公开(公告)号：CN113380697A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110493173.1

申请日：2021-05-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 于学敏 ,  田仲政 ,  李慕禅 ,  于大程 ,  任中阳 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C16/26 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明专利公开了一种基于溴插层多层石墨烯或石墨薄膜的碳基器件和电路结构的制备方法，在低功耗器件、超密集和超薄集成电路等领域具有应用前景。本发明通过对多层石墨烯或者石墨薄膜进行溴插层处理，提高了材料的电导性能。其中，导电通道为溴插层处理后再经过减薄的单层或双层石墨烯，溴被封装在单层或双层石墨烯与衬底之间或是双层石墨烯片层间，提高了沟道的导电性能。本发明通过图形化单片石墨烯或者石墨薄膜的方式，同时制备器件和电极以及局部互联线，极大地降低了器件和电路中的接触电阻，并且这种电路结构中的局部互联线不需要其他材料，从而简化了生产中的工艺制造过程。而且本发明中的制备工艺也可以与目前主流的半导体加工工艺相兼容。