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公开(公告)号：CN102163968B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010221423.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03L5/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种集成电路及其操作方法。集成电路包括耦接回授回路的电感电容(LC)槽电路。电感电容槽电路用于输出具有一峰值电压的一输出信号，峰值电压实质上地等于一振幅加上一直流(DC)电压值。回授回路用于决定该输出信号的该峰值电压是否落在一第一电压状态与一第二电压状态之间的一范围内用以调整该输出信号的该振幅。通过调整LCVCO交错耦合装置的增益，电感电容槽损失可被适切地补偿。
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公开(公告)号：CN102237869A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110021189.9
申请日：2011-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/01855 , H03K3/012 , H03K3/356008 , H03K3/35625 , H03K19/0016 , H03K19/0963
Abstract: 本发明提供一种集成电路，用以消除负偏温度不稳定性，包括一逻辑门驱动器的一操作型PMOS晶体管；一控制电路，用以在一待命模式下，停止导通操作型PMOS晶体管；一第一PMOS晶体管；以及一输出节点；其中操作型PMOS晶体管耦接至输出节点，并且在待命模式下，第一PMOS晶体管用以使输出节点的逻辑电平为逻辑1。本发明能够消除负偏温度不稳定性，减少对逻辑门驱动器的损害。
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公开(公告)号：CN102201665A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010594425.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种静电放电保护装置，其包括：第一半导体型态的第一阱，形成在第二半导体型态的基板之中以形成第一二极管。第二半导体型态的第二阱，形成在基板以形成具有第一阱的第二二极管。第一半导体型态的第一多个参杂区域，形成于第一阱的上表面。第二半导体型态的第二多个参杂区域，形成于第一阱的上表面以形成具有第一阱的第三二极管。多个浅沟渠隔离STI区域，设置于第一阱的上表面，每个STI区域设置于第一半导体型态以及第二半导体型态的参杂区域之间。当在第一或第二多参杂区域的一个接收到ESD电压突波时，则第三二极管提供电流旁路。本发明能够最佳化以降低在正常射频操作期间网路匹配的电容影响，并且具有改良的电路布线。
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公开(公告)号：CN102190274A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110021179.5
申请日：2011-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01B7/003 , A63F13/06 , A63F13/211 , A63F13/24 , A63F2300/1043 , A63F2300/105 , G01P3/52 , G01P15/125 , G01P15/16
Abstract: 本发明提供一种微机电系统装置，该装置适用于感测机械位移，包括至少一第一电容器，具有第一和第二电容器极板，第一和第二电容器极板设置于彼此相距为一间距的位置，第一和第二电容器极板具有不同功函数并且互相电性连接，其中第一和第二电极板之一可相对于另一者移动，使得第一和第二电容器极板间的上述间距随着一外力改变，流经第一电容器的电流代表在特定的时间内上述间距改变的速度。本发明提供的运动感测器较快速、便宜和/或精准无误。
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公开(公告)号：CN102163968A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010221423.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03L7/00
CPC classification number: H03L5/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种集成电路及其操作方法。集成电路包括耦接回授回路的电感电容(LC)槽电路。电感电容槽电路用于输出具有一峰值电压的一输出信号，峰值电压实质上地等于一振幅加上一直流(DC)电压值。回授回路用于决定该输出信号的该峰值电压是否落在一第一电压状态与一第二电压状态之间的一范围内用以调整该输出信号的该振幅。通过调整LCVCO交错耦合装置的增益，电感电容槽损失可被适切地补偿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404178B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810161095.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C2213/75 , G11C2213/78
Abstract: 一种存储器读取方法，适用于读取两个以上的磁性隧道结装置，磁性隧道结装置与选择晶体管串联而形成存储器串列，上述存储器读取方法包括导通选择晶体管，测量存储器串列的第一阻抗值，存储第一阻抗值，在磁性隧道结装置之一的既定磁性隧道结装置执行交替切换步骤，在执行交替切换步骤后，测量存储器串列的第二阻抗值，将第一阻抗值以及第二阻抗值与多个既定阻抗值做比较而得到比较结果，以及在测量第二阻抗值后对既定磁性隧道结装置执行交替切换回复步骤，而比较结果用以判断存储在存储器单元的数据。本发明可以实现独立存取各存储单元且减少了元件的数量，从而简化存储器的生产工艺并且降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1783725B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510080429.7
申请日：2005-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 薛福隆
IPC: H03M1/34
CPC classification number: H03M1/146
Abstract: 一种模拟数字转换器与转换模拟信号至数字信号的方法，所述转换模拟信号至数字信号的方法包括：划分一参考电压范围成多个参考电压位准；将该模拟信号和该等参考电压位准作比较以产生一第一组转换位；选取一参考电压次范围，其范围乃由一第一参考电压位准与一第二参考电压位准定义，其中该模拟信号的电压位准高于该第一参考电压位准且低于该第二参考电压位准。划分该参考电压次范围成多个参考电压次位准；将该模拟信号和该等参考电压次位准作比较以产生出一第二组转换位。根据该第一组转换位和该第二组转换位产生出一表示该模拟信号的数字信号。本发明能减少元件数量，改善输入负载，增加输入信号频宽，缩减需要的晶片尺寸，减少功率耗损。
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公开(公告)号：CN101635169A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910126307.5
申请日：2009-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/412
Abstract: 本发明提出了静态随机存取存储器(SRAM)单元，其包括耦合在正电源电压和电源地之间且具有至少第一存储节点的交叉耦合的反相锁存器；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号或所述第一位选择信号均仅在写操作时被激活。
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公开(公告)号：CN101221950A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710193496.9
申请日：2007-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L29/86
CPC classification number: H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种电阻器结构及其形成方法，该电阻器结构适用于一集成电路，包含：一第一组的接点，连接于一半导体层与一第一导体层之间；以及一第二组的插塞，连接于该第一导体层与一第二导体层之间；其中该第一组的接点与该第二组的插塞耦合在一起，作为一第一电阻器部分，其对该集成电路提供一既定电阻。
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公开(公告)号：CN112151676A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010955885.6
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。
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