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公开(公告)号：CN101961883B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010289012.2
申请日：2010-09-21
Applicant: 厦门大学
IPC: B28B3/00
Abstract: 一种用高岭土脱泥尾砂制备人造石英石的方法，涉及一种建筑装饰材料。将不饱和树脂与色料搅拌，加入高岭土脱泥尾砂、天然河沙和二氧化硅粉末，搅拌后，加入促进剂、偶联剂和固化剂，搅拌后注入模具中，所述不饱和树脂、色料、高岭土脱泥尾砂、天然河沙、二氧化硅粉末、促进剂、偶联剂和固化剂。将模具送入真空箱抽真空，压制成型，固化加热；冷却脱模除去模具，打磨抛光，最后切割成人造石英石规格板。初期投入少，操作方便，上马快，工艺简单合理，产品不仅具有大理石的天然花纹、条纹和丰富的色彩，而且具有石英石的硬度，适合于产业化。
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公开(公告)号：CN101837980A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010177791.7
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅。将渣料预熔；将预熔后的渣料与工业硅混合后放入石墨坩埚，抽真空，当真空度小于500Pa时启动罗茨泵，使真空在5Pa以下，接着关闭真空阀，通过石墨通气棒向体系通入Ar气，使真空度维持在5000～10000Pa；启动中频感应电源加热，待熔化后将石墨通气棒降至硅液表面上方1～3cm预热后，通入Ar气，并将通气棒插入硅液，通气搅拌；测量熔液温度，通过调节中频频率使反应温度维持在1600～1800℃；造渣后将通气棒升离坩埚，将熔炼完成的熔液浇注入模具中，凝固，得硅锭，完成采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的工作。可操作性强，适合于产业化。
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公开(公告)号：CN101698481A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910112690.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中，接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体，测定坩埚内竖直方向上各点温度，调节感应加热功率控制器，使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度，从坩埚中部到底部，温度从高到低；启动定向升降装置，带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固；合金熔体凝固后切断电源，冷却后取出合金硅锭，切除上部，剩余部分即为太阳能级多晶硅。
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公开(公告)号：CN101555015A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN102491355B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110382907.5
申请日：2011-11-25
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/40
Abstract: 一种超细高白度煅烧高岭土的制备方法，涉及一种无机非金属材料或矿物加工。提供一种工艺简单易行、环境友好、操作方便、适合于产业化的超细高白度煅烧高岭土的制备方法。将高岭土配制成矿浆A，再加入泥饼配制成矿浆B；在矿浆B加入分散剂，用剥片机进行磨剥，得矿浆C；将矿浆C进行压滤调浆，配制成浆料；将浆料进行喷雾干燥，加入增白剂进行打散后，送入回转窑煅烧；将煅烧后的物料进行打散解聚，分级，包装；利用尾气收集装置进行尾气收集，用喷淋水收集尾气，然后对吸收液进行蒸馏，对吸收液中的氯化铵进行蒸馏回收处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101671024B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910112547.X
申请日：2009-09-15
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置。提供一种低成本，高效，适合产业化推广的采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺以及多晶硅除硼提纯装置。提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、转移弧等离子熔炼系统和浇注用石墨模具。将金属硅放入坩埚中，抽真空，加热熔化金属硅；熔化后提高电源功率，使硅液温度保持在1600～1800℃，启动等离子熔炼系统，将等离子枪降至引弧装置上方，通入工作气体引弧；引弧完成后移开引弧装置，调节给定电流和等离子弧长度，对硅液表面进行等离子熔炼后，给定电流调零，断开等离子弧，升起等离子枪，关闭气源，将硅液倒入模具，静置冷却后取出硅锭。
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公开(公告)号：CN101935527A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010289014.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种钇铝石榴石纳米绿光荧光粉的制备方法，涉及一种稀土发光材料。将硝酸铝、硝酸钇和硝酸铽原料溶入水中，再置于水浴中加热，加入螯合剂，得溶液A，加热水浴，加入N，N’-亚甲基双丙烯酰胺和丙烯酰胺，得溶液B，再加入四乙基乙二胺和过氧化氢的水溶液引发聚合至形成高分子网络凝胶，烘干得干凝胶；将干凝胶加热，去除残留的有机物，得预烧粉末；将预烧粉末热处理晶化，得产物。由于在含有金属离子Y3+、Tb3+和Al3+的溶液中，通过高分子网络凝胶法合成前躯体，最后热晶化处理得到了荧光粉。在这个过程中，大大减小了粉末的团聚，获得了性能良好、尺寸在纳米级别的细小均匀的颗粒，并且大大降低了煅烧温度。
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公开(公告)号：CN102392297A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110343249.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B28/06 , C30B29/06 , C25C1/16 , C25C7/00 , C01B33/037
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 一种锌电解回收装置及处理方法，涉及一种太阳能多晶硅。设有电解槽、整流器、低位集液槽、加温槽、耐酸泵和高位槽。电解槽内的阳极和阴极接整流器输出端，电解槽分别与低位集液槽和加温槽连接，低位集液槽经耐酸泵与高位槽连接，高位槽与加温槽连接。将电解回收后的硅置于坩埚内，掺杂锗，装炉；将炉室抽真空，接通加热电源，使坩埚内的硅料逐渐加热到全部融化；通过定向凝固，使硅从底部向上逐渐凝固，形成定向凝固多晶硅。
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公开(公告)号：CN101837980B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010177791.7
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅。将渣料预熔；将预熔后的渣料与工业硅混合后放入石墨坩埚，抽真空，当真空度小于500Pa时启动罗茨泵，使真空在5Pa以下，接着关闭真空阀，通过石墨通气棒向体系通入Ar气，使真空度维持在5000～10000Pa；启动中频感应电源加热，待熔化后将石墨通气棒降至硅液表面上方1～3cm预热后，通入Ar气，并将通气棒插入硅液，通气搅拌；测量熔液温度，通过调节中频频率使反应温度维持在1600～1800℃；造渣后将通气棒升离坩埚，将熔炼完成的熔液浇注入模具中，凝固，得硅锭，完成采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的工作。可操作性强，适合于产业化。
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公开(公告)号：CN101555015B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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