公开(公告)号：CN101447233A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810210580.1

申请日：2008-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛福隆 ,  庄建祥 ,  方文宽 ,  陈柏宏

IPC: G11C29/04 ,  G11C29/12

CPC classification number: G11C29/08 ,  G11C2216/26

Abstract: 公开了一种测试逻辑电路的系统，用于在具有存储单元阵列的一次性可编程(OTP)式存储器中执行写入和读取操作，该系统包括测试单元列，其单元数与所述存储单元阵列的整列的单元数基本相同；测试单元行，其单元数与所述存储单元阵列的整行中单元数目基本相同；其中，在测试操作过程中首先对所述测试单元的列和行进行写入，接着进行读取，且所述测试单元的列和行在OTP存储器的非测试操作过程中永远不会被存取。

公开(公告)号：CN101635169B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910126307.5

申请日：2009-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛福隆 ,  庄建祥 ,  方文宽

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明提出了静态随机存取存储器(SRAM)单元，其包括耦合在正电源电压和电源地之间且具有至少第一存储节点的交叉耦合的反相锁存器；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号或所述第一位选择信号均仅在写操作时被激活。

公开(公告)号：CN101650973A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910143851.0

申请日：2009-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛福隆 ,  庄建祥 ,  方文宽

IPC: G11C17/00

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C5/00

Abstract: 本发明公开了一种用于编程单次可编程(OTP)存储器的压降转换器，所述压降转换器包括连接到编程电源的焊垫，以及连接在所述焊垫和所述OTP存储器之间的至少一个正偏二极管，其中由所述OTP存储器接收的编程电压从所述编程电源降低了穿过所述正偏二极管的电压降。

公开(公告)号：CN101635169A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200910126307.5

申请日：2009-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛福隆 ,  庄建祥 ,  方文宽

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明提出了静态随机存取存储器(SRAM)单元，其包括耦合在正电源电压和电源地之间且具有至少第一存储节点的交叉耦合的反相锁存器；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号或所述第一位选择信号均仅在写操作时被激活。