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公开(公告)号：CN101673793B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910112613.3
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜；用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面；将样品表面剩余的Zn腐蚀掉，清洗后烘干；对处理好的样品进行ICP刻蚀，露出n型GaN层，光刻并溅射Ti/Al金属层，剥离后形成n型电极，退火；对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层，剥离后形成p型电极，退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1240610C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200310121092.0
申请日：2003-12-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 涉及一种激光诱导下GaN P-型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退火。对中、强型p-型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p-型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10-4Ωcm2；当采用Zn/Au双层金属接触时，比接触电阻可达4.75×10-4Ωcm2。能制备比接触电阻低p-GaN欧姆接触，且能在原有p-GaN的表面形成P+P高低发射结，有助于提高GaN基结型器件的注入效率。可用于GaN基材料的各种器件的P-型欧姆接触制备，可降低结型器件的正向工作电压，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN1554576A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310121093.5
申请日：2003-12-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 涉及激光诱导下的GaN P－型有效掺杂制备方法。其步骤为在GaN样品表面淀积金属锌薄层，将Zn/GaN样品预热，用固体激光器辐照Zn/GaN样品的表面，将样品表面剩余的锌腐蚀掉，经去离子水清洗烘干。其设备便宜、方法简单、工艺兼容。在大气环境下进行，不需昂贵的高温炉和真空设备，仅需要淀积Zn的设备和激光辐照。淀积Zn和激光辐照工艺简便，不必进行复杂的MOCVD生长、离子注入、两种元素共同掺杂等技术，与常规的器件工艺兼容。P－型有效掺杂效果明显。
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公开(公告)号：CN1554575A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310121092.0
申请日：2003-12-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 涉及一种激光诱导下GaN P－型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退火。对中、强型p－型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p－型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10－4Ωcm2；当采用Zn/Au双层金属接触时，比接触电阻可达4.75×10－4Ωcm2。能制备比接触电阻低p－GaN欧姆接触，且能在原有p－GaN的表面形成P+P高低发射结，有助于提高GaN基结型器件的注入效率。可用于GaN基材料的各种器件的P－型欧姆接触制备，可降低结型器件的正向工作电压，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN101673793A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910112613.3
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜；用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面；将样品表面剩余的Zn腐蚀掉，清洗后烘干；对处理好的样品进行ICP刻蚀，露出n型GaN层，光刻并溅射Ti/Al金属层，剥离后形成n型电极，退火；对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层，剥离后形成p型电极，退火。
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公开(公告)号：CN1241239C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200310121093.5
申请日：2003-12-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/22
Abstract: 涉及激光诱导下的GaN P-型有效掺杂制备方法。其步骤为在GaN样品表面淀积金属锌薄层，将Zn/GaN样品预热，用固体激光器辐照Zn/GaN样品的表面，将样品表面剩余的锌腐蚀掉，经去离子水清洗烘干。其设备便宜、方法简单、工艺兼容。在大气环境下进行，不需昂贵的高温炉和真空设备，仅需要淀积Zn的设备和激光辐照。淀积Zn和激光辐照工艺简便，不必进行复杂的MOCVD生长、离子注入、两种元素共同掺杂等技术，与常规的器件工艺兼容。P-型有效掺杂效果明显。
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