使所述压控振荡器的输出频率反映流控MOS管的阈值电压。所述测试系统基于所述的VCO形成。通过本发明的测试方法来测试芯片中不同MOS管之间的阈值电压的随机波动值。本发明的VCO电路简单，易于数字化实现。并且基于VCO的测试系统在测试工艺波动时，可以得到灵敏度很高的阈值电压随机波动值，测试准确性好。
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公开(公告)号：CN101923890B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910052912.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401
Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后，存储节点的电位产生波动并不会直接传输至开关管的栅极。因此，本发明的增益单元eDRAM所控制的可编程逻辑器件的开关管的状态稳定，不受增益单元eDRAM的刷新操作影响。
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公开(公告)号：CN101359502B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810040931.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237132A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167521.8
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体提供一种具有冗余阵列的存储器。该存储器通过采用阻变存储器阵列替代现有技术的熔丝阵列，用来存储该存储器的基本存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息以提高存储器的可靠性。因此，该存储器具有面积小、用来存储所述存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息的存储器易于编程、并且易按比例缩小的特点。
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公开(公告)号：CN102237128A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010153437.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/403 , G11C11/4063
Abstract: 本发明提供一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM(伪静态随机存储器)，属于动态随机存储器(DRAM)技术领域。该刷新操作方法利用增益单元包括两组相互独立的字线和两组相互独立的位线的特点，将所述增益单元存储阵列的其中一行的刷新操作与该增益单元存储阵列的其他任一行的外部访问操作并行进行；该PSRAM也对应包括刷新控制电路，所述刷新控制电路可操作地用于控制增益单元存储阵列中的一行的刷新操作与所述增益单元存储阵列的其他行的外部访问操作并行进行。该刷新操作方法大大提高了增益单元存储阵列的操作速度，使用该刷新操作方法的PSRAM具有操作速度快、与外部SRAM接口兼容的特点。
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公开(公告)号：CN101923890A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910052912.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401
Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后，存储节点的电位产生波动并不会直接传输至开关管的栅极。因此，本发明的增益单元eDRAM所控制的可编程逻辑器件的开关管的状态稳定，不受增益单元eDRAM的刷新操作影响。
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公开(公告)号：CN101118922B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710045407.6
申请日：2007-08-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞，位于孔洞底部的铜氧化形成的CuxO存储介质，以自对准方式形成于所述的CuxO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层作为CuxO存储介质的保护层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，可避免制作过程中的工艺步骤导致存储器件电阻波动和不均匀，提高可靠性。
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