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公开(公告)号：CN113050404B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110332144.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院 , 北京大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN113050404A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110332144.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院 , 北京大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN115666191A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211012677.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了提高钙钛矿太阳能电池器件稳定性的方法，包括以下步骤：步骤一，设计电池结构；步骤二，制备阴极；步骤三，制备电子传输层；步骤四，制备钙钛矿吸光层；步骤五，制备h‑BN保护层；步骤六，制备空穴传输层；步骤七，制备金属阳极；所述步骤二中，FTO导电玻璃的形状为1.5×2cm的方块，电阻为9‑10Ω，透光率为90％以上；本发明相较于现有的钙钛矿太阳能电池，通过将生长在衬底上的单层或多层的h‑BN二维材料进行图形化处理，然后采用干法转移的方式将其转移到钙钛矿薄膜表面，可以确保h‑BN薄膜完全且均匀的覆盖钙钛矿吸光层，从而有效地隔绝钙钛矿材料和空气中氧和水的接触，因而可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN115274836A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210766713.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN114383739B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210058065.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度激光波长测量装置及方法，包括工作台，所述工作台顶部中心安装有原子气室，且工作台中心两侧安装有磁场系统，工作台顶部一侧固定连接有温控系统，且工作台顶部中心两侧对称安装有第一固定杆和第二固定杆，本发明引入原子气室作为法拉第原子滤光器来进行激光测量，通过调节的磁场的大小，改变原子在磁场的能级分裂值，从而改变原子跃迁频率，继而改变滤光器的滤过频率，即通过滤光器的频率可调，在知道特定条件下的滤光器的滤过频率的情况下，通过该滤光器的激光频率同样对比得出，有利于测量不同频率的激光，同时该种设备方法的测量精度高，波长精度可达0.001nm，并且本发明的设备简单，制造成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111707870A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010585876.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压-电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻RS和栅漏串联电阻RD及其变化，从而理解和分析GaN HEMT器件大电流情形导致的电流崩塌效应，热效应和沟道表面损伤产生的栅源-栅漏表面态特征，这些参数和信息有助优化GaN HEMT的器件及电路设计和改善工作条件。
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公开(公告)号：CN117038702A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310888993.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件，包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极，源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置，且SiO2纳米核置于源接触电极、栅电机和漏接触电极中心部位，源区位于源接触电极与SiO2纳米核之间。本发明提出的环状二维MoS2晶体管器件结构结合了二维半导体材料高的载流子迁移率及环栅晶体管器件优异的栅控能力，同时利用环形结构提高沟道有效宽度Weff，从而在不牺牲器件所占面积的情况下达到提高驱动电流的目的，本发明对于继续缩小晶体管器件的尺寸，延续摩尔定律的生命具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN114383739A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210058065.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度激光测量装置及方法，包括工作台，所述工作台顶部中心安装有原子气室，且工作台中心两侧安装有磁场系统，工作台顶部一侧固定连接有温控系统，且工作台顶部中心两侧对称安装有第一固定杆和第二固定杆，本发明引入原子气室作为法拉第原子滤光器来进行激光测量，通过调节的磁场的大小，改变原子在磁场的能级分裂值，从而改变原子跃迁频率，继而改变滤光器的滤过频率，即通过滤光器的频率可调，在知道特定条件下的滤光器的滤过频率的情况下，通过该滤光器的激光频率同样对比得出，有利于测量不同频率的激光，同时该种设备方法的测量精度高，波长精度可达0.001nm，并且本发明的设备简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN119922814A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510106588.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 深圳未名少年芯科技有限公司 , 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 本发明公开了一种FPGA开发板电路及烧录方法，FPGA开发板电路包括有微处理器电路、存储器芯片和CPLD芯片，所述微处理器电路包括有具有主控芯片的主控芯片电源电路、工作指示电路、时钟电路、晶振电路、复位电路、Type‑c接口电路和JTAG接口电路。本发明可以通过用一根USB‑Type‑C数据线将开发板与电脑相连接，电脑可以将开发板识别成U盘格式，从而可以将打包好的代码文件通过拖拽的方式直接完成烧录，降低FPGA对于青少年的入门门槛，能够满足普遍开发者的一般需求，而且新型烧录方式可以说是极大程度上的简化了烧录程序，在基本开发流程不变的情况下，极大地减少了开发者的工作量，降低了入门门槛。
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公开(公告)号：CN113721444B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111042505.0
申请日：2021-09-06
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟装置和方法，涉及冷原子频标技术领域，本发明装置由内向外包括中心部分，中心部分为冷原子物理部分，外部为所需的光电部分和微波部分，其中冷原子物理由内到外包括冷原子团、光晶格、微波腔、真空系统和平凸光学谐振腔；所需的光电部分包括冷却光、再抽运光和抽运光、囚禁光、腔频探测光、滤光片、腔频探测器；本发明方法首次原创性地提出积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟的实现方案，交叉融合了自旋压缩态技术、积分球冷原子钟技术和光晶格囚禁技术，突破传统方案中标准量子噪声极限对频率稳定度限制的技术瓶颈和解决传统方案相干时间短的问题，显著提高积分球冷原子钟的频率稳定度。
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