-
公开(公告)号：CN115146770B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210870776.3
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/063 , G06N3/06 , G06N3/0464
Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络电路。本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
-
公开(公告)号：CN119397751A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411417369.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/20 , G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 一种器件自热计算、电路仿真方法及计算机程序产品，应用于电路仿真技术领域，其中一种器件自热计算方法包括：获取待仿真电子器件的热模型和热模型参数；获取当前的温度和当前的器件仿真功率，并基于当前的温度、当前的器件仿真功率、热模型和热模型参数获取待仿真电子器件的自热解析模型；确定待仿真电子器件当前的自热初始温度和当前的仿真时长，并根据自热解析模型得到待仿真电子器件在热模型参数、当前的器件仿真功率和当前的自热初始温度的情况下，经过当前的仿真时长后由当前的温度所达到的当前的自热仿真温度。由于根据自热解析模型计算待仿真电子器件的自热，相当于基于时间的演进计算自热仿真，使得减少仿真计算量。
-
公开(公告)号：CN118965957A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410943292.6
申请日：2024-07-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/27 , G06F119/14 , G06F119/04
Abstract: 本申请提出一种半导体器件老化效应的建模方法，包括：确定能反映半导体器件老化效应的BSIM‑CMG模型特征参数；建立基于BSIM‑CMG模型特征参数的含时、含偏压依赖性的老化效应的可靠性模型；由实验获得半导体器件受老化效应影响，在多种应力下，长时间域内的IV测试数据曲线；以及采用优化算法，搭建可靠性模型参数提取框架，由受老化效应影响的半导体器件时变IV数据，直接提取参数得到基于BSIM‑CMG模型搭建的半导体器件老化效应的可靠性模型的参数，从而建立适用于对应制程下半导体器件老化效应的可靠性模型。本申请还提出一种半导体器件老化效应的仿真预测方法。
-
公开(公告)号：CN117494524A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311556535.2
申请日：2023-11-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/04
Abstract: 本申请公开了半导体器件老化仿真的快速建模方法及装置，该方法通过有限元仿真等方式确定半导体器件的自热温度信息，并获得对应的老化数据ID(VG/D,t,T)；提取与BSIM‑CMG模型特征参数，并建立老化数据ID(VG/D,t,T)与所述BSIM‑CMG模型特征参数之间的第一映射关系；建立半导体器件老化可靠性模型，提取与半导体器件老化可靠性模型相关的可靠性模型参数，并通过机器学习方法建立BSIM‑CMG模型特征参数与可靠性模型参数之间的第二映射关系；根据第一映射关系和第二映射关系，实现针对半导体器件的老化预测。本申请实现较为准确地预测老化对半导体器件的IV关系的影响，提供半导体器件电路仿真的效率和准确度，实现半导体器件的高效和精准的老化预测。
-
公开(公告)号：CN116522757A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310302731.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/27 , G06F30/36 , G06N3/044 , G06N3/08 , G06F18/214
Abstract: 本申请公开了一种基于循环神经网络的存储器建模方法和装置，首先获取待建模存储器的电参数特性数据；然后依据电参数特性数据获取电参数训练集以对循环神经网络模型进行训练；再输出完成训练的循环神经网络模型的模型网络参数；最后依据模型网络参数撰写Python脚本，以用于待建模存储器的模型卡生成。由于提出了基于循环神经网络的存储器件建模的通用方法，提出结合神经网络对存储器件进行模型构建的方法，可以加速存储器模型的建立过程，对整个工艺协同设计流程也可以起到加速作用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115271052A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210348043.3
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/063
Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
-
公开(公告)号：CN115115041A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210340931.0
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元。本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
-
公开(公告)号：CN115115041B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210340931.0
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元。本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
-
公开(公告)号：CN117875381A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410057247.0
申请日：2024-01-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/06
Abstract: 本申请涉及一种神经网络，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，电子突触电路至少包括：第一晶体管、权值单元、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络的电子设备。
-
公开(公告)号：CN112701045B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011592482.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性。其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.026 seconds)
