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公开(公告)号：CN105819429A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610136419.9
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种无褶皱石墨烯的制备方法，该方法利用控制铜金属催化剂的晶体学取向，获得整体或局部为低指数面(如：(001)取向)的铜箔，经化学气相沉积(CVD)生长石墨烯后，可获得表面没有台阶的石墨烯/铜箔样品，去除铜衬底并转移到其它绝缘衬底后获得无褶皱的石墨烯样品。此方法可以得到无褶皱单层石墨烯样品，其面积大小取决于铜箔上低指数晶面的尺寸，此技术为研制石墨烯器件提供高质量的石墨烯薄膜材料。
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公开(公告)号：CN105668503B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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公开(公告)号：CN105823782A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN105668503A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00349 , B81C1/00404 , B81C1/00531 , B81C2201/01 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560385A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310451285.6
申请日：2013-09-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01S3/083
CPC classification number: H01S3/169 , G02B6/12007 , G02B6/1226 , H01S3/083
Abstract: 本申请公开了一种光学谐振器,包括金属层和高折射率介质层，高折射率介质层的材料为能产生表面等离子体的材料，金属层形成在高折射率介质层之上，金属层平行于高折射率介质层的横截面为环形，金属层最靠近高折射率介质层的横截面落在所述高折射率介质层所形成的范围之内。本申请的光学谐振器中，由于高折射率介质层具有环形结构，光场在该环形结构中谐振，环形的谐振腔使得光场有较强的束缚能力；而且，由于光场被限制在低折射率介质层，并循环传播，可以有效的减小器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN105301909B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510607590.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。
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公开(公告)号：CN105823782B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN105629682A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610111722.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用，该方法利用较高能量激光束照射或扫描薄膜的方法，在激光束下照射时，激光束与碳基材料薄膜样品表面的光刻胶之间会发生相互作用，使光刻胶分子中C-H、C-C键断裂，形成小分子并具有较高能量，使光刻胶分子发生溅射和横向移动，脱离原来位置。同时，激光轰击导致样品表面产生热量，使光刻胶分子发生团聚和蒸发。本发明能够去除碳基材料薄膜样品表面光刻胶等聚合物残留，并确保不破坏材料晶格结构，获得薄膜样品本征特性，使器件电学性能大大提高。
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公开(公告)号：CN105301909A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510607590.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。
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