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公开(公告)号：CN102153090B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110134292.4
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN102153090A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110134292.4
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101858870A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010177770.5
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪，涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、滤波片、相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座，太阳能电池板设在导热平台上，导热平台和调节支架安装在底座上，控温加热器设于导热平台下，控温加热器与太阳能电池板连接，控温加热器对设在导热平台上的太阳能电池板进行温度控制，滤波片安装在相机的镜头前，相机设在调节支架上，相机处在太阳能电池板上方，相机经图像采集卡与电脑连接。
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公开(公告)号：CN101673782B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910112616.7
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5～6N)的硅材料，大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层；将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层；将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池，再将制备好的电池片退火。
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公开(公告)号：CN101673782A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910112616.7
申请日：2009-10-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5～6N)的硅材料，大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层；将进行磷吸杂处理并去除吸杂层后的冶金法多晶硅片通入带有水蒸汽的氧气进行湿氧氧化处理并去除氧化层；将进行湿氧氧化处理并去除氧化层后的冶金法多晶硅片按常规工艺制备电池，再将制备好的电池片退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872801B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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公开(公告)号：CN102153089A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110131546.7
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得磷吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101872801A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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公开(公告)号：CN102153089B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110131546.7
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得磷吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN201673125U
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201020197159.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 一种太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪，涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、850nm滤波片、制冷式CCD相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座，太阳能电池板设在导热平台上，导热平台和调节支架安装在底座上，控温加热器设于导热平台下，控温加热器与太阳能电池板连接，控温加热器对设在导热平台上的太阳能电池板进行温度控制，滤波片安装在相机的镜头前，相机设在调节支架上，相机处在太阳能电池板上方，相机经图像采集卡与电脑连接。
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