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公开(公告)号：CN114678267A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011549390.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向半导体栅极掺杂离子的方法及其应用。一种向半导体栅极掺杂离子的方法，包括：对半导体栅极进行等离子体掺杂离子注入，形成离子掺杂的半导体栅极；然后以共伴气体为气体源，在原位向所述离子掺杂的半导体栅极注入离子。本发明更大限度地保留了栅极中掺杂的离子量，避免了二次离子掺杂造成的资源浪费，并且无需增加强流离子注入机等额外设备。
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公开(公告)号：CN114628514A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011453143.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种场效应晶体管结构及其形成方法，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上方的栅极，所述栅极包括厚度不一致的栅电极层和栅介质层；位于所述栅极两侧且嵌入半导体衬底中的源极、漏极、源极延伸部和漏极延伸部，所述源极延伸部与所述漏极延伸部之间形成沟道；其中，所述漏极延伸部上方的栅介质层的厚度大于所述沟道上方的栅介质层的厚度。通过选择性的将栅极中的栅介质层的厚度做的不一致，即漏极延伸部(gate overlap)对应的栅介质层的厚度大于沟道部分对应的栅介质层的厚度，从而可以缓解漏极延伸部的电场，在电路中器件处于关态或者处于等待状态时，减少GIDL泄漏电流的影响。
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公开(公告)号：CN114361098A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011089756.X
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法。隔离沟槽，包括：在沟槽上的氧化物层，在所述氧化物层内的底部的氮化物衬垫，在所述氮化物衬垫内，且与氮化物衬垫的表面齐平的第一氧化物，以及在所述第一氧化物上的第二氧化物；所述第二氧化物与所述氧化物层的表面齐平。通过去除隔离沟槽中的部分沉积物质，再沉积第二氧化物，能够防止变成陷阱的热载流子电子在有源区产生沟道，从而避免热电子穿透效应产生的不良。
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公开(公告)号：CN113659016B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202110797165.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10F77/30 , H10F30/227
Abstract: 本发明公开一种光电探测器，涉及光电子技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高光电探测器在工作时的光电探测响应度。所述光电探测器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接，用于在外加电场的作用下导出第一类载流子。第二电极与石墨烯层电连接，用于在外加电场的作用下导出第二类载流子。第一类载流子和第二类载流子的电性相反。
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公开(公告)号：CN118539286A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410564578.3
申请日：2024-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种混合外腔激光器和传感系统，涉及光电子器件技术领域，用于通过反射型半导体光放大器和异构微环腔的集成，实现便携的高集成度的混合外腔激光器。所述混合外腔激光器包括：基底、以及设置在基底上的反射型半导体光放大器、异构微环腔和反射镜。其中，上述反射型半导体光放大器的输出端与异构微环腔的输入端相连。异构微环腔的下载端和反射镜连接。反射镜的输出端为混合外腔激光器的输出端。上述异构微环腔具有微环结构、以及设置在微环结构内的一维光子晶体纳米束腔，同时用作混合激光器的外腔和与待测物接触的传感腔。所述混合外腔激光器应用于传感系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117724296A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311754339.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种光刻方法、半导体结构以及电子设备，涉及光刻技术领域，以提供一种能够保证台阶处不产生气泡，且能够保证光刻胶厚度均匀的技术方案。包括以下步骤：提供衬底，并利用稀释液浸润所述衬底；在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶；在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发，其中，所述预设温度范围小于或等于60°。
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公开(公告)号：CN116794767A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310076642.9
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度，减少损耗，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112680715B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011263056.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法。氮化硅膜的生长方法：在半导体衬底上生长氧化层；在氧化层上刻蚀出多条深槽，每条深槽底部深入半导体衬底内部，并且多条深槽相交将氧化层分成多个区域；然后在氧化层表面，利用LPCVD方法分多次沉积多层氮化硅膜，多层氮化硅膜堆叠成预设厚度的氮化硅膜，并且多次沉积中除最后一次沉积外，其余每次沉积之后都进行退火处理。氮化硅波导器件的制备方法：采用上述的生长方法生长氮化硅厚膜，制作波导结构，经过后续工艺形成波导器件。本发明以多组相邻深槽作为隔离区，提出了划区域预留氮化硅沉积区域的方法，解决了氮化硅因膜太厚而产生的高应力问题。
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公开(公告)号：CN115340058A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110523470.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中具有空腔结构的电子器件采用标准的微电子组装技术存在污染或者损坏空腔结构的问题。本发明的电子器件，包括器件基体和封盖层，器件基体的至少一个表面开设有空腔结构，器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的制备方法包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的电子器件和制备方法能够保证空腔结构的完整性和洁净度，进而能够提高电子器件的整体稳定性。
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公开(公告)号：CN112462470B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011167383.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。
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