公开(公告)号：CN113868854B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202111119437.3

申请日：2021-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  苏畅 ,  张立宁 ,  冯宁 ,  王凯枫 ,  焦彦欣 ,  黄如

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法，本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合，可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性，避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响，使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落，有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。

公开(公告)号：CN113868854A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111119437.3

申请日：2021-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄芊芊 ,  苏畅 ,  张立宁 ,  冯宁 ,  王凯枫 ,  焦彦欣 ,  黄如

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法，本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合，可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性，避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响，使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落，有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。