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公开(公告)号：CN104037248A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410320202.4
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：(1)根据Cu1～xIn1～yGamSe2～zSn式中铜、铟、镓的化学计量比，将铜、铟、镓的卤族化合物或硝酸盐溶解于低碳醇中，配置成含铜铟镓的低碳醇溶液；(2)将乙基纤维素缓慢加入步骤(1)制备的铜铟镓的低碳醇溶液中搅拌混合均匀，再加入松油醇的低碳醇溶液，搅拌混合直至溶液变为粘稠液；(3)在非真空条件下将粘稠液刮涂到衬底上于130～160℃烘干10～30分钟，再加热氧化得到铜铟镓氧化物；(4)铜铟镓氧化物在氢氩混合气氛中加热氢化还原形成铜铟镓合金；(5)铜铟镓合金用硫粉硫化后再用硒粉硒化，即得所述铜铟镓硫硒薄膜材料。本发明的能耗少、工艺简单，产品成本低廉。
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公开(公告)号：CN101724900B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910112896.1
申请日：2009-11-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅提纯装置及提纯方法，涉及一种多晶硅。提供一种成本较低、效率较高的多晶硅提纯装置与提纯方法。装置设一、二次熔炼坩埚、一次造渣后盛渣坩埚和二次保温抬包。将硅与渣混匀放入一次熔炼坩埚中，将渣放入二次熔炼坩埚中加热至渣融化；一次熔炼坩埚中的物料融化后搅拌棒预热；反应后升起搅拌棒，加BaCO3；分层后将一次熔炼坩埚向右翻转浇铸，待绝大部分硅液流入二次熔炼坩埚直至开始有渣液流入后停止浇铸，向左翻转浇铸，将二次熔炼坩埚内的渣液倒入一次造渣后盛渣坩埚中凝固；搅拌棒预热，反应后升起搅拌棒，加BaCO3，分层后将二次熔炼坩埚向右翻转浇铸，将熔体全部倒入保温抬包中静置分层凝固；取出硅后粉磨酸洗，定向凝固。
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公开(公告)号：CN101673793B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910112613.3
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜；用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面；将样品表面剩余的Zn腐蚀掉，清洗后烘干；对处理好的样品进行ICP刻蚀，露出n型GaN层，光刻并溅射Ti/Al金属层，剥离后形成n型电极，退火；对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层，剥离后形成p型电极，退火。
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公开(公告)号：CN101343063B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810071577.6
申请日：2008-08-13
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法，涉及一种多晶硅。提供一种成本低、纯度高、工艺简单易行、操作方便和适合于规模化生产的太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法。设有真空系统、熔炼系统和定向凝固系统；真空系统设有机械旋片泵、萝茨泵和油扩散泵，熔炼系统设有真空室、二次加料器、观察窗、可升降的旋转通气装置、感应线圈和石墨坩埚；定向凝固系统设于真空室的下部，定向凝固系统设有电阻丝加热保温炉、石墨模具、保温炉支架、水冷铜盘、可控速的升降杆。通过感应加热熔化金属硅，在低真空高温条件下通入氧化性气体除硼，然后进行高温高真空除磷，最后将熔融硅液浇注入定向模具中进行严格的定向凝固除金属杂质。
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公开(公告)号：CN101673782B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910112616.7
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5～6N)的硅材料，大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层；将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层；将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池，再将制备好的电池片退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101718897B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910112910.8
申请日：2009-12-03
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法，提供一种与商业CMOS工艺兼容，可替代现有850nm光收发器中混合集成，可满足传输要求的用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法。光接收组件设850nm光电单片集成接收芯片、管座、管帽、管脚和适配器。芯片设前置放大电路和光电探测器，前者设2个互阻式放大电路、3级差分放大器、输出缓冲电路和直流负反馈电路。光电探测器的纵向自下而上是低掺杂的P型硅衬底；P阱；N型重掺杂硅层、场氧层和铝层；三层SiO2绝缘介质层；Si3N4表面钝化层。采用CMOS工艺将芯片贴片于管座上；将芯片的焊盘与管脚用金丝线键合连接；盖上管帽，与适配器按同轴封装。
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公开(公告)号：CN101724900A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910112896.1
申请日：2009-11-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/06 , C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅提纯装置及提纯方法，涉及一种多晶硅。提供一种成本较低、效率较高的多晶硅提纯装置与提纯方法。装置设一、二次熔炼坩埚、一次造渣后盛渣坩埚和二次保温抬包。将硅与渣混匀放入一次熔炼坩埚中，将渣放入二次熔炼坩埚中加热至渣融化；一次熔炼坩埚中的物料融化后搅拌棒预热；反应后升起搅拌棒，加BaCO3；分层后将一次熔炼坩埚向右翻转浇铸，待绝大部分硅液流入二次熔炼坩埚直至开始有渣液流入后停止浇铸，向左翻转浇铸，将二次熔炼坩埚内的渣液倒入一次造渣后盛渣坩埚中凝固；搅拌棒预热，反应后升起搅拌棒，加BaCO3，分层后将二次熔炼坩埚向右翻转浇铸，将熔体全部倒入保温抬包中静置分层凝固；取出硅后粉磨酸洗，定向凝固。
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公开(公告)号：CN101718897A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910112910.8
申请日：2009-12-03
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法，提供一种与商业CMOS工艺兼容，可替代现有850nm光收发器中混合集成，可满足传输要求的用于百兆级850nm光通讯的光接收组件和制备方法。光接收组件设850nm光电单片集成接收芯片、管座、管帽、管脚和适配器。芯片设前置放大电路和光电探测器，前者设2个互阻式放大电路、3级差分放大器、输出缓冲电路和直流负反馈电路。光电探测器的纵向自下而上是低掺杂的P型硅衬底；P阱；N型重掺杂硅层、场氧层和铝层；三层SiO2绝缘介质层；Si3N4表面钝化层。采用CMOS工艺将芯片贴片于管座上；将芯片的焊盘与管脚用金丝线键合连接；盖上管帽，与适配器按同轴封装。
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公开(公告)号：CN101673782A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910112616.7
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5～6N)的硅材料，大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层；将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层；将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池，再将制备好的电池片退火。
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公开(公告)号：CN101671024A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910112547.X
申请日：2009-09-15
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置。提供一种低成本，高效，适合产业化推广的采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺以及多晶硅除硼提纯装置。提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、转移弧等离子熔炼系统和浇注用石墨模具。将金属硅放入坩埚中，抽真空，加热熔化金属硅；熔化后提高电源功率，使硅液温度保持在1600～1800℃，启动等离子熔炼系统，将等离子枪降至引弧装置上方，通入工作气体引弧；引弧完成后移开引弧装置，调节给定电流和等离子弧长度，对硅液表面进行等离子熔炼后，给定电流调零，断开等离子弧，升起等离子枪，关闭气源，将硅液倒入模具，静置冷却后取出硅锭。
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