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公开(公告)号：CN1302558C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN03105084.0
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种短沟道特性得到改善的场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。本发明的场效应晶体管可以很好地抑制器件的DIBL效应，大大降低器件的阈值电压漂移和关态泄漏电流，提高器件的电流开关比，表现出了优于常规结构场效应晶体管的特性，改善了器件的短沟道性能，具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN1523674A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03104666.5
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的制作。本发明的技术方案是：一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在衬底的两端置有所述源端和漏端，在源端和漏端之间的衬底上置有栅氧化层，栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。本发明非对称栅场效应晶体管在特征尺寸缩小以后，仍然可以有效地抑制器件的DIBL效应，改善器件的短沟道特性，是深亚微米器件的一个很好选择。
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公开(公告)号：CN1246498C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN03134816.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/465
Abstract: 一种多晶硅栅刻蚀的方法及基于该方法的ICP刻蚀条件来制备超细线条的方法。具体是在硅衬底上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；再通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的胶层；用对设备危害很小的SF6气体进行ICP刻蚀，通过调节ICP刻蚀参数，刻蚀多晶硅，在保证刻蚀垂直度的同时，提高多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比，防止了在制备超薄体器件时，出现的穿通现象。本发明通过结合电子束曝光、灰化工艺，基于上述ICP刻蚀条件，调节ICP刻蚀的控制参数，通过过刻蚀获得垂直度高的30纳米的超细线条。
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公开(公告)号：CN1269222C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03104666.5
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的制作。本发明所提供的非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源区、漏区和衬底在内的场效应晶体管本体，在所述衬底的两端置有所述源区和漏区，在所述源区和漏区之间的衬底上置有所述栅氧化层，所述栅氧化层分为两部分，一部分靠近源区，一部分靠近漏区，所述靠近源区的栅氧化层厚度和靠近漏区的栅氧化层厚度之比为tox1/tox2＝2∶1。本发明非对称栅场效应晶体管在特征尺寸缩小以后，仍然可以有效地抑制器件的DIBL效应，改善器件的短沟道特性，是深亚微米器件的一个很好选择。
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公开(公告)号：CN1274030C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN03104662.2
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚膜SOI场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜SOI场效应晶体管的本体，在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。本发明不仅克服了厚膜SOI场效应晶体管所固有的Kink效应，器件的驱动电流也大大增加，使得器件工作速度大大提高。异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置有较大波动，为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1600901A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03134816.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/02 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/465
Abstract: 一种多晶硅栅刻蚀的方法及基于该方法的ICP刻蚀条件来制备超细线条的方法。具体是在硅衬底上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；再通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的胶层；用对设备危害很小的SF6气体进行ICP刻蚀，通过调节ICP刻蚀参数，刻蚀多晶硅，在保证刻蚀垂直度的同时，提高多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比，防止了在制备超薄体器件时，出现的穿通现象。本发明通过结合电子束曝光、灰化工艺，基于上述ICP刻蚀条件，调节ICP刻蚀的控制参数，通过过刻蚀获得垂直度高的30纳米的超细线条。
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公开(公告)号：CN1274029C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN03105085.9
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，mpolypoly结构和mpolym结构的由DIBL效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。
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公开(公告)号：CN1527399A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03105084.0
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种短沟道特性得到改善的场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。本发明的场效应晶体管可以很好地抑制器件的DIBL效应，大大降低器件的阈值电压漂移和关态泄漏电流，提高器件的电流开关比，表现出了优于常规结构场效应晶体管的特性，改善了器件的短沟道性能，具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN1527398A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03105085.9
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，mpolypoly结构和mpolym结构的由DIBL效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。
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公开(公告)号：CN1523678A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03104662.2
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚膜SOI场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜SOI场效应晶体管的本体，在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。本发明不仅克服了厚膜SOI场效应晶体管所固有的Kink效应，器件的驱动电流也大大增加，使得器件工作速度大大提高。异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置有较大波动，为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间。
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