公开(公告)号：CN105702663A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410709623.6

申请日：2014-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦樵风 ,  王紫东 ,  贾越辉 ,  彭沛 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、金属信号线、水平的屏蔽层、竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通孔，其核心在于屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯及其在集成电路中的独特结构设计。本发明屏蔽层采用的二维材料厚度小，可显著降低同层内多个金属信号线间的层内串扰，又可降低不同层之间金属信号线间的层间串扰，且其制备与传统CMOS工艺相兼容，并且与三维集成电路技术的工艺、要求与发展趋势相适应。

公开(公告)号：CN105703045A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410708592.2

申请日：2014-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦樵风 ,  王紫东 ,  贾越辉 ,  彭沛 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01P1/22

Abstract: 本发明公开了一种微波衰减器，属于微波无源器件技术领域。该微波衰减器包括衬底、电介质层、金属导线、金属地线与薄膜电阻，所述薄膜电阻为单层石墨烯。本发明所提出的微波衰减器结构体积小，易于集成，工作频带宽，既可作为固定衰减器又可作为可变衰减器，也可实现电控或光控可变衰减器。