公开(公告)号：CN100595934C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810070524.2

申请日：2008-01-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0256

Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1-yGey层，吸收区为Si1-zGez(y＜z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1-xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1-yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。

公开(公告)号：CN101388324B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810071934.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  廖凌宏 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。

公开(公告)号：CN101388324A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810071934.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  廖凌宏 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。

公开(公告)号：CN101221996A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810070524.2

申请日：2008-01-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张永 ,  李成 ,  陈松岩 ,  赖虹凯 ,  康俊勇

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0256

Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1－yGey层，吸收区为Si1－zGez(y＜z≤1)层或Si1－zGez/Si1－yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1－xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1－yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。

公开(公告)号：CN100447950C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710008498.6

申请日：2007-01-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  蔡坤煌 ,  张永 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322

Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。

公开(公告)号：CN101013668A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710008498.6

申请日：2007-01-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  蔡坤煌 ,  张永 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322

Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。