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发明公开
一种二维单层枝晶石墨烯薄膜及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116199211A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310295975.0

申请日：2023-03-24

Applicant: 北京师范大学

Inventor： 英敏菊 , 张霞 , 戚源 , 颜培烨 , 陈琳 , 廖斌 , 张旭

IPC: C01B32/186 , C01B32/194

Abstract: 本发明属于石墨烯薄膜制备技术领域，本发明公开了一种二维单层枝晶石墨烯薄膜及其制备方法。本发明采用化学气相沉积两步生长法，即在合成石墨烯连续单层膜后，继续通入氢气，利用氢气刻蚀效应，获得高质量大面积连续单层石墨烯枝晶薄膜。拉曼光谱图证实石墨烯为单层，石墨烯的2D峰强度大于G峰，并具有完美的单洛伦兹峰型。本发明所得二维单层枝晶石墨烯薄膜的稳定性和连续性好，且具有优异的传感性能和催化性能，在传感以及光催化领域具有重要的应用前景。

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