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公开(公告)号：CN116949403A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310919927.4
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开一种离子束稳流装置，包括弧电源、阴极组件以及触发组件，其中，弧电源的正极接地；阴极组件包括阴极靶材和靶材座，靶材座处还设置永磁体；触发组件包括触发电极、触发针和辅助阳极板。弧电源在靶材座和触发电极施加电压，使触发针与阴极靶材接触形成短路，瞬间形成电弧，在电弧中形成等离子体，电弧斑在阴极靶材表面移动；辅助阳极板接地，当电弧斑运动至阴极靶材边缘时，由于辅助阳极板的电位较阴极靶材的电位高，电弧斑返回阴极靶材中心，从而避免电弧斑落在阴极靶材的侧面而导致灭弧。本发明还提供一种电弧离子镀设备，包含上述的离子束稳流装置，提高离子束稳定性，进而提升电弧离子镀质量。
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公开(公告)号：CN116904938A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310887610.7
申请日：2023-07-19
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种采用双脉冲技术制备的高熵合金涂层及其制备方法，所述方法包括以下步骤：将等离子体依次通过脉冲磁场、扫描磁场和脉冲电场处理后沉积在基体样品表面形成高熵合金涂层。本发明方法制备的高熵合金涂层和基体结合强度高，不同服役环境下保持优异性能时间长；本发明方法有别于传统技术，双脉冲技术制备高熵合金涂层在靶材确定后其内各元素种类通过沉积外部参数可以实现元素成分、结构精确调节；本发明双脉冲技术制备高熵合金涂层其膜层致密性高，结构可通过脉冲磁场与脉冲负压和过渡层进行调节；本发明双脉冲技术制备高熵合金膜层大面积的均匀性好，通过磁场的设计，金属等离子体能够充分的混合，不存在成分偏析的情况。
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公开(公告)号：CN111005003B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201911253360.1
申请日：2019-12-09
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种替代激光直接成型技术的天线制备方法，基体样品通过传输带进入准备室，准备室内有吹干系统保证样品的干净和干燥；基体样品干燥后通过传送带进入预抽室；抽气完成后通过传送带进入缓冲室，缓冲室通过分子泵进行高真空抽气；最后进入处理室，在处理室内进行高能离子注入和低能离子束沉积操作，最后进行样品收集，完成处理流程。本发明提供了一种替代激光直接成型技术的天线制备方法，该方法基于高能离子束技术、低能离子束技术以及相关掩模技术形成具备一定功能的金属天线。通过该方法制备的天线，具有成本低、无需激光粉、耐腐蚀性好、结合强度高、膜层一致性好、表面粗糙度低、环保等特点。
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公开(公告)号：CN111662467B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010350044.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京师范大学 , 广东省广新离子束科技有限公司
IPC: C08J3/28 , C08L79/08 , C08L101/12 , C08L67/02 , C08L27/18
Abstract: 本发明提供了一种5G用聚合物的表面处理方法，属于聚合物表面处理技术领域。本发明通过对聚合物进行氧元素注入、加成使聚合物基体元素与注入加成的原子形成共混结构，该结构的形成能够增加聚合物表面的粗糙度，提高其与金属的结合强度，从而使其抗剥离强度得以增强。本发明的处理方法能同时兼顾聚合物的表面电阻率、表面粗糙度、吸水度和抗拉伸性能，所用设备使用寿命高，成本低，能实现大规模的卷对卷生产，该方法可在聚合物表面处理上进行推广。
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公开(公告)号：CN111668080B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010363614.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京师范大学 , 广东省广新离子束科技有限公司
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种金属离子源发射装置，包括密封连接的陶瓷筒、引出电极室和三个并排设置的阴极，触发电极固定在陶瓷绝缘电极上，阴极靶材固定在间接冷却通道上，限位电极固定在固定电极上，固定电极通过螺扣将间接冷却通道固定在阴极冷却管上，阴极冷却管固定在阴极法兰上，触发接线柱通过导线和触发电极相连；引出电极室中位于阴极正下方设置有引出电极和加速电极，加速电极和引出电极上均设置有引出缝隙。该金属离子源发射装置，能够在一个阳极的情况下，同时让3个阴极进行工作，增大了离子源的照射面积，提高了工作效率、能源利用率；发射源更加紧凑，处理面积更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111663106A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010644519.9
申请日：2020-07-07
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开一种制备高遮挡基体涂层的装置，涉及镀膜装置技术领域，主要结构包括真空室，所述真空室水平方向的中部后侧设置有第一法兰孔，待加工工件通过所述第一法兰孔进入所述真空室内；所述真空室还连通有气体离子源系统、沉积系统和分子泵；所述真空室上设置有进气口；通过气体离子源系统对待加工工件进行表面气体离子源清洗；然后通入氮气进行表面氮化，提高基体抗疲劳特性，再进行循环多层涂层的制备；工件在真空腔室内进行自转。该单元涂层内每层均为氮化物、氧化物纳米晶的混合体，能够释放沉积时产生的内应力，同时膜层内Al，Cr的氧化物具备较好的抗高温性能。
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公开(公告)号：CN111621744A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010198939.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种微型刀具涂层的沉积方法，包括以下步骤：在惰性气体中，在刀具基体上沉积金属离子形成金属过渡层；在金属过渡层上依次沉积金属离子、金属碳化物、碳离子形成单元涂层；循环步骤2S若干次；在所述单元循环涂层表层沉积SP3键渐变的碳离子形成渐变碳膜层。本发明的在微型刀具上沉积超厚碳膜的沉积方法对沉积工艺进行优化，在刀具表面沉积金属过渡层、单元循环沉积、sp3键不断升高的渐变碳膜层，涂层与刀具结合力大于30N，膜层厚度可高至15微米，硬度大于50Gpa。
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公开(公告)号：CN109722623B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910174804.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种锯片的表面处理方法，该方法是利用气体离子源、高功率脉冲技术、电弧技术在锯片表面沉积摩擦系数低以及韧性好的复合膜方法。其中包括：对锯片进行气体离子源清洗；利用气体离子源对锯片进行离子氮化；利用高功率脉冲以及电弧技术沉积复合叠层结构涂层。制备的三明治复合膜层具有高韧性、高显微硬度以及低摩擦系数，能明显提高锯片寿命2‑5倍，在锯片领域有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109913823B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910269731.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明提出一种轻水反应堆锆管涂层的方法，主要包括：利用高功率脉冲技术和磁过滤沉积技术交替沉积CrAlSi和MoNbZr循环纳米涂层，单元周期内CrAlSi和MoNbZr纳米涂层厚度为0‑15nm，涂层总厚度为0‑15μm。沉积纳米交替涂层后锆管在高压釜内高温高压下的抗氧化性能明显增强，通过实施本发明，在锆管上沉积交替纳米循环复合结构(特别是Al、Cr和Si元素的加入)很好的保护高温下氧元素的向内扩散，因其多种元素的相互协同作用，能够有效的防止高温高压下膜层的脱落、开裂以及氧原子的扩散行为，提高容错燃料的安全和可靠性。
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公开(公告)号：CN109881160B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910174802.7
申请日：2019-03-08
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种低熔点以及活泼金属的膜层沉积装置，包括：真空系统、阴极弧头、强脉冲磁场、永磁体阳极筒、磁过滤管及聚焦线包。通过实施本发明，到达镀膜工件表面的离子方向性好，同时在改进的冷却阴极弧头基础之上能够沉积低熔点的金属，如Zn，Mg，Li等实现电弧镀膜；在真空的保护下也可实现活泼金属，如Na等的表面沉积，弥补了该类低熔点和活泼金属膜层沉积的技术空白。本发明磁过滤装置在核天体制靶，医药等方面有着广泛的应用前景。
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