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公开(公告)号：CN103903961A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410145622.3
申请日：2014-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/45525 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E-4至1E-7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。
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公开(公告)号：CN102623508B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210113271.9
申请日：2012-04-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包括柔性衬底，在所述柔性衬底上设有源漏电极，以及连接源漏电极的石墨烯材料，在石墨烯材料上设有一裹着介质层的氧化锌纳米线，所述石墨烯材料作为沟道，所述氧化锌纳米线作为栅电极。本发明压电场效应晶体管通过施加外力来控制晶体管的工作状态。施加外力的方法有多种，可以人为手动施加，或通过超声的方法施加以及可以通过生物组织的振动(如心脏的跳动等)来施加。
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公开(公告)号：CN102689897B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210213139.5
申请日：2012-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法，该方法首先制备石墨烯，并将其放置在耐高温衬底上或者悬空；然后在石墨烯表面淀积单个金属原子或由若干原子组成的金属原子簇；单金属原子或原子簇金属在设定温度400℃~800℃和Ar/H2氛围下刻蚀石墨烯，形成原子尺度石墨烯沟槽，随后自然冷却至室温后取出，并保存在干燥、真空或超净环境内。本发明刻蚀形成的石墨烯槽具有原子尺度平整的边缘，而且边缘手性一致，减小了边缘缺陷对石墨烯性能的影响。
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公开(公告)号：CN102709332A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210153652.X
申请日：2012-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H03K19/08
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构，属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构，或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构，对该单层石墨烯纳米结构进行n型或p型掺杂。本发明可根据所需要的器件的功能设计石墨烯图形以实现特定的能带结构。本发明进一步提供了二极管器件组成的基本的逻辑门进而可以形成整个逻辑电路。
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公开(公告)号：CN102646575A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210113193.2
申请日：2012-04-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种二氧化硅表面图形加工的方法，属于集成电路表面加工技术领域。该方法包括：在二氧化硅衬底上形成图形化的石墨烯层，并在石墨烯层上再沉积一层二氧化硅薄膜，随后用氢氟酸溶液刻蚀掉二氧化硅薄膜，即可在二氧化硅衬底上形成形状与石墨烯相同的刻蚀图案。本发明利用石墨烯增强刻蚀特性，在室温下在二氧化硅表面形成图形，其形状取决于石墨烯的形状；图形的位置可通过预先调整石墨烯的位置来控制，图形的边缘展宽和深度可通过控制刻蚀时间和石墨烯的层数来控制。本发明技术与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、低成本的二氧化硅表面图形的加工。
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公开(公告)号：CN102339735A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110308804.4
申请日：2011-10-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体管的制备方法，该方法将置于纳米尺度沟槽内的碳纳米管作为栅电极，利用空气作栅介质，将机械剥离、CVD技术或用其它生长方法制备的石墨烯转移至碳纳米管所在沟槽的上方，则可制得沟道长度接近碳纳米管直径的、碳纳米管作为栅电极的单栅或多栅石墨烯晶体管结构。本发明利用碳纳米管和石墨烯的结合，实现全碳结构的新型晶体管。
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公开(公告)号：CN102285631A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110153728.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法，属于纳米加工技术领域。该方法具体包括：将石墨或石墨烯解离露出新鲜的表面并放置于原子力显微镜样品台上，石墨或石墨烯一端通过导线接地；用原子力显微镜扫描石墨或石墨烯表面并选取待刻蚀的区域；将原子力显微镜的针尖逼近石墨或石墨烯表面，设置扫描范围，进入扫描状态，同时在针尖上加负电压，当针尖处于多针尖状态，刻蚀石墨或石墨烯表面形成沟槽，从而得到所设计的加工图形。本发明利用多针尖效应，可以通过一次刻蚀得到两条或多条间距极窄的刻蚀沟槽。
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公开(公告)号：CN103943925B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410116434.8
申请日：2014-03-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种全碳同轴线及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明利用石墨烯为单原子层厚，将石墨烯卷作圆柱体，构成半径很小（可以小到nm级别）的同轴线的内导体，同轴线内导体传导电流，同时，用单层或多层石墨烯来做同轴线的外导体构成电磁波在空间中的边界，利用氧化石墨来做内导体和外导体之间的介质材料，约束、引导电磁波能量的定向传输。本发明制得的同轴线的尺寸非常小，可以适用于射频、微波集成电路。
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公开(公告)号：CN103224232B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310143368.9
申请日：2013-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米孔洞的制备方法，属于薄膜材料微纳加工领域领域。该方法采用化学气象沉积法(CVD)在金属铜薄膜上制备石墨烯，利用石墨烯表面本征的缺陷结构制备石墨烯纳米孔洞，其孔径大小可为几纳米至数百纳米。该石墨烯纳米孔洞具有精度高、孔洞深度在单原子水平、便于化学修饰、可导电、使用寿命长、成本低廉等诸多优点。本发明将在单分子检测、电化学操控、生物识别等领域具有较大应用。
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公开(公告)号：CN102285631B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110153728.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法，属于纳米加工技术领域。该方法具体包括：将石墨或石墨烯解离露出新鲜的表面并放置于原子力显微镜样品台上，石墨或石墨烯一端通过导线接地；用原子力显微镜扫描石墨或石墨烯表面并选取待刻蚀的区域；将原子力显微镜的针尖逼近石墨或石墨烯表面，设置扫描范围，进入扫描状态，同时在针尖上加负电压，当针尖处于多针尖状态，刻蚀石墨或石墨烯表面形成沟槽，从而得到所设计的加工图形。本发明利用多针尖效应，可以通过一次刻蚀得到两条或多条间距极窄的刻蚀沟槽。
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