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公开(公告)号：CN118900618A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410826451.4
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种制备柔性自旋阀的方法，属于磁电子学技术领域。本发明利用PI为载体，采用磁性颗粒或反磁性颗粒为掺杂物，并利用激光诱导石墨烯工艺，逐层制备铁磁性、反铁磁性等柔性薄膜从而构建柔性自旋阀器件。本发明由于制备的薄膜均属于柔性材料，其抗弯折能力有明显的提升，采用本发明可以大规模制备自旋阀，为磁性电子器件的制备提供了新思路。
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公开(公告)号：CN114283867B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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公开(公告)号：CN113380697A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110493173.1
申请日：2021-05-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/26 , C23C28/00
Abstract: 本发明专利公开了一种基于溴插层多层石墨烯或石墨薄膜的碳基器件和电路结构的制备方法，在低功耗器件、超密集和超薄集成电路等领域具有应用前景。本发明通过对多层石墨烯或者石墨薄膜进行溴插层处理，提高了材料的电导性能。其中，导电通道为溴插层处理后再经过减薄的单层或双层石墨烯，溴被封装在单层或双层石墨烯与衬底之间或是双层石墨烯片层间，提高了沟道的导电性能。本发明通过图形化单片石墨烯或者石墨薄膜的方式，同时制备器件和电极以及局部互联线，极大地降低了器件和电路中的接触电阻，并且这种电路结构中的局部互联线不需要其他材料，从而简化了生产中的工艺制造过程。而且本发明中的制备工艺也可以与目前主流的半导体加工工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN118387831A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410489049.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种超低功耗控制金属纳米材料表面凸起物的方法，属于纳电子学领域。本发明将中间间隙为纳米尺度的金属电极对先预制成两端器件，采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米间隙进行电流‑电压(I‑V)扫描，然后将电流限流在pA量级，实现纳米线表面的三维金属凸起物的产生和消失。本发明可以实现三维纳米尺度的金属结构在纳电子学领域中的应用。
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公开(公告)号：CN116936625A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210360115.6
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明公布了一种多量子点结构的制备方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法通过对金属纳米带的几何形状进行设计，控制电迁移主要发生的位置，再利用电流焦耳热驱动的电迁移，调整电迁移过程中的电压、电流等电学参数，使发生迁移的一部分原子与既有结构断开连接，并且控制其平均原子量，从而制备出多量子点结构。本发明可以在一次制备过程中，形成彼此间距离仅数埃至数纳米的多量子点结构，量子点的直径从数埃至数纳米，因量子尺寸限域效应，量子点的能级会分裂而存在能隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116936624A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210360109.0
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明公布了一种基于金属隧穿结的可栅控开关器件的实现方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在隧穿结结构之外，引入一个开关控制电极，开关控制电极经由介质或空气与隧穿结隔开，实现电绝缘。在开关控制电极上施加电压，则开关控制电极与隧穿结之间也会形成电场。因开关控制电极电场的引入，改变了隧穿结表面的电场分布，产生了垂直于沟道方向的电场分量。垂直沟道方向的电场分量，对隧穿结表面的原子同样也有库仑力作用，可使原子沿垂直于沟道方向迁移，使得原本停留在隧穿电极对尖端的原子，将会向两侧移动，而离开尖端位置，从而实现了通过开关控制电极控制隧穿结电流大小的目的，实现了可栅控开关。
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公开(公告)号：CN114335335A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111499525.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公布了一种调节金属隧穿结中的间隙距离的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法利用激光照射的I‑V扫描方法，高精度控制金属隧穿结中的间隙距离。本发明可以在相当大的范围内进行调节隧穿间隙距离，可以有效控制隧穿结的电学性能。激光照射方法对隧穿结样品温和，调节过程没有损伤，属于无损方法。通过探针台、支架和光路、调焦等外围支持系统的配合，可以对制备在不同材料的衬底上的隧穿结样品进行调节，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN118431265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517088.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属纳米间隙的原子尺度栅控开关器件的实现方法，属于纳电子学领域。本发明利用金属纳米间隙和悬空桥制备原子尺度的可栅控开关器件，再采用半导体参数分析仪及脉冲发生器，通过调控栅压的正负实现器件的导通和断开。本发明不需要使用电解质，便于制备和集成。
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公开(公告)号：CN117529213A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311514010.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米或者原子尺度自旋阀的制备方法，该方法首先在衬底表面制备缓冲层和金属电极，然后基于邻近效应光刻法制备磁性金属点接触器件，将器件置于真空探针台，利用电流反馈控制法制备原子尺度点接触结构，并且通过自然氧化制备出磁阻效应高达40％的磁隧道结，从而得到纳米或者原子尺度自旋阀。本发明提出的制备方法可以有效控制原子接触点的接触宽度，相较于现有技术，本发明减小了自旋阀结构的复杂性，并且在一定程度上降低了器件功耗。本发明制备方法简单，磁隧道结的磁阻较大，并且与传统的CMOS工艺兼容，为后续器件的集成提供了有利条件。
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公开(公告)号：CN117420330A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311213573.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，属于纳电子学领域。本发明将金属纳米线或纳米带先预制成两端器件，利用焦耳热对金属纳米线进行退火，并经电学预备操作稳定纳米线表面的初始形貌，然后采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米线进行电流‑电压(I‑V)扫描，通过监控纳米线的R‑V曲线的瞬态斜率和电阻增加的幅度，将纳米线表面的三维金属凸起物调控至所需的形貌和高度。
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