公开(公告)号：CN102956709B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210451527.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  张爱喜 ,  梅金河 ,  杜彩霞 ,  张立宁 ,  叶韵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及双材料栅纳米线隧穿场效应器件及制造方法。该双材料栅纳米线隧穿场效应器件的中心为沟道，其两端分别设有源区、漏区，沟道外围依序覆设氧化物和栅电极。制造方法：在硅圆片上用圆形氮化硅硬掩模，SF6刻蚀出硅柱；高温氧化，HF水溶液腐蚀缩小硅柱尺寸达到直径6nm～30nm设定值，高温氧化形成设定厚度氧化层包围的硅柱；采用淀积与光刻技术完成双材料栅结构的制备；分别在120°~150°注入1×1020cm-2/10keV和5×1018cm-2/10keV的硼和磷，在900℃/10s~1100℃/10s退火制备源区和漏区；CMOS工艺完成金属电极制备；制成双材料栅纳米线隧穿场效应器件。

公开(公告)号：CN113868854B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202111119437.3

申请日：2021-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  苏畅 ,  张立宁 ,  冯宁 ,  王凯枫 ,  焦彦欣 ,  黄如

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法，本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合，可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性，避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响，使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落，有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。

公开(公告)号：CN116205167A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310157186.0

申请日：2023-02-15

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  戴午 ,  李宇 ,  王润声 ,  黄如

IPC: G06F30/30 ,  G06F30/27 ,  G06N3/04

Abstract: 本申请涉及一种基于人工神经网络系统的晶体管统计模型的建立方法，包括接收并基于第一数据集中的数据利用所述人工神经网络系统生成标准晶体管的名义模型；基于所述第一数据集以及所述名义模型，对所述人工神经网络系统中神经元进行筛选得到最终涨落神经元；基于所述名义模型相对于所述最终涨落神经元的权重的变化情况、所述名义模型相对于阈值电压的变化情况、所述第一数据集中的漏源极电流的分布以及栅源极电压的分布，计算获得所述统计模型中所述最终涨落神经元的权重的分布以及阈值电压的分布；以及基于所述名义模型、所述最终涨落神经元的权重的分布以及所述阈值电压的分布，建立所述统计模型。

公开(公告)号：CN115374698A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210966753.2

申请日：2022-08-12

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  戴午 ,  李宇 ,  王润声 ,  黄如

IPC: G06F30/27 ,  G06F119/02

Abstract: 本申请涉及一种用于预测三端晶体管漏源电流的方法，包括接收所述晶体管的实际栅源极电压，并利用第一人工神经网络产生在所述晶体管的漏源极电压等于第一参考值时的第一漏源电流值；接收所述晶体管的实际漏源极电压，对所述第一漏源电流值与原点形成的直线进行延伸从而获得第二漏源电流；接收所述实际栅源极电压和所述实际漏源极电压，利用第二人工神经网络产生第一比值；以及基于所述第二漏源电流和所述第一比值获得当前偏置条件下对所述晶体管的漏源极电流的预测值；本申请还涉及一种如前述的用于预测三端晶体管漏源电流的人工神经网络系统及其建立方法，以及两种计算机可读存储介质。

公开(公告)号：CN102544094B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201010606167.4

申请日：2010-12-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 周旺 ,  张立宁 ,  何进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种分裂栅结构的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由分裂栅电极、源区、漏区、沟道区和栅介质层组成；其中，所述沟道区呈柱状，所述沟道区位于所述纳米线场效应晶体管的中心，构成所述沟道区的材料为半导体材料；所述栅介质层同轴全包围所述沟道区；所述分裂栅电极位于所述栅介质层之外，并同轴全包围所述栅介质层，构成所述分裂栅电极的材料为两种不同的材料；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧。分裂栅电极结构的引入能有效提高传统纳米线晶体管的开态电流，提高器件的电流开关比和工作速度。同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。

公开(公告)号：CN101944539A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910089213.5

申请日：2009-07-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 张立宁 ,  何进 ,  张健

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由内栅电极、外栅电极，内外栅介质层，沟道区和源区、漏区组成；其中，内栅电极位于整个器件结构的中心；由内向外内栅介质，沟道区，外栅介质和外栅电极同轴的全包围内层区域。内栅电极的引入可以使该纳米线器件工作于独立栅控的条件下，为低功耗电路设计提供一种选择方案，而且阈值电压受控制电极的调节灵敏度更大。当该器件工作于共栅条件下时，器件的电学性能优于常规纳米环栅器件和双栅器件。用10纳米的硅膜厚度，该独立栅控纳米线晶体管器件可以将栅长缩小到20纳米。