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公开(公告)号：CN108677142A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810358030.8
申请日：2018-04-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种疏水DLC涂层的制备方法，包括以下步骤：1S：利用气体离子源对基体表面进行高低能交替清洗；2S：以碳靶为阴极，利用凯赛奥弧磁过滤沉积方法在所述基体上进行疏水DLC涂层的沉积。该方法基于凯赛奥弧磁过滤沉积方法在沉积过程中可自形成碳纳米团簇，同时形成纳米凹凸结构，大大降低了制备成本，纳米颗粒本身的结合力也大大提高。通过该方法生产的疏水DLC涂层，具有疏水性能好、不湿润的特点，生产出的高频手术刀耐磨、不粘肉、血液分散不团聚，改善了血液团聚影响手术时医生视线的关键问题，从而改善医务人员的工作条件。
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公开(公告)号：CN108441832A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810264173.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种离心泵叶轮表面处理方法和设备，包括以下步骤：S1：利用前期处理设备对叶轮表面进行脱油脱脂清洗；S2：利用宽束双加速级金属离子源对叶轮基体进行表面结构异化处理；宽束金属离子源能够引出的束斑直径为800mm，能够满足800mm以内的叶轮的表面/亚表面结构异化处理，产生压应力提高膜基结合力；S3：同时利用金属离子源、磁过滤沉积系统、高功率脉冲磁控溅射系统对叶轮进行表面沉积镀膜。控制公转速度等参数能够方便实现锯齿梯度、渐变梯度、函数梯度膜层的沉积。采用该方法制备的涂层结构能方便实现交替结构变化；相比于传统涂层，该涂层具备高耐气蚀能力，更强的抗裂纹生长能力、以及接近于体材料的膜层致密性。
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公开(公告)号：CN106011771B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610633332.2
申请日：2016-08-04
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种在活塞环表面快速沉积DLC膜层的设备及方法，该设备包括：离子注入系统，用于纵向均匀注入离子流；真空室，其一端与离子注入系统密封连接，另一端密封连接有宽束磁过滤沉积系统的一端，宽束磁过滤沉积系统的另一端设置有FCVA沉积阴极；工装系统，用于实现活塞环工装圆筒的自转；智能控制装置，用于对离子注入和膜层沉积的过程进行控制，并用于显示测量结果，以及用于进行数据的初步处理。因此，通过实施本发明能够实现大批量、均匀地在活塞环表面镀上具有高硬度和低摩擦系数的DLC膜。
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公开(公告)号：CN105779965A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610037867.3
申请日：2016-01-21
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 一种利用粒子束调控技术制备掺杂多孔类金刚石(DLC)薄膜的方法，属于无机纳米材料领域。该发明利用磁过滤阴极弧沉积装置，以镍源为阴极，以含碳气体为前驱气体，在一定的粒子束参数条件下沉积碳基镍纳米复合薄膜，其结构为镍金属颗粒分散在周围的非晶碳相中，仅有少量的镍原子掺杂在非晶碳相中。将制备好的薄膜材料用化学溶液腐蚀，去除薄膜中的镍金属相而保留非晶碳相和其中掺杂的镍原子，用去离子水冲洗后即可得到掺杂多孔DLC薄膜。通过对实验中的粒子束参数进行控制，即实现孔隙直径、孔隙密度、薄膜中SP3键相对含量以及掺杂量均可调控的掺杂多孔DLC薄膜材料。该方法操作简单，制备周期短并可实现掺杂多孔DLC薄膜材料的大批量生产。
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公开(公告)号：CN105779937A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610037870.5
申请日：2016-01-21
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C14/0611 , C23C14/28
Abstract: 使用多能量离子束在钢衬底上沉积厚度20μm以上非晶金刚石膜的方法，属于硬质耐磨涂层制备领域。本发明的目的是使用磁过滤阴极孤沉积技术，通过在靶上加脉冲负偏压得到多能量的混合离子束，降低薄膜内应力，在低温下，在钢衬底制备出具有高硬度、低摩擦系数、极好的抗磨损性能、20μm以上的非晶金刚石厚膜。具体涉及：钢衬底，低温，磁过滤阴极弧沉积技术，多能量离子束，大体积靶和无金属过渡层。本发明所使用的磁过滤阴极弧沉积设备是拥有自主知识产权的，设备操作简单，制备出的非晶金刚石厚膜适合所有刀具轴承等工业零件中高硬耐磨涂层沉积应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105755434A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610105818.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C14/325 , A24F47/008 , C23C14/0641 , C23C14/16
Abstract: 本发明公开了一种基于离子束技术的新型电子烟雾化装置导电层的制造方法及设备。制备该电子烟雾化装置导电层的制备方法包括：以多孔氮化铝陶瓷为基体，采用磁过滤金属阴极真空弧(FCVA)技术，在基体表面沉积第一层金属氮化物导电层；在所述的第一层之上，采用FCVA方法沉积得到第二层金属层；在所述的第二层金属层之上，采用FCVA沉积方法沉积得到第三层导电金属氮化物层，三层复合膜总厚度为1-10微米，电阻为1-10欧姆。通过实施本发明，能够制造出新型的且寿命长的电子烟雾化器装置。
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公开(公告)号：CN105296938A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410334441.5
申请日：2014-07-14
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 一种树型阴极真空电弧等离子体沉积磁过滤装置，它由两个以上的磁过滤支线管和一个磁过滤干线管经过合理搭配组装而成，构成树型结构。针对现有磁过滤阴极真空电弧等离子体沉积技术制备多元复合薄膜存在膜层元素成分比例不易调控并且膜层中元素比例随位置变化不一致的不足，本发明提供了一种磁过滤装置，能够同时装配两个以上的弧源，产生两种以上元素的等离子体；等离子体经磁过滤支线管过滤掉大颗粒并被磁化，再经磁过滤干线管磁场引导进入真空靶室，实现多元沉积镀膜。该装置能够分别调节不同真空电弧源的弧流对所制备薄膜的组分进行调控，制备成分比例一致、组织致密、表面光滑的多元复合薄膜。
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公开(公告)号：CN117269265A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311195817.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 北京师范大学
IPC: G01N27/28 , B01J19/08 , G01N21/3577 , G01N21/03
Abstract: 本发明公开了一种用于原位红外光谱测试的电化学池装置，涉及电化学技术领域，本体的一侧开口并与侧盖连接，本体与侧盖之间形成容置槽，容置槽的上端开口并通过顶盖封闭，本体和侧盖之间、本体与顶盖之间、以及侧盖与顶盖之间均通过密封圈密封，顶盖上设有安装孔和通气孔，安装孔和通气孔均能够连通容置槽和外界，本体上靠近侧盖的一侧，以及侧盖上靠近本体的一侧均设有一窗口通道，窗口通道能够连通容置槽和外界，两个窗口通道同轴设置，两个窗口通道之间用于放置待测样品，垫片位于窗口通道和待测样品之间，基底位于两个窗口通道之间并用于与工作电极杆连接。本发明安装简单、灵活性好、易于清洗、密封性好。
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公开(公告)号：CN116800121A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310912998.1
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京师范大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种摩擦纳米发电机及其制备方法和应用，属于纳米发电机技术领域。本发明提供的摩擦纳米发电机包括聚合物柔性基底和位于所述聚合物柔性基底上的若干金属线条；所述若干金属线条呈等间距分布，相邻金属线条的间距为1～10μm；所述若干金属线条的线宽均相同，为1～10μm；所述金属线条与聚合物柔性基底之间通过聚合物‑金属混合层或聚合物‑非金属混合层结合；所述金属线条的材质为Ni或Cu。本发明的摩擦纳米发电机利用水流或气流与金属线条进行摩擦产生电荷，具有高放电效率，电流最高为几百nA至几个μA。
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公开(公告)号：CN116199211A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310295975.0
申请日：2023-03-24
Applicant: 北京师范大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明属于石墨烯薄膜制备技术领域，本发明公开了一种二维单层枝晶石墨烯薄膜及其制备方法。本发明采用化学气相沉积两步生长法，即在合成石墨烯连续单层膜后，继续通入氢气，利用氢气刻蚀效应，获得高质量大面积连续单层石墨烯枝晶薄膜。拉曼光谱图证实石墨烯为单层，石墨烯的2D峰强度大于G峰，并具有完美的单洛伦兹峰型。本发明所得二维单层枝晶石墨烯薄膜的稳定性和连续性好，且具有优异的传感性能和催化性能，在传感以及光催化领域具有重要的应用前景。
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