一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117187743A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311141420.7

    申请日:2023-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用,采用磁过滤阴极真空弧方法在铜箔基片上一步沉积出高熵氧化物薄膜,具体包括以下步骤:将基片放在乙醇溶液中清洗;然后放入真空室抽真空;利用氩气在‑300~‑600V的负偏压条件下对基片进行溅射清洗;采用磁过滤阴极真空弧沉积高熵氧化物薄膜,在弧流为50~200A,正偏压为20~40V、负偏压为‑50~‑300V、氧气流量为5~10sccm条件下进行薄膜沉积,沉积时间为0.5~2h。本发明通过载能离子与金属靶材表面/亚表面的相互作用在室温下一步实现多种金属氧化物的精细成膜,与基于化学合成的方法相比,离子术技术能实现氧化物种类、结构和性能的宽域调控,具有更好的产业化应用前景。

    离子束稳流装置及电弧离子镀设备

    公开(公告)号:CN116949403A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310919927.4

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明公开一种离子束稳流装置,包括弧电源、阴极组件以及触发组件,其中,弧电源的正极接地;阴极组件包括阴极靶材和靶材座,靶材座处还设置永磁体;触发组件包括触发电极、触发针和辅助阳极板。弧电源在靶材座和触发电极施加电压,使触发针与阴极靶材接触形成短路,瞬间形成电弧,在电弧中形成等离子体,电弧斑在阴极靶材表面移动;辅助阳极板接地,当电弧斑运动至阴极靶材边缘时,由于辅助阳极板的电位较阴极靶材的电位高,电弧斑返回阴极靶材中心,从而避免电弧斑落在阴极靶材的侧面而导致灭弧。本发明还提供一种电弧离子镀设备,包含上述的离子束稳流装置,提高离子束稳定性,进而提升电弧离子镀质量。

    一种采用双脉冲技术制备的高熵合金涂层及其方法与装置

    公开(公告)号:CN116904938A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310887610.7

    申请日:2023-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种采用双脉冲技术制备的高熵合金涂层及其制备方法,所述方法包括以下步骤:将等离子体依次通过脉冲磁场、扫描磁场和脉冲电场处理后沉积在基体样品表面形成高熵合金涂层。本发明方法制备的高熵合金涂层和基体结合强度高,不同服役环境下保持优异性能时间长;本发明方法有别于传统技术,双脉冲技术制备高熵合金涂层在靶材确定后其内各元素种类通过沉积外部参数可以实现元素成分、结构精确调节;本发明双脉冲技术制备高熵合金涂层其膜层致密性高,结构可通过脉冲磁场与脉冲负压和过渡层进行调节;本发明双脉冲技术制备高熵合金膜层大面积的均匀性好,通过磁场的设计,金属等离子体能够充分的混合,不存在成分偏析的情况。

    一种金属离子源发射装置

    公开(公告)号:CN111668080B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202010363614.1

    申请日:2020-04-30

    Abstract: 本发明公开一种金属离子源发射装置,包括密封连接的陶瓷筒、引出电极室和三个并排设置的阴极,触发电极固定在陶瓷绝缘电极上,阴极靶材固定在间接冷却通道上,限位电极固定在固定电极上,固定电极通过螺扣将间接冷却通道固定在阴极冷却管上,阴极冷却管固定在阴极法兰上,触发接线柱通过导线和触发电极相连;引出电极室中位于阴极正下方设置有引出电极和加速电极,加速电极和引出电极上均设置有引出缝隙。该金属离子源发射装置,能够在一个阳极的情况下,同时让3个阴极进行工作,增大了离子源的照射面积,提高了工作效率、能源利用率;发射源更加紧凑,处理面积更大。

    一种制备高遮挡基体涂层的装置

    公开(公告)号:CN111663106A

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN202010644519.9

    申请日:2020-07-07

    Abstract: 本发明公开一种制备高遮挡基体涂层的装置,涉及镀膜装置技术领域,主要结构包括真空室,所述真空室水平方向的中部后侧设置有第一法兰孔,待加工工件通过所述第一法兰孔进入所述真空室内;所述真空室还连通有气体离子源系统、沉积系统和分子泵;所述真空室上设置有进气口;通过气体离子源系统对待加工工件进行表面气体离子源清洗;然后通入氮气进行表面氮化,提高基体抗疲劳特性,再进行循环多层涂层的制备;工件在真空腔室内进行自转。该单元涂层内每层均为氮化物、氧化物纳米晶的混合体,能够释放沉积时产生的内应力,同时膜层内Al,Cr的氧化物具备较好的抗高温性能。

    一种刀具涂层及其沉积方法

    公开(公告)号:CN111621744A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010198939.9

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 本发明公开了一种微型刀具涂层的沉积方法,包括以下步骤:在惰性气体中,在刀具基体上沉积金属离子形成金属过渡层;在金属过渡层上依次沉积金属离子、金属碳化物、碳离子形成单元涂层;循环步骤2S若干次;在所述单元循环涂层表层沉积SP3键渐变的碳离子形成渐变碳膜层。本发明的在微型刀具上沉积超厚碳膜的沉积方法对沉积工艺进行优化,在刀具表面沉积金属过渡层、单元循环沉积、sp3键不断升高的渐变碳膜层,涂层与刀具结合力大于30N,膜层厚度可高至15微米,硬度大于50Gpa。

    一种利用粒子束调控技术制备多孔掺杂类金刚石薄膜的方法

    公开(公告)号:CN105779965A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610037867.3

    申请日:2016-01-21

    Abstract: 一种利用粒子束调控技术制备掺杂多孔类金刚石(DLC)薄膜的方法,属于无机纳米材料领域。该发明利用磁过滤阴极弧沉积装置,以镍源为阴极,以含碳气体为前驱气体,在一定的粒子束参数条件下沉积碳基镍纳米复合薄膜,其结构为镍金属颗粒分散在周围的非晶碳相中,仅有少量的镍原子掺杂在非晶碳相中。将制备好的薄膜材料用化学溶液腐蚀,去除薄膜中的镍金属相而保留非晶碳相和其中掺杂的镍原子,用去离子水冲洗后即可得到掺杂多孔DLC薄膜。通过对实验中的粒子束参数进行控制,即实现孔隙直径、孔隙密度、薄膜中SP3键相对含量以及掺杂量均可调控的掺杂多孔DLC薄膜材料。该方法操作简单,制备周期短并可实现掺杂多孔DLC薄膜材料的大批量生产。

    重力储能系统及重力储能电站
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118601818A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410835802.8

    申请日:2024-06-26

    Abstract: 本申请提供了一种重力储能系统及重力储能电站。该重力储能系统包括多个发电机组、多个水箱、多个配重块、多个动滑轮以及牵引索;每个动滑轮上可拆卸连接有至少一个水箱或至少一个配重块,牵引索绕过各发电机组和各动滑轮;在发电过程中,连接在动滑轮上的水箱在上仓位和下仓位之间往复上下运动,且一部分满仓的水箱下降的同时另一部分空仓的水箱在外力作用下上升。本实施例中的重力储能系统建立在水源附近,利用夜间用电低谷将处于下仓位的水运送至上仓位进行储能,不仅能够利用现有的水利工程,大大减少了前期建设投入成本,而且利用水作为重力储能介质,因此节省了生产其他储能介质的投入,有利于降低重力储能的前期投入。

    一种长条高真空阴极电弧靶装置

    公开(公告)号:CN110846625B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN201911253460.4

    申请日:2019-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种长条高真空阴极电弧靶装置,真空室用于放置长条高真空阴极电弧靶装置,包括:主支撑架、阳极、阴极靶材、屏蔽电极、第一屏蔽环、永磁体、触发电极和旋转部件;主支撑架上安装所述旋转部件;旋转部件与阴极靶材固定连接,并进行旋转动作;阳极与主支撑架连接;第一屏蔽环固定在阳极上,屏蔽阴极靶材和真空室;屏蔽电极包裹阴极靶材,并且阴极靶材的内部设置有永磁体;触发电极安装在屏蔽电极上,并且触发电极与触发电源电性连接。本发明提供了一种长条高真空阴极电弧靶装置,实现其能在高真空下稳定、可靠的弧光放电,同时大幅减低起弧时因温度过高而带来的颗粒喷射和提高阴极寿命。

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