公开(公告)号：CN102544094A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010606167.4

申请日：2010-12-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 周旺 ,  张立宁 ,  何进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种分裂栅结构的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由分裂栅电极、源区、漏区、沟道区和栅介质层组成；其中，所述沟道区呈柱状，所述沟道区位于所述纳米线场效应晶体管的中心，构成所述沟道区的材料为半导体材料；所述栅介质层同轴全包围所述沟道区；所述分裂栅电极位于所述栅介质层之外，并同轴全包围所述栅介质层，构成所述分裂栅电极的材料为两种不同的材料；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧。分裂栅电极结构的引入能有效提高传统纳米线晶体管的开态电流，提高器件的电流开关比和工作速度。同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。

公开(公告)号：CN102544094B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201010606167.4

申请日：2010-12-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 周旺 ,  张立宁 ,  何进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种分裂栅结构的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由分裂栅电极、源区、漏区、沟道区和栅介质层组成；其中，所述沟道区呈柱状，所述沟道区位于所述纳米线场效应晶体管的中心，构成所述沟道区的材料为半导体材料；所述栅介质层同轴全包围所述沟道区；所述分裂栅电极位于所述栅介质层之外，并同轴全包围所述栅介质层，构成所述分裂栅电极的材料为两种不同的材料；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧。分裂栅电极结构的引入能有效提高传统纳米线晶体管的开态电流，提高器件的电流开关比和工作速度。同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。