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公开(公告)号：CN108842133A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810546801.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种图形化静电卡盘的制备方法及设备，制备方法包括：选取超大尺寸(大于300mm)陶瓷片(AIN或Al2O3)作为基底，并印上图形化有机胶掩膜，利用离子束技术沉积具有高电阻率、高硬度、耐磨损性、抗离子冲蚀性的DLC膜层。沉积方法包括：采用高能金属真空蒸汽离子源(MEVVA)在基底注入金属元素形成梯度伪扩散层，接着采用90度超宽磁过滤金属阴极真空弧(FCVA)技术，沉积金属过渡层；在金属过渡层上，采用单T型磁过滤阴极真空弧(FCVA)沉积得到高sp2含量的DLC膜层；在所述高sp2含量DLC膜层上利用双T型磁过滤阴极真空弧(FCVA)沉积得到超硬DLC膜层；膜层的电阻可达到10-50MΩ，硬度可达到80Gpa以上。通过实施本发明，能使静电卡盘具有优异的耐磨性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN108441832B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810264173.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种离心泵叶轮表面处理方法和设备，包括以下步骤：S1：利用前期处理设备对叶轮表面进行脱油脱脂清洗；S2：利用宽束双加速级金属离子源对叶轮基体进行表面结构异化处理；宽束金属离子源能够引出的束斑直径为800mm，能够满足800mm以内的叶轮的表面/亚表面结构异化处理，产生压应力提高膜基结合力；S3：同时利用金属离子源、磁过滤沉积系统、高功率脉冲磁控溅射系统对叶轮进行表面沉积镀膜。控制公转速度等参数能够方便实现锯齿梯度、渐变梯度、函数梯度膜层的沉积。采用该方法制备的涂层结构能方便实现交替结构变化；相比于传统涂层，该涂层具备高耐气蚀能力，更强的抗裂纹生长能力、以及接近于体材料的膜层致密性。
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公开(公告)号：CN109306449A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811381462.7
申请日：2018-11-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种生物针灸表面处理技术及设备，包括针柄、针身和针尖，针身基于离子束技术制备了超薄、超高绝缘以及超硬的类金刚石涂层,类金刚石涂层的厚度为1-6nm，在针身的类金刚石膜层上沉积三条宽2-5μm测试通道线；针柄连接电针仪电极，测试通道线连接生物电流测试系统；外接电极电流从针尖定向导入作用于深层的病变部位，同时相关病变部位的生物电流反馈测试系统。本发明因采用了类金刚石超薄纳米涂层，配合电针仪以及生物电流测试系统使用时产生治疗和监控作用，不但可以大幅提高治疗效果，同时很好的监控医患的病变部位的生物特征。本发明适用于针灸针，定向导电针灸针绝缘层制备方法、生物电流测试方法及其通道线的制备工艺。
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公开(公告)号：CN108359942A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810263024.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/022 , C23C14/0611 , C23C14/5826 , C23C14/5873
Abstract: 本发明公开了一种类金刚石涂层的制备方法，包括以下步骤：S1：利用气体离子源对基体表面进行高低能交替清洗；S2：以碳靶为阴极，利用磁过滤沉积技术在所述基体上进行类金刚石涂层的沉积；该方法沉积速率高，成本低，能实现大批量生产；S3：利用激光器对类金刚石涂层进行表面刻蚀，刻蚀间隔为2-10微米；S4：利用气体离子源对图形化类金刚石膜进行表面处理。采用该方法制备的涂层为四面体非晶形碳高sp3和低sp3含量交替变化结构；该涂层具备高耐磨损性能，比含氢类金刚石、高sp3含量类金刚石以及低sp3含量类金刚石具备更高的抗裂纹生长能力以及抗摩擦磨损性能。
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公开(公告)号：CN109097735A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811008088.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了在核探测晶体表面的一种防潮高透明度的类金刚石(DLC)涂层的制备方法，包括以下步骤：1S：利用重金属和气体混合等离子体对基体表面进行高低能交替清洗；2S：以碳靶为阴极，利用双T异面型磁过滤沉积方法在基体上进行高致密DLC涂层的沉积；3S：利用低能气体离子源对DLC进行纳米结构刻蚀形成3-5nm的无定形增透层。该方法基于双T异面型磁过滤沉积方法，在沉积过程中可自形成超致密、高透光率DLC，能够方便解决核探测器中如NaI、CsI晶体易潮解，同时需要高的可见光透光率的需求，能够大幅延伸易潮解核探测晶体的使用环境和范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108441832A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810264173.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种离心泵叶轮表面处理方法和设备，包括以下步骤：S1：利用前期处理设备对叶轮表面进行脱油脱脂清洗；S2：利用宽束双加速级金属离子源对叶轮基体进行表面结构异化处理；宽束金属离子源能够引出的束斑直径为800mm，能够满足800mm以内的叶轮的表面/亚表面结构异化处理，产生压应力提高膜基结合力；S3：同时利用金属离子源、磁过滤沉积系统、高功率脉冲磁控溅射系统对叶轮进行表面沉积镀膜。控制公转速度等参数能够方便实现锯齿梯度、渐变梯度、函数梯度膜层的沉积。采用该方法制备的涂层结构能方便实现交替结构变化；相比于传统涂层，该涂层具备高耐气蚀能力，更强的抗裂纹生长能力、以及接近于体材料的膜层致密性。
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公开(公告)号：CN109097744B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811090717.4
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种脉冲磁过滤装置，包括，脉冲阴极弧头、引出电极、聚焦直管、磁过滤管、栅网以及射频四级杆过滤器。通过实施本发明，到达镀膜工件表面的离子方向性好，同时离子的电荷态相同，非常适合单晶或多晶膜层的精细化调控生长，同时通过控制四级杆过滤器射频频率可方便实现不同价态离子膜层的选择性精确镀制。本发明的脉冲磁过滤装置在超细、超微芯片或者晶圆种晶制备方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109082635B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811091114.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种大面积脉冲磁过滤装置，该装置包括：脉冲阴极弧头、引出电极、聚焦直管、磁过滤管道以及扩展管道。通过实施本发明，离子束斑的形状发生明显的改变，由原来的圆形束斑变成长条形束斑，束斑尺寸最大可为60mm×260mm，大大提高了离子束斑的纵向宽度，在长条形部件表面处理时有着非常明显的优势。同时本发明的大面积脉冲磁过滤装置能够实现导电性差点阴极材料膜层的镀制。通过引出电极和聚焦电极的配合使用能使引出束流大大增加，同时在扩散管道和磁过滤管道线包电流的配合下能大幅展开离子束斑尺寸，在相同束流强度下能够大大增加阴极靶材的寿命。
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公开(公告)号：CN109306449B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811381462.7
申请日：2018-11-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种生物针灸表面处理技术及设备，包括针柄、针身和针尖，针身基于离子束技术制备了超薄、超高绝缘以及超硬的类金刚石涂层,类金刚石涂层的厚度为1‑6nm，在针身的类金刚石膜层上沉积三条宽2‑5μm测试通道线；针柄连接电针仪电极，测试通道线连接生物电流测试系统；外接电极电流从针尖定向导入作用于深层的病变部位，同时相关病变部位的生物电流反馈测试系统。本发明因采用了类金刚石超薄纳米涂层，配合电针仪以及生物电流测试系统使用时产生治疗和监控作用，不但可以大幅提高治疗效果，同时很好的监控医患的病变部位的生物特征。本发明适用于针灸针，定向导电针灸针绝缘层制备方法、生物电流测试方法及其通道线的制备工艺。
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公开(公告)号：CN108842133B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810546801.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 北京师范大学
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种图形化静电卡盘的制备方法及设备，制备方法包括：选取超大尺寸(大于300mm)陶瓷片(AIN或Al2O3)作为基底，并印上图形化有机胶掩膜，利用离子束技术沉积具有高电阻率、高硬度、耐磨损性、抗离子冲蚀性的DLC膜层。沉积方法包括：采用高能金属真空蒸汽离子源(MEVVA)在基底注入金属元素形成梯度伪扩散层，接着采用90度超宽磁过滤金属阴极真空弧(FCVA)技术，沉积金属过渡层；在金属过渡层上，采用单T型磁过滤阴极真空弧(FCVA)沉积得到高sp2含量的DLC膜层；在所述高sp2含量DLC膜层上利用双T型磁过滤阴极真空弧(FCVA)沉积得到超硬DLC膜层；膜层的电阻可达到10‑50MΩ，硬度可达到80Gpa以上。通过实施本发明，能使静电卡盘具有优异的耐磨性和使用寿命。
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