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公开(公告)号：CN116904938A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310887610.7
申请日：2023-07-19
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种采用双脉冲技术制备的高熵合金涂层及其制备方法，所述方法包括以下步骤：将等离子体依次通过脉冲磁场、扫描磁场和脉冲电场处理后沉积在基体样品表面形成高熵合金涂层。本发明方法制备的高熵合金涂层和基体结合强度高，不同服役环境下保持优异性能时间长；本发明方法有别于传统技术，双脉冲技术制备高熵合金涂层在靶材确定后其内各元素种类通过沉积外部参数可以实现元素成分、结构精确调节；本发明双脉冲技术制备高熵合金涂层其膜层致密性高，结构可通过脉冲磁场与脉冲负压和过渡层进行调节；本发明双脉冲技术制备高熵合金膜层大面积的均匀性好，通过磁场的设计，金属等离子体能够充分的混合，不存在成分偏析的情况。
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公开(公告)号：CN111005003B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201911253360.1
申请日：2019-12-09
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种替代激光直接成型技术的天线制备方法，基体样品通过传输带进入准备室，准备室内有吹干系统保证样品的干净和干燥；基体样品干燥后通过传送带进入预抽室；抽气完成后通过传送带进入缓冲室，缓冲室通过分子泵进行高真空抽气；最后进入处理室，在处理室内进行高能离子注入和低能离子束沉积操作，最后进行样品收集，完成处理流程。本发明提供了一种替代激光直接成型技术的天线制备方法，该方法基于高能离子束技术、低能离子束技术以及相关掩模技术形成具备一定功能的金属天线。通过该方法制备的天线，具有成本低、无需激光粉、耐腐蚀性好、结合强度高、膜层一致性好、表面粗糙度低、环保等特点。
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公开(公告)号：CN111662467B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010350044.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京师范大学 , 广东省广新离子束科技有限公司
IPC: C08J3/28 , C08L79/08 , C08L101/12 , C08L67/02 , C08L27/18
Abstract: 本发明提供了一种5G用聚合物的表面处理方法，属于聚合物表面处理技术领域。本发明通过对聚合物进行氧元素注入、加成使聚合物基体元素与注入加成的原子形成共混结构，该结构的形成能够增加聚合物表面的粗糙度，提高其与金属的结合强度，从而使其抗剥离强度得以增强。本发明的处理方法能同时兼顾聚合物的表面电阻率、表面粗糙度、吸水度和抗拉伸性能，所用设备使用寿命高，成本低，能实现大规模的卷对卷生产，该方法可在聚合物表面处理上进行推广。
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公开(公告)号：CN111668080B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010363614.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京师范大学 , 广东省广新离子束科技有限公司
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种金属离子源发射装置，包括密封连接的陶瓷筒、引出电极室和三个并排设置的阴极，触发电极固定在陶瓷绝缘电极上，阴极靶材固定在间接冷却通道上，限位电极固定在固定电极上，固定电极通过螺扣将间接冷却通道固定在阴极冷却管上，阴极冷却管固定在阴极法兰上，触发接线柱通过导线和触发电极相连；引出电极室中位于阴极正下方设置有引出电极和加速电极，加速电极和引出电极上均设置有引出缝隙。该金属离子源发射装置，能够在一个阳极的情况下，同时让3个阴极进行工作，增大了离子源的照射面积，提高了工作效率、能源利用率；发射源更加紧凑，处理面积更大。
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公开(公告)号：CN111663106A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010644519.9
申请日：2020-07-07
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开一种制备高遮挡基体涂层的装置，涉及镀膜装置技术领域，主要结构包括真空室，所述真空室水平方向的中部后侧设置有第一法兰孔，待加工工件通过所述第一法兰孔进入所述真空室内；所述真空室还连通有气体离子源系统、沉积系统和分子泵；所述真空室上设置有进气口；通过气体离子源系统对待加工工件进行表面气体离子源清洗；然后通入氮气进行表面氮化，提高基体抗疲劳特性，再进行循环多层涂层的制备；工件在真空腔室内进行自转。该单元涂层内每层均为氮化物、氧化物纳米晶的混合体，能够释放沉积时产生的内应力，同时膜层内Al，Cr的氧化物具备较好的抗高温性能。
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公开(公告)号：CN111621744A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010198939.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种微型刀具涂层的沉积方法，包括以下步骤：在惰性气体中，在刀具基体上沉积金属离子形成金属过渡层；在金属过渡层上依次沉积金属离子、金属碳化物、碳离子形成单元涂层；循环步骤2S若干次；在所述单元循环涂层表层沉积SP3键渐变的碳离子形成渐变碳膜层。本发明的在微型刀具上沉积超厚碳膜的沉积方法对沉积工艺进行优化，在刀具表面沉积金属过渡层、单元循环沉积、sp3键不断升高的渐变碳膜层，涂层与刀具结合力大于30N，膜层厚度可高至15微米，硬度大于50Gpa。
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公开(公告)号：CN107130224B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201710368145.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种在核聚变关键部件制备抗辐射涂层的方法，制备方法包括：采用考夫曼源对基材进行表面活化处理，随后利用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在基材表面注入一层能提高膜基结合力的金属″钉扎层″；然后采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)沉积合金应力释放层，紧接着使FCVA以及MEVVA同时工作，并在进气口通入10‑30sccm的氮气和50‑100sccm的乙炔，在基材表面沉积总厚度为1‑50微米的多相镶嵌的合金/氮化物/碳化物碳基涂层。该发明中磁过滤沉积系统、金属真空蒸汽离子源系统所用阴极为一定配比的TiMoCuNi靶材。通过实施本发明，在关键部件上沉积多相涂层具有很好的抗辐射能力，防止在聚变堆中其因氦离子轰击引起发泡和脱落带来严重的表面腐蚀，影响服役寿命。
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公开(公告)号：CN107130223B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710316783.8
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种在机械设备关键部件表面制备结合力优越以及超低摩擦系数的多相混合固体润滑涂层的方法，其中，制备该涂层方法包括：采用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在基材表面注入一层能提高膜基结合力的金属″钉扎层″；然后采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)沉积合金应力释放层，紧接着FCVA以及MEVVA同时工作，并在进气口通入100‑250sccm的乙炔以及30‑80sccm的硫化氢气体，在基材表面沉积总厚度为1‑10微米的多相混合固体润滑TiC‑MoS2‑Ni/Ti‑(a：H‑C)涂层。该发明中磁过滤沉积系统、金属真空蒸汽离子源系统所用阴极为一定配比的TiMoNi合金靶材。通过实施本发明，在关键部件上沉积多相混合固体润滑涂层能够很好的保护机械设备的关键部件，提高设备的稳定性、精度以及服役寿命。
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公开(公告)号：CN106435506B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610855246.6
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明涉及一种解决发动机活塞拉缸的方法，在活塞顶部凹坑及喉口处沉积绝热膜层，用以阻止燃烧室热量向活塞下的关键部件的传导，解决活塞拉缸的问题。在一个示例中，在活塞顶部凹坑及喉口处沉积绝热膜层包括：在活塞顶部凹坑及喉口处进行表面清洗；在表面清洗后的活塞顶部凹坑及喉口处注入金属元素，形成金属“钉扎层”；在所述金属“钉扎层”之上，沉积绝热膜层。本发明提供的方法制备的绝热膜层，具有明显的隔热效果，阻止了燃烧室的相对高温向活塞顶部以下关键部件的热传导，明显减小其热膨胀量，同时可直接避免因膨胀系数不一致带来的各种问题。
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公开(公告)号：CN109097735A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811008088.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了在核探测晶体表面的一种防潮高透明度的类金刚石(DLC)涂层的制备方法，包括以下步骤：1S：利用重金属和气体混合等离子体对基体表面进行高低能交替清洗；2S：以碳靶为阴极，利用双T异面型磁过滤沉积方法在基体上进行高致密DLC涂层的沉积；3S：利用低能气体离子源对DLC进行纳米结构刻蚀形成3-5nm的无定形增透层。该方法基于双T异面型磁过滤沉积方法，在沉积过程中可自形成超致密、高透光率DLC，能够方便解决核探测器中如NaI、CsI晶体易潮解，同时需要高的可见光透光率的需求，能够大幅延伸易潮解核探测晶体的使用环境和范围。
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