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公开(公告)号：CN102659110B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201210115457.8
申请日：2012-04-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅的方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。将工业硅粉放入盐酸中浸泡，然后用去离子水冲洗；将硅粉和铁粉放入石墨坩埚，再将石墨坩埚放入定向凝固炉中，关闭炉盖，抽真空至10Pa以下，通入氩气；打开感应加热电源，使石墨坩埚内温度达到1570～1650℃后保温；启动定向凝固升降装置进行定向凝固，除去硅中的杂质，得铸锭；将铸锭放入真空退火炉中退火处理，之后炉冷至室温，得合金铸锭；取出合金铸锭，切除上部的20％～40％，剩余部分即为采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅。设备成本低、工艺简单易行，且提纯效果好，在太阳能级多晶硅生产领域市场前景十分广阔。
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公开(公告)号：CN102358620B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110278875.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅中除硼的方法，涉及一种金属硅除硼方法。提供一种造渣与酸洗工艺相结合，使其满足太阳能级多晶硅要求的金属硅中除硼的方法。将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料，再装入熔炼炉，在氩气氛围下进行造渣处理；将造渣处理后的硅料粉碎、研磨、过筛，得到硅粉；将所得硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡，冲洗、抽滤，得到冲洗干净的硅粉；将所得到的硅粉进行喷雾干燥，得到低硼的冶金硅粉。工艺简单、质量稳定、成本低，便于产业化推广。
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公开(公告)号：CN102139878B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110040914.7
申请日：2011-02-18
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。属于冶金领域，提供一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。包括以下步骤：将工业硅与造渣剂混合，放入石墨坩埚中，置于熔炼炉中预热至1400～1600℃；依次用机械泵、罗茨泵对熔炼炉抽真空，加热至1500～1700℃，控制中频电源频率为80～120kW；进行通气搅拌并造渣，造渣充分后的硅液浇入模具中，凝固后的硅料切除杂质得除硼后的硅料。本发明中的造渣剂效果良好，分配比可达到5以上，对比单纯的Ca系造渣剂有显著提高。显著降低了工业硅中硼含量，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102101671B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110000994.3
申请日：2011-01-05
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用含镁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种工业硅。利用中频感应炉将造渣剂和硅料熔化，使硅料中的B和P形成氧化物进入渣相中从而达到提纯目的。确定了达到氧化除硼最大效率的成分配比，并同时给定了工业生产过程中的渣硅比、中频熔炼功率、反应温度、反应时间、搅拌速度等工艺参数的合适范围，形成一套低成本又可工业量产的太阳能级多晶硅生产工艺。具有渣剂多次使用、可连续化生产和操作简单等优点。可以将工业硅中的B含量从8ppmw降低到0.1～0.5ppmw，P含量从15ppmw降低到1～3ppmw。
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公开(公告)号：CN102154638B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201110069200.9
申请日：2011-03-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C22/63
Abstract: 一种黄铜零件发黑液及其制备方法与应用，涉及一种黄铜零件的表面处理工艺，提供一种发黑稳定、发黑时间短、发黑膜耐磨且黑色纯正、光亮性好、生产成本低的黄铜零件发黑液及其制备方法与应用。包括：配制发黑液，浸蚀液和活化液；将除油后的黄铜零件浸蚀，再进行活化，活化后的黄铜零件置于发黑液中发黑，取出后用蒸馏水清洗，干燥；清油中封闭，晾干，即得发黑后的黄铜零件。解决了传统铜氨氧化着黑液存在的发黑液不稳定，氨水易挥发致污染环境，发黑膜疏松，膜层不坚固耐磨、颜色不纯正等问题，研制出一种常温快速发黑的发黑液。该发黑剂具有发黑时间短、发黑膜耐磨且黑色纯正、生产成本低等优异性，具有广阔的推广和应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102616787A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210078794.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种工业硅的提纯方法。1)将渣料2预熔，渣料2为CaO-CaSi2；2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热使物料熔化，渣料1为SiO2-Na2CO3-CaF2；3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kW，待温度下降；4)重复步骤3)；5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN102583386A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210024702.4
申请日：2012-02-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中；启动中频感应电源加热，按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中；待物料熔化后，维持功率不变，反应温度控制在1600～1800℃，使硅液和造渣剂混合反应；造渣充分后，降低中频频率，将渣系倒入应接水箱中，水冷后硅与渣基本分离，取样经等离子电感耦合质谱仪分析测量硅中B，P杂质含量。采用掺杂氯化物作为造渣剂的组分，使得渣硅更容易分离，同时对硅中杂质B、P有非常明显的去除效果，造渣完成后结合定向凝固和酸洗等工艺，可得到太阳能级多晶硅。整个工艺流程简单快捷，安全性能好，非常适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102424568A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110259241.4
申请日：2011-09-02
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/10 , C04B41/88 , C04B35/622
Abstract: 一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法，涉及一种陶瓷发热元件的制备方法。提供在可解决水系流延成型过程中溶剂(水)对粉料的湿润性较差、浆料除泡困难、挥发慢和干燥时间长，以及烧结后陶瓷与金属层结合力差等问题，能显著提高烧结合格率和生产效率的一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法。配制陶瓷预混料和钨浆料；球磨；流延成型；丝网印刷；烧结；镀镍。
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公开(公告)号：CN102392297A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110343249.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B28/06 , C30B29/06 , C25C1/16 , C25C7/00 , C01B33/037
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 一种锌电解回收装置及处理方法，涉及一种太阳能多晶硅。设有电解槽、整流器、低位集液槽、加温槽、耐酸泵和高位槽。电解槽内的阳极和阴极接整流器输出端，电解槽分别与低位集液槽和加温槽连接，低位集液槽经耐酸泵与高位槽连接，高位槽与加温槽连接。将电解回收后的硅置于坩埚内，掺杂锗，装炉；将炉室抽真空，接通加热电源，使坩埚内的硅料逐渐加热到全部融化；通过定向凝固，使硅从底部向上逐渐凝固，形成定向凝固多晶硅。
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公开(公告)号：CN102358620A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110278875.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅中除硼的方法，涉及一种金属硅除硼方法。提供一种造渣与酸洗工艺相结合，使其满足太阳能级多晶硅要求的金属硅中除硼的方法。将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料，再装入熔炼炉，在氩气氛围下进行造渣处理；将造渣处理后的硅料粉碎、研磨、过筛，得到硅粉；将所得硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡，冲洗、抽滤，得到冲洗干净的硅粉；将所得到的硅粉进行喷雾干燥，得到低硼的冶金硅粉。工艺简单、质量稳定、成本低，便于产业化推广。
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