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公开(公告)号：CN114326335B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011061653.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本申请公开了一种用于图案层对准的对准标记系统及图案层对准方法，系统包括：第一图案层上的第一标记和第二图案层上的第二标记；所述第一标记和所述第二标记能够组合为一个对准标记，以在形成第一图案层和第二图案层之上的第三图案层时，所述第一标记和所述第二标记用于将第三图案层的掩模与所述第一图案层和所述第二图案层对准。在不改变光刻机原有扫描算法基础上，由于第一图案层上的第一标记和第二图案层上的第二标记能够组合为一个完整的对准标记，因此通过一次扫描即可得到两个标记组合形成的完整对准标记在晶圆上的位置，并根据扫描得到的位置进行对准，从而缩短了扫描时间，可以提升晶圆生产效率。
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公开(公告)号：CN114384771B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011142250.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，方法包括：在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；若不符合预设条件，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败直接进行返工的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114384770B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011142210.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，方法包括：采集整个晶圆的平整度数据，获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，所述预设位置的曝光场内包含用于进行晶圆对准的对准标记；判定所述位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；若不符合预设条件，则从所述晶圆上的其他曝光场中选取平整度数据符合预设条件的曝光场，并利用选取的曝光场内包含的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整图发生局部焦距异常，造成对准失败的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114447221A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011223608.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及半导体加工制造领域，具体涉及一种电容器的制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底的上部依次形成第一氧化层、支撑层以及第二氧化层；形成贯穿所述第一氧化层、支撑层以及第二氧化层的沟槽；在所述沟槽内依次形成下电极层、电介质层、上电极层；其中，在形成所述支撑层时进行持续升温，以使得所述支撑层对所述电容器施加横向压力。这样可以在不改变圆柱形电容器形状(例如厚度、结构)和材质的基础上，圆柱形电容器能够储存更多的电量，从而增加电容器的电容量。
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公开(公告)号：CN114384771A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142250.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，方法包括：在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；若不符合预设条件，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败直接进行返工的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114167687A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010948703.2
申请日：2020-09-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种套刻误差动态抽样测量方法及装置，所述方法包括：获取晶圆上所有套刻标识的信息，所述所有套刻标识由所述晶圆上每个曝光单元中的套刻标识组成；将所述晶圆上所有套刻标识分成至少两大组；按照预先确定的选择顺序，依次选择每个相应大组的套刻标识测量所述晶圆的套刻误差；所述选择顺序用于指示所述至少两大组套刻标识的循环选择顺序。本公开通过多个套刻误差测量方案循环测量套刻误差，能够在不影响生产效率的情况下，更加准确地测量套刻误差。
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公开(公告)号：CN113835302A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010590724.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种双重构图的曝光方法，包括：将第一掩模板装载到第一掩模台，将第二掩模板装载到第二掩模台；第一掩模台和第二掩模台分别位于光刻机的透镜中心两侧；校准第一掩模台相对晶圆台的第一移动数据，校准第二掩模台相对晶圆台的第二移动数据；基于第一移动数据将第一掩模台移动至晶圆台正上方，对装载的硅片进行第一次曝光，并基于第二移动数据将第二掩模台移动至晶圆台正上方，对装载的硅片进行第二次曝光。由于本发明避免了反复装载和卸载的工序，进而缩短了循环时间且减少了制程数量。并且由于两个掩模台分别校准，校准精度佳，避免两个掩模板间的标准流程偏移不会发生改变，因此还可减小两次曝光分别形成图案间产生的偏移。
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公开(公告)号：CN113534627A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010302191.2
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本申请公开了一种改进的光刻方法，所述方法包括：提供一光掩模板；测量所述光掩模板上光刻标记的放置误差；根据所述放置误差执行光刻工艺的校准流程。本申请通过测量光刻标记在光掩模板上的放置误差，并将放置误差应用到后续使用光掩模板的光刻工艺流程中的校准流程，以提高光刻工艺流程中的校准准确性。执行光刻工艺的校准流程。
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公开(公告)号：CN114518693B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011308202.4
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种套刻误差补偿方法及光刻曝光的方法，包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆具有对准标记；装载所述晶圆，测量对准标记的第一位置；将晶圆翻转180°，测量对准标记的第二位置，并计算第一位置与第二位置的位置误差；计算对准标记的补偿量，然后进行补偿。与现有技术相比，本申请实施例将机台误差(Tool‑Induced Shift，TIS)补偿方法应用到对准标记的误差补偿，以解决对准标记对准偏差的问题。
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公开(公告)号：CN114563923A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011355386.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种曝光晶圆的调平方法及光刻曝光的方法，包括以下步骤：获取所述晶圆上不同图形的原始调平数据；根据掩膜版上设计图形的位置来获得不同图形的调平数据；根据所述调平数据对所述原始调平数据进行补偿。本发明的实施例中曝光晶圆的调平方法能够改善晶圆曝光制程中晶圆调平的性能，提高曝光效率。
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