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公开(公告)号：CN101844768A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010177776.2
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；将硅粉用盐酸浸泡；将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅。
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公开(公告)号：CN101054178A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710105965.7
申请日：2007-06-04
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 多晶硅的除硼方法，涉及一种多晶硅，尤其是涉及一种方法简易、成本低、污染少的去除多晶硅中的硼杂质的方法。提供一种方法简易、成本低、工艺安全和较少污染的多晶硅的除硼方法。步骤为：将多晶硅块粉碎，球磨，筛选得硅粉；将硅粉用有机溶剂去油处理，并去除硅粉中的铁粉；将去油除铁的硅粉放到容器内，再将容器放到高温炉内，进行湿氧氧化，再冷却；将冷却后取出的硅粉放入氢氟酸溶液中腐蚀，去除样品表面的氧化层；用水反复清洗硅粉至流出的水显中性为止，将硅粉去水干燥，得目标产品。经过对硅粉样品的光谱分析表明，可一次将硅粉原料中的硼含量降低1～3倍，与酸洗提纯工艺完全兼容，也可有效地除铝。
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公开(公告)号：CN101673782B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910112616.7
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5～6N)的硅材料，大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层；将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层；将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池，再将制备好的电池片退火。
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公开(公告)号：CN101673782A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910112616.7
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5～6N)的硅材料，大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层；将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层；将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池，再将制备好的电池片退火。
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公开(公告)号：CN102275932B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110202745.2
申请日：2011-07-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种用激光提纯多晶硅片的方法，涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后，放置加热平台上进行预热；用激光对预热后的多晶硅片进行辐照；使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理；对多晶硅片进行退火处理；刻蚀多晶硅片表层部分，得到目标产品。质谱分析表明，可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2～3个数量级；提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片，减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872801B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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公开(公告)号：CN101872801A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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公开(公告)号：CN101844768B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010177776.2
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；将硅粉用盐酸浸泡；将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅。
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公开(公告)号：CN102275932A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110202745.2
申请日：2011-07-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种用激光提纯多晶硅片的方法，涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后，放置加热平台上进行预热；用激光对预热后的多晶硅片进行辐照；使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理；对多晶硅片进行退火处理；刻蚀多晶硅片表层部分，得到目标产品。质谱分析表明，可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2～3个数量级；提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片，减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。
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公开(公告)号：CN101858870A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010177770.5
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪，涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、滤波片、相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座，太阳能电池板设在导热平台上，导热平台和调节支架安装在底座上，控温加热器设于导热平台下，控温加热器与太阳能电池板连接，控温加热器对设在导热平台上的太阳能电池板进行温度控制，滤波片安装在相机的镜头前，相机设在调节支架上，相机处在太阳能电池板上方，相机经图像采集卡与电脑连接。
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