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公开(公告)号：CN108428763A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN106637416A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611236161.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C30B30/04 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/02 , H01L22/14 , H01L43/12 , C30B23/02 , G01R33/07 , G01R33/09
Abstract: 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
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公开(公告)号：CN104532209A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510039073.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，涉及六方氮化硼。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成半圆柱状并折置入石英舟，推入加热温区，抽真空，加热，当温度达到设定值时通入H2，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，对一区前驱物加热，同时达到设定值一区温度和三区温度时，从石英管中通入H2和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，即在Cu箔上生长大面积六方氮化硼薄层，再旋涂pmma层，溶解掉Cu衬底,将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，再去除样品表面的pmma层，即完成。
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公开(公告)号：CN103137799B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310030135.8
申请日：2013-01-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超陡峭、对称界面，使量子阱更为接近方势阱，增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡－补偿对层的插入，在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35％以上，克服了不同界面陡峭度的不对称性，大大提高了异质界面的质量，并使超晶格发光效率得到有效提升。
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公开(公告)号：CN100595934C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810070524.2
申请日：2008-01-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0256
Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1-yGey层，吸收区为Si1-zGez(y＜z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1-xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1-yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101289173A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810071176.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。
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公开(公告)号：CN119243328A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411336816.1
申请日：2024-09-24
Abstract: 本申请公开了一种4H‑SiC的P型重掺杂化学势调控的生长方法，包括：提供SiC衬底；对SiC衬底进行预处理；通入源气体，以在经过预处理后的SiC衬底的表面上生长P型重掺杂的4H‑SiC外延层；源气体包括：C源气体、Si源气体和P型掺杂源气体；在4H‑SiC外延层的生长过程中，从富C氛围开始生长4H‑SiC外延层，SiC衬底周期性的处于富C氛围和富Si氛围；富C氛围用于降低P型掺杂原子的吸附形成能，提升4H‑SiC外延层在SiC衬底表面的吸附强度；富Si氛围用于增强已吸附的P型掺杂原子与SiC晶体分子之间的成键能力，提高4H‑SiC外延层的生长速度。本申请可以实现外延层的快速均匀生长。
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公开(公告)号：CN116062832B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310029928.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/30
Abstract: 一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置，涉及水处理技术领域。包括：用于进行光催化的催化板，用于流通污水并固定光催化板的降解槽，以及用于透光的降解窗。所述催化板是在硅基片上刻蚀的硅纳米线和包覆在硅纳米线表面的二氧化钛组成的半导体异质纳米材料；所述降解槽的内侧设有固定催化窗的卡扣纹路，底部设有导流孔，外部四周设有拼接口；所述降解窗覆盖在降解槽之上，采用石英玻璃组成，并在窗内设有导流孔。本发明催化板为自主设计的纳米线异质结构，使用刻蚀和原子层沉积技术构建的半导体异质结纳米线阵列能够快速消除有机污染物，并且采用可拼接设计，大幅地拓展了设备使用的场景，能够在不同的场合设计相对应的净水装置。
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公开(公告)号：CN108428763B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN117568766A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544856.0
申请日：2023-11-20
Abstract: 一种层数可调的贵金属纳米帽阵列的制备方法，涉及一种周期性纳米阵列结构材料的制备。首先在玻璃、硅等基片表面制备一层六方密排的聚苯乙烯(PS)纳米球的二维胶体阵列，随后将预定厚度的金、银、铂等贵金属薄膜沉积在PS纳米球阵列上，再根据所需层数重复排列PS纳米球阵列与沉积金属薄膜的步骤，从而得到单层及多层贵金属/PS纳米球复合阵列结构，最后通过退火工艺将PS纳米球去除，得到六方密排的单层及多层贵金属纳米帽阵列。该方法可通过调控PS球的直径与金属薄膜的厚度去改变纳米帽的大小和壳厚，从而调节整体阵列的等离子体特性，可广泛应用于传感、催化等领域。
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