公开(公告)号：CN101740619B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810226509.2

申请日：2008-11-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 何进 ,  张立宁 ,  张健 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种纳米线场效应晶体管。该晶体管是由栅电极、源区、漏区、中心区和栅介质层组成；其中，中心区为芯-壳结构，该芯-壳结构同轴；栅介质层全包围中心区，栅电极全包围栅介质层；源区和漏区分别位于中心区的两侧。其中，中心区的芯结构为绝缘体材料，壳结构为半导体材料；该壳结构材料的掺杂类型及掺杂浓度可调。该芯-壳结构的长度、壳半径以及芯半径可调；另外，该晶体管中，栅介质层、栅电极层、源区和漏区的材料均可调，栅介质层的厚度、源区和漏区材料的掺杂类型及掺杂浓度均可调。绝缘体芯结构的引入能有效降低传统纳米线晶体管的关态电流，提高器件的电流开关比，同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。

公开(公告)号：CN119815902A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411881254.9

申请日：2024-12-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  张立宁 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，基于第一部分，形成至少一个第一晶体管，第一晶体管包括：沿第二方向依次排布的第一漏极结构、第一栅极结构和第一源极结构；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成至少一个第二晶体管，第二晶体管包括：沿第二方向依次排布的第二漏极结构、第二栅极结构和第二源极结构；第二栅极结构与第一漏极结构沿第一方向堆叠，第二漏极结构与第一栅极结构沿第一方向堆叠；形成连通第二漏极结构和第一栅极结构的第一金属互连通孔，以及形成连通第二栅极结构与第一漏极结构的第二金属互连通孔。

公开(公告)号：CN102544094A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010606167.4

申请日：2010-12-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 周旺 ,  张立宁 ,  何进

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种分裂栅结构的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由分裂栅电极、源区、漏区、沟道区和栅介质层组成；其中，所述沟道区呈柱状，所述沟道区位于所述纳米线场效应晶体管的中心，构成所述沟道区的材料为半导体材料；所述栅介质层同轴全包围所述沟道区；所述分裂栅电极位于所述栅介质层之外，并同轴全包围所述栅介质层，构成所述分裂栅电极的材料为两种不同的材料；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧。分裂栅电极结构的引入能有效提高传统纳米线晶体管的开态电流，提高器件的电流开关比和工作速度。同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。

公开(公告)号：CN101740619A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810226509.2

申请日：2008-11-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 何进 ,  张立宁 ,  张健 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种纳米线场效应晶体管。该晶体管是由栅电极、源区、漏区、中心区和栅介质层组成；其中，中心区为芯-壳结构，该芯-壳结构同轴；栅介质层全包围中心区，栅电极全包围栅介质层；源区和漏区分别位于中心区的两侧。其中，中心区的芯结构为绝缘体材料，壳结构为半导体材料；该壳结构材料的掺杂类型及掺杂浓度可调。该芯-壳结构的长度、壳半径以及芯半径可调；另外，该晶体管中，栅介质层、栅电极层、源区和漏区的材料均可调，栅介质层的厚度、源区和漏区材料的掺杂类型及掺杂浓度均可调。绝缘体芯结构的引入能有效降低传统纳米线晶体管的关态电流，提高器件的电流开关比，同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。

公开(公告)号：CN115146770B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202210870776.3

申请日：2022-07-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  冯宁 ,  刘保良 ,  黄如

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/06 ,  G06N3/0464

Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络电路。本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。

公开(公告)号：CN119397751A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411417369.2

申请日：2024-10-11

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  李宇 ,  陈思豪 ,  王润声 ,  黄如

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/367 ,  G06F119/08

Abstract: 一种器件自热计算、电路仿真方法及计算机程序产品，应用于电路仿真技术领域，其中一种器件自热计算方法包括：获取待仿真电子器件的热模型和热模型参数；获取当前的温度和当前的器件仿真功率，并基于当前的温度、当前的器件仿真功率、热模型和热模型参数获取待仿真电子器件的自热解析模型；确定待仿真电子器件当前的自热初始温度和当前的仿真时长，并根据自热解析模型得到待仿真电子器件在热模型参数、当前的器件仿真功率和当前的自热初始温度的情况下，经过当前的仿真时长后由当前的温度所达到的当前的自热仿真温度。由于根据自热解析模型计算待仿真电子器件的自热，相当于基于时间的演进计算自热仿真，使得减少仿真计算量。

公开(公告)号：CN118965957A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410943292.6

申请日：2024-07-15

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  沈聪 ,  李宇 ,  王润声

IPC: G06F30/27 ,  G06F119/14 ,  G06F119/04

Abstract: 本申请提出一种半导体器件老化效应的建模方法，包括：确定能反映半导体器件老化效应的BSIM‑CMG模型特征参数；建立基于BSIM‑CMG模型特征参数的含时、含偏压依赖性的老化效应的可靠性模型；由实验获得半导体器件受老化效应影响，在多种应力下，长时间域内的IV测试数据曲线；以及采用优化算法，搭建可靠性模型参数提取框架，由受老化效应影响的半导体器件时变IV数据，直接提取参数得到基于BSIM‑CMG模型搭建的半导体器件老化效应的可靠性模型的参数，从而建立适用于对应制程下半导体器件老化效应的可靠性模型。本申请还提出一种半导体器件老化效应的仿真预测方法。

公开(公告)号：CN117494524A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311556535.2

申请日：2023-11-20

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  沈聪 ,  李宇 ,  王润声

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06F119/02 ,  G06F119/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本申请公开了半导体器件老化仿真的快速建模方法及装置，该方法通过有限元仿真等方式确定半导体器件的自热温度信息，并获得对应的老化数据ID(VG/D,t,T)；提取与BSIM‑CMG模型特征参数，并建立老化数据ID(VG/D,t,T)与所述BSIM‑CMG模型特征参数之间的第一映射关系；建立半导体器件老化可靠性模型，提取与半导体器件老化可靠性模型相关的可靠性模型参数，并通过机器学习方法建立BSIM‑CMG模型特征参数与可靠性模型参数之间的第二映射关系；根据第一映射关系和第二映射关系，实现针对半导体器件的老化预测。本申请实现较为准确地预测老化对半导体器件的IV关系的影响，提供半导体器件电路仿真的效率和准确度，实现半导体器件的高效和精准的老化预测。

公开(公告)号：CN116522757A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310302731.0

申请日：2023-03-27

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  容钊 ,  戴午 ,  黄如

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/36 ,  G06N3/044 ,  G06N3/08 ,  G06F18/214

Abstract: 本申请公开了一种基于循环神经网络的存储器建模方法和装置，首先获取待建模存储器的电参数特性数据；然后依据电参数特性数据获取电参数训练集以对循环神经网络模型进行训练；再输出完成训练的循环神经网络模型的模型网络参数；最后依据模型网络参数撰写Python脚本，以用于待建模存储器的模型卡生成。由于提出了基于循环神经网络的存储器件建模的通用方法，提出结合神经网络对存储器件进行模型构建的方法，可以加速存储器模型的建立过程，对整个工艺协同设计流程也可以起到加速作用。

公开(公告)号：CN115271052A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210348043.3

申请日：2022-03-28

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  刘保良 ,  陈旭辉 ,  彭宝康 ,  黄如

IPC: G06N3/063

Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。