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公开(公告)号：CN112038487A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010772285.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
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公开(公告)号：CN118900618A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410826451.4
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种制备柔性自旋阀的方法，属于磁电子学技术领域。本发明利用PI为载体，采用磁性颗粒或反磁性颗粒为掺杂物，并利用激光诱导石墨烯工艺，逐层制备铁磁性、反铁磁性等柔性薄膜从而构建柔性自旋阀器件。本发明由于制备的薄膜均属于柔性材料，其抗弯折能力有明显的提升，采用本发明可以大规模制备自旋阀，为磁性电子器件的制备提供了新思路。
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公开(公告)号：CN114283867B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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公开(公告)号：CN112259680A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011078540.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
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公开(公告)号：CN118431265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517088.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属纳米间隙的原子尺度栅控开关器件的实现方法，属于纳电子学领域。本发明利用金属纳米间隙和悬空桥制备原子尺度的可栅控开关器件，再采用半导体参数分析仪及脉冲发生器，通过调控栅压的正负实现器件的导通和断开。本发明不需要使用电解质，便于制备和集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117529213A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311514010.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米或者原子尺度自旋阀的制备方法，该方法首先在衬底表面制备缓冲层和金属电极，然后基于邻近效应光刻法制备磁性金属点接触器件，将器件置于真空探针台，利用电流反馈控制法制备原子尺度点接触结构，并且通过自然氧化制备出磁阻效应高达40％的磁隧道结，从而得到纳米或者原子尺度自旋阀。本发明提出的制备方法可以有效控制原子接触点的接触宽度，相较于现有技术，本发明减小了自旋阀结构的复杂性，并且在一定程度上降低了器件功耗。本发明制备方法简单，磁隧道结的磁阻较大，并且与传统的CMOS工艺兼容，为后续器件的集成提供了有利条件。
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公开(公告)号：CN117420330A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311213573.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，属于纳电子学领域。本发明将金属纳米线或纳米带先预制成两端器件，利用焦耳热对金属纳米线进行退火，并经电学预备操作稳定纳米线表面的初始形貌，然后采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米线进行电流‑电压(I‑V)扫描，通过监控纳米线的R‑V曲线的瞬态斜率和电阻增加的幅度，将纳米线表面的三维金属凸起物调控至所需的形貌和高度。
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公开(公告)号：CN116929868A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210359227.X
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在衬底上制备硒化铋薄膜，使用电学设备，使硒化铋在高电流作用下发生初始断裂，产生横向裂纹，在横向裂纹中确定物质桥位置；继续升高施加在硒化铋薄膜沟道两侧的电压，对硒化铋沟道扫描范围从0V开始，最大电压10～100V，使物质桥发生熔断，分形裂纹从物质桥处开始延展，通过施加更高电压的I‑V扫描，控制硒化铋薄膜分形裂纹。本发明使用纯电学方法来控制硒化铋薄膜分形断裂，速度快，工艺简单。
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公开(公告)号：CN112259680B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011078540.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
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公开(公告)号：CN114283867A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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