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公开(公告)号：CN103224231A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310143181.9
申请日：2013-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，属于材料加工领域。该方法针对化学气相沉积法(CVD)在镍等金属薄膜上制备的石墨烯，利用稀酸溶液与金属衬底发生反应生成的氢气气泡分离石墨烯层和金属衬底。该方法无需在石墨烯上层覆盖PMMA等聚合物转移载体，因此不会引入聚合物污染物，并可大幅减少石墨烯表面的破损，且剥离过程是由于通过酸性溶液与金属薄膜之间直接的化学反应，可实现金属薄膜上、下表面的石墨烯同时与金属薄膜分离，效率高，无需外接电源、无需利用电化学反应。操作工艺简便，不涉及有害化学物质。并可以多次重复使用金属衬底，大幅降低成本。本发明在大规模制备石墨烯的工业领域中具有较大应用价值。
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公开(公告)号：CN103208685A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310126329.8
申请日：2013-04-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀石墨烯电极及其制备方法和应用，属于电子器件领域。该耐腐蚀石墨烯电极是利用化学气相沉积法在铜或镍等金属电极的表面覆盖石墨烯层，形成石墨烯-金属复合结构作为电极。由于石墨烯具有良好的结构特、电学和热学特性，该石墨烯-金属复合结构具有较强的抗氧化、抗腐蚀能力，导电性良好，机械强度高，耐磨损等特点。同时制备工艺简单，成本低廉，是替代贵金属插座、插头及电极的理想材料。
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公开(公告)号：CN1600901A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03134816.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/465
Abstract: 一种多晶硅栅刻蚀的方法及基于该方法的ICP刻蚀条件来制备超细线条的方法。具体是在硅衬底上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；再通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的胶层；用对设备危害很小的SF6气体进行ICP刻蚀，通过调节ICP刻蚀参数，刻蚀多晶硅，在保证刻蚀垂直度的同时，提高多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比，防止了在制备超薄体器件时，出现的穿通现象。本发明通过结合电子束曝光、灰化工艺，基于上述ICP刻蚀条件，调节ICP刻蚀的控制参数，通过过刻蚀获得垂直度高的30纳米的超细线条。
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公开(公告)号：CN113380697A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110493173.1
申请日：2021-05-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/26 , C23C28/00
Abstract: 本发明专利公开了一种基于溴插层多层石墨烯或石墨薄膜的碳基器件和电路结构的制备方法，在低功耗器件、超密集和超薄集成电路等领域具有应用前景。本发明通过对多层石墨烯或者石墨薄膜进行溴插层处理，提高了材料的电导性能。其中，导电通道为溴插层处理后再经过减薄的单层或双层石墨烯，溴被封装在单层或双层石墨烯与衬底之间或是双层石墨烯片层间，提高了沟道的导电性能。本发明通过图形化单片石墨烯或者石墨薄膜的方式，同时制备器件和电极以及局部互联线，极大地降低了器件和电路中的接触电阻，并且这种电路结构中的局部互联线不需要其他材料，从而简化了生产中的工艺制造过程。而且本发明中的制备工艺也可以与目前主流的半导体加工工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN112038487A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010772285.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105698953B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410709659.4
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01K7/04
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯无源热电偶的微纳尺度温度探测方法，该测试方法基于石墨烯的赛贝克系数可以调节，用石墨烯一种材料，制备传统上需要两种材料才可以制备的热电偶器件，实现温度探测。本发明同时避免传统的利用外加电压调制石墨烯赛贝克系数的方式，直接通过不同功函数的金属接触，使得不同区域的石墨烯赛贝克系数不同。本发明既可以直接集成在芯片上原位测量，也可以集成在探针头上，用于扫描不同样品的温度梯度。
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公开(公告)号：CN105668503B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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公开(公告)号：CN105823782A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN105702663A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410709623.6
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、金属信号线、水平的屏蔽层、竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通孔，其核心在于屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯及其在集成电路中的独特结构设计。本发明屏蔽层采用的二维材料厚度小，可显著降低同层内多个金属信号线间的层内串扰，又可降低不同层之间金属信号线间的层间串扰，且其制备与传统CMOS工艺相兼容，并且与三维集成电路技术的工艺、要求与发展趋势相适应。
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公开(公告)号：CN105668503A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00349 , B81C1/00404 , B81C1/00531 , B81C2201/01 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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