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公开(公告)号：CN113380697A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110493173.1
申请日：2021-05-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/26 , C23C28/00
Abstract: 本发明专利公开了一种基于溴插层多层石墨烯或石墨薄膜的碳基器件和电路结构的制备方法，在低功耗器件、超密集和超薄集成电路等领域具有应用前景。本发明通过对多层石墨烯或者石墨薄膜进行溴插层处理，提高了材料的电导性能。其中，导电通道为溴插层处理后再经过减薄的单层或双层石墨烯，溴被封装在单层或双层石墨烯与衬底之间或是双层石墨烯片层间，提高了沟道的导电性能。本发明通过图形化单片石墨烯或者石墨薄膜的方式，同时制备器件和电极以及局部互联线，极大地降低了器件和电路中的接触电阻，并且这种电路结构中的局部互联线不需要其他材料，从而简化了生产中的工艺制造过程。而且本发明中的制备工艺也可以与目前主流的半导体加工工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN112038487A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010772285.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
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公开(公告)号：CN105668503B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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公开(公告)号：CN105823782A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN105668503A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00349 , B81C1/00404 , B81C1/00531 , B81C2201/01 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110211881B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910417221.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/16
Abstract: 本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构：紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶体管可产生M形电阻特性曲线，并且通过选择这两种栅金属的种类和相对长度可实现对M形电阻特性曲线形状的可控调节。
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公开(公告)号：CN108615809B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN105301909B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510607590.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。
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公开(公告)号：CN105823782B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN108615809A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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