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公开(公告)号：CN114253092B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202011019884.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，第二套刻标记包括多个方型标记；所述十字型限定出四个空间，四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记。由于采用呈十字型的套刻标记和方型的套刻标记，与实际图案的形态一样，因此可以节省单独设计套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致。通过在十字型限定出的四个空间中的至少三个空间均设置一个方型的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度。
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公开(公告)号：CN111830793B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010575069.2
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统，该方法包括：生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。本申请提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112090890B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010752074.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备，光刻胶收集杯清理方法包括预清洗步骤：启动位于光刻胶收集杯内侧的旋转片和位于旋转片下方的清洗液喷嘴，控制清洗液喷嘴向旋转片喷洒清洗液，使清洗液被旋转片溅射在光刻胶收集杯的内侧，以对光刻胶收集杯进行预清洗；以及分区域清洗步骤：控制旋转片变速旋转多次，每次旋转的初始转速不同，每次旋转使清洗液被溅射到光刻胶收集杯上的一个区域，清洗液多次溅射覆盖的区域至少包括光刻胶收集杯的待清洗部位。本实施例通过改变初始转速实现了分区域清洗，通过变速旋转实现了对每个区域进行移动清洗，提高了清洗效果，避免了光刻胶收集杯中残余光刻胶造成后续工艺缺陷。
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公开(公告)号：CN114755896A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110023981.1
申请日：2021-01-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明涉及一种用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机。用于检测处理单元性能的晶圆选择包括：获取与待处理晶圆对应的处理单元类型以及每类处理单元的数量，确定处理组合；根据处理组合的数量，确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量；将待处理晶圆按批次依次输送进涂胶显影机进行处理；获取每一批次晶圆对应的记录表；根据记录表和每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量，从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的晶圆作为待检测晶圆。能够在对最少的晶圆进行检测的情况下，清楚的获取每个处理单元的处理效果，避免重复测量和漏测量，从而提高对处理单元进行监测的效率，降低漏测量的处理单元对产品的不良影响。
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公开(公告)号：CN114678286A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011562875.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/66 , G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供的一种晶圆变形的测量方法，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：测量晶圆不同区域之间或相同位置不同时段的温度差数据，将该温度差数据与晶圆对应区域的变形值建立相应的标准函数样本；根据所述标准函数样本判断不同晶圆在加热过程中的变形状态。在上述技术方案中，通过上述方式建立温度差数据与变形值相应的标准函数样本以后，就可以确定晶圆的温度与变形之间的函数关系，根据该标准函数样本的对应关系记载，此后仅通过测量晶圆不同区域之间的温度差数据，便可以直接确定晶圆对应区域的变形值，从而判断晶圆晶圆对应区域的变形情况，不必再通过单独的工序对晶圆的变形或翘曲情况进行单独的测量，只需要在加热晶圆时同步完成即可。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114678267A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011549390.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向半导体栅极掺杂离子的方法及其应用。一种向半导体栅极掺杂离子的方法，包括：对半导体栅极进行等离子体掺杂离子注入，形成离子掺杂的半导体栅极；然后以共伴气体为气体源，在原位向所述离子掺杂的半导体栅极注入离子。本发明更大限度地保留了栅极中掺杂的离子量，避免了二次离子掺杂造成的资源浪费，并且无需增加强流离子注入机等额外设备。
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公开(公告)号：CN114675487A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011547670.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括：提供一空白掩模版；所述空白掩模版包括由下而上层叠设置的透明基板、缓冲层和遮光层；对所述遮光层进行图形化处理，得到图形化处理后的遮光层；对所述图形化处理后的遮光层进行图形检查及修正；对所述缓冲层进行刻蚀及清洗；对经过上述步骤处理后得到的掩模版进行退火处理，得到退火后的掩模版。本申请的减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括对遮光层进行图形化处理、图形检查及修正，对缓冲层进行刻蚀及清洗，对掩模版进行退火处理，退火处理的步骤能够释放累积的掩模版压力，进而减少局部图形布局误差。
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公开(公告)号：CN114628514A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011453143.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种场效应晶体管结构及其形成方法，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上方的栅极，所述栅极包括厚度不一致的栅电极层和栅介质层；位于所述栅极两侧且嵌入半导体衬底中的源极、漏极、源极延伸部和漏极延伸部，所述源极延伸部与所述漏极延伸部之间形成沟道；其中，所述漏极延伸部上方的栅介质层的厚度大于所述沟道上方的栅介质层的厚度。通过选择性的将栅极中的栅介质层的厚度做的不一致，即漏极延伸部(gate overlap)对应的栅介质层的厚度大于沟道部分对应的栅介质层的厚度，从而可以缓解漏极延伸部的电场，在电路中器件处于关态或者处于等待状态时，减少GIDL泄漏电流的影响。
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公开(公告)号：CN114628245A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011444927.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构的制备方法。一种半导体结构的制备方法，包括：提供具有栅极沟槽的半导体衬底；在所述栅极沟槽的底壁和侧壁上依次形成氧化层、阻挡层；然后先进行H2和/或D2气流烘烤后进行快速热氮化处理，或者先进行热氮化处理后进行H2和/或D2气流烘烤；之后填充金属栅极。本发明能够修复因快速热氮化出理引起的氧化层表面损伤，提升器件电性能。
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公开(公告)号：CN114613671A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011424629.0
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/311 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种形成图案的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成目标层、转印层以及第一引导图案；使用定向自组装工艺在所述第一引导图案上形成沿水平方向或者垂直方向排布的第一刻蚀图案，以所述第一刻蚀图案为掩模，刻蚀转印层，以形成第一转印图案；形成与所述第一转印图案垂直相交的第二转印图案；以所述第一转印图案、第二转印图案为掩模，刻蚀目标层以形成目标图案。本申请实施例将DSA、PTD以及NTD技术进行结合应用到图像形成过程中，使得形成的图像尺寸更小，且减少了工艺步骤，提高了工艺效率。
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