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公开(公告)号：CN105698953B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410709659.4
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01K7/04
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯无源热电偶的微纳尺度温度探测方法，该测试方法基于石墨烯的赛贝克系数可以调节，用石墨烯一种材料，制备传统上需要两种材料才可以制备的热电偶器件，实现温度探测。本发明同时避免传统的利用外加电压调制石墨烯赛贝克系数的方式，直接通过不同功函数的金属接触，使得不同区域的石墨烯赛贝克系数不同。本发明既可以直接集成在芯片上原位测量，也可以集成在探针头上，用于扫描不同样品的温度梯度。
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公开(公告)号：CN105668503B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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公开(公告)号：CN105823782A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
CPC classification number: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN105702663A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410709623.6
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、金属信号线、水平的屏蔽层、竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通孔，其核心在于屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯及其在集成电路中的独特结构设计。本发明屏蔽层采用的二维材料厚度小，可显著降低同层内多个金属信号线间的层内串扰，又可降低不同层之间金属信号线间的层间串扰，且其制备与传统CMOS工艺相兼容，并且与三维集成电路技术的工艺、要求与发展趋势相适应。
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公开(公告)号：CN105668503A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610137385.5
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00349 , B81C1/00404 , B81C1/00531 , B81C2201/01 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615809B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN105301909B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510607590.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。
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公开(公告)号：CN105823782B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN108615809A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN106877525A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611078757.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热电材料的无线充电方法及设备。该技术利用吸波材料对电磁波进行吸收，使吸收的电磁波能量转换为热能；选择合适的热电材料并将吸波材料紧贴在热电材料的一端，则热电材料中与吸波材料紧贴的一端的温度升高，并在该热电材料中形成温度梯度，该温度梯度将在热电材料的两端形成热电电动势，从而可以对电池充电。相对于传统的无线充电技术，本发明的无线充电技术可以兼有充电距离远、电磁波适用频带宽、待充电设备体积小以及可同时为多设备充电等优势。
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