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公开(公告)号：CN103474570B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210185390.5
申请日：2012-06-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成肖特基二极管的半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN103474570A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185390.5
申请日：2012-06-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成肖特基二极管的半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN103390628A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210141482.3
申请日：2012-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。
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公开(公告)号：CN103021950A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110280422.5
申请日：2011-09-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 本发明属嵌入式存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法。该方法中，包括步骤：完成伪栅制备后构图形成选通管以及编程管的源极和漏极；通过自对准工艺形成金属硅化物接触，并去除伪栅和牺牲层；构图淀积形成编程管的栅极部分；构图淀积形成选通管的栅极部分；形成层间介质以及钨栓塞；以及形成铜互连后端结构中的铜引线和铜通孔。本发明方法易于与CMOS铜互连前端工艺兼容，相对简单、成本低廉，所制备的嵌入式存储器尤其适用于一次性编程器件或多次编程器件。
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公开(公告)号：CN103390628B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210141482.3
申请日：2012-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916128A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110221553.6
申请日：2011-08-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于电阻型存储器技术领域，涉及一种与标准逻辑工艺兼容的氧化钨基电阻型存储器的制备方法，其包括步骤：构图刻蚀所述上电极材料层以在存储阵列部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质层之上形成上电极；其中，设置所述上电极材料层的刻蚀工艺条件以使逻辑部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质在所述刻蚀步骤的过刻蚀过程中去除。该方法无需增加额外掩膜版即可形成氧化钨基存储介质层，可省去一次光刻步骤，简化工艺流程，节省制造成本。
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公开(公告)号：CN103682090A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210345623.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。通过该制造方法制备形成的电阻型存储器具有Forming电压小、数据保持特性好、Forming操作成功率高的特点。
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公开(公告)号：CN103681727A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210347469.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及集成于集成电路的后端结构的双层结构电阻型存储器及其制备方法。该双层结构电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义形成存储功能层，所述存储功能层包含双层阻变材料层，并且在所述水平沟槽中依次形成用于形成双向二极管的金属内电极、半导体层、金属水平电极。该电阻型存储器实现了三维的堆叠排列、密度高、可靠性高、制备效率高、成本低、功耗低，并且可以适用于双极性电阻型存储器。
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公开(公告)号：CN102916128B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110221553.6
申请日：2011-08-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于电阻型存储器技术领域，涉及一种与标准逻辑工艺兼容的氧化钨基电阻型存储器的制备方法，其包括步骤：构图刻蚀所述上电极材料层以在存储阵列部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质层之上形成上电极；其中，设置所述上电极材料层的刻蚀工艺条件以使逻辑部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质在所述刻蚀步骤的过刻蚀过程中去除。该方法无需增加额外掩膜版即可形成氧化钨基存储介质层，可省去一次光刻步骤，简化工艺流程，节省制造成本。
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公开(公告)号：CN102867911A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110189267.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属存储器技术领域，提供了一种电阻型存储器及其制备方法，该电阻型存储器包括下电极、上电极以及置于上、下电极间的存储介质层，该存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层，基于第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于基于第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，金属氮氧化物层通过基于第一金属材料的金属氮化物层在接触基于第二金属材料的金属氧化物层的界面处被部分地氧化形成。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及开态电阻高、高低阻窗口大、以及数据保持能力好的优点，能明显提高电阻型存储器的存储性能，且其制备方法相对简单。
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