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公开(公告)号：CN102655410B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110049350.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经其中一个CMOS反相器的电流，使所述压控振荡器的输出频率反映流控MOS管的阈值电压。所述测试系统基于所述的VCO形成。通过本发明的测试方法来测试芯片中不同MOS管之间的阈值电压的随机波动值。本发明的VCO电路简单，易于数字化实现。并且基于VCO的测试系统在测试工艺波动时，可以得到灵敏度很高的阈值电压随机波动值，测试准确性好。
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公开(公告)号：CN102655410A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110049350.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经其中一个CMOS反相器的电流，使所述压控振荡器的输出频率反映流控MOS管的阈值电压。所述测试系统基于所述的VCO形成。通过本发明的测试方法来测试芯片中不同MOS管之间的阈值电压的随机波动值。本发明的VCO电路简单，易于数字化实现。并且基于VCO的测试系统在测试工艺波动时，可以得到灵敏度很高的阈值电压随机波动值，测试准确性好。
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公开(公告)号：CN103513173B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210224114.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于压控振荡器（VCO）的偏压温度不稳定性（BTI）测试装置及其测试方法，属于半导体器件可靠性测试技术领域。本发明的BTI测试装置包括被测器件（DUT）、环形振荡器（RO）、模拟电压切换模块和第一个振荡周期测试模块；模拟电压切换模块用于控制DUT在电压应力偏置和BTI效应测试偏置之间进行切换；RO包括至少一个流控反相器，DUT用于控制经该流控反相器的电流，以至于RO与DUT形成其输出信号的频率受偏置于DUT的栅端的电压控制的VCO；第一个振荡周期测试模块能同步地测试输出VCO的输出信号的第一个周期的相关信号。该装置具有BTI测试灵敏度高、测量准确、测试速度快的优点，并且电路简单。
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公开(公告)号：CN103513173A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210224114.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于压控振荡器（VCO）的偏压温度不稳定性（BTI）测试装置及其测试方法，属于半导体器件可靠性测试技术领域。本发明的BTI测试装置包括被测器件（DUT）、环形振荡器（RO）、模拟电压切换模块和第一个振荡周期测试模块；模拟电压切换模块用于控制DUT在电压应力偏置和BTI效应测试偏置之间进行切换；RO包括至少一个流控反相器，DUT用于控制经该流控反相器的电流，以至于RO与DUT形成其输出信号的频率受偏置于DUT的栅端的电压控制的VCO；第一个振荡周期测试模块能同步地测试输出VCO的输出信号的第一个周期的相关信号。该装置具有BTI测试灵敏度高、测量准确、测试速度快的优点，并且电路简单。
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