公开(公告)号：CN102956709A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210451527.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  张爱喜 ,  梅金河 ,  杜彩霞 ,  张立宁 ,  叶韵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及双材料栅纳米线隧穿场效应器件及制造方法。该双材料栅纳米线隧穿场效应器件的中心为沟道，其两端分别设有源区、漏区，沟道外围依序覆设氧化物和栅电极。制造方法：在硅圆片上用圆形氮化硅硬掩模，SF6刻蚀出硅柱；高温氧化，HF水溶液腐蚀缩小硅柱尺寸达到直径6nm～30nm设定值，高温氧化形成设定厚度氧化层包围的硅柱；采用淀积与光刻技术完成双材料栅结构的制备；分别在120°~150°注入1×1020cm-2/10keV和5×1018cm-2/10keV的硼和磷，在900℃/10s~1100℃/10s退火制备源区和漏区；CMOS工艺完成金属电极制备；制成双材料栅纳米线隧穿场效应器件。

公开(公告)号：CN102956709B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210451527.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  张爱喜 ,  梅金河 ,  杜彩霞 ,  张立宁 ,  叶韵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及双材料栅纳米线隧穿场效应器件及制造方法。该双材料栅纳米线隧穿场效应器件的中心为沟道，其两端分别设有源区、漏区，沟道外围依序覆设氧化物和栅电极。制造方法：在硅圆片上用圆形氮化硅硬掩模，SF6刻蚀出硅柱；高温氧化，HF水溶液腐蚀缩小硅柱尺寸达到直径6nm～30nm设定值，高温氧化形成设定厚度氧化层包围的硅柱；采用淀积与光刻技术完成双材料栅结构的制备；分别在120°~150°注入1×1020cm-2/10keV和5×1018cm-2/10keV的硼和磷，在900℃/10s~1100℃/10s退火制备源区和漏区；CMOS工艺完成金属电极制备；制成双材料栅纳米线隧穿场效应器件。