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公开(公告)号：CN114447752A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011224920.3
申请日：2020-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种波长可选择激光系统，包括：主振荡器压缩头用于产生脉冲；主振荡器室用于基于主振荡器压缩头所产生的脉冲产生光束；激光波长控制模块用于对光束进行调控，产生波长可变的光束；功率放大器室用于对来自主振荡器室的光束施加增益；输出耦合器用于接收来自激光波长控制模块的光束；主振荡器波前工程箱用于将来自输出耦合器的光束射向功率放大器波前工程箱；光束反转器用于将来自功率放大器室的光束射向功率放大器波前工程箱；功率放大器波前工程箱用于将光束射向功率放大器室和光束反转器。本申请的系统通过激光波长控制模块调控激光的波长，得到所需要的激光波长，操作方便，能够维持激光波长在一定的散布范围内。
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公开(公告)号：CN114377906A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011140748.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B05C5/02 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供的一种光刻胶分配器以及半导体制造设备，涉及半导体技术领域，包括：喷嘴壳体上开设有多个内腔，每个内腔对应设置有一个喷嘴，喷嘴装配在喷嘴壳体的外壁并与对应的内腔连通；多个单元喷涂组件与多个内腔一一对应；其中，单元喷涂组件包括单元瓶和驱动装置，单元瓶装配在内腔并与喷嘴连通，驱动装置与单元瓶驱动装配，以驱动单元瓶内的光刻胶沿喷嘴流出。在上述技术方案中，如果需要更换光刻胶时，只需要将该光刻胶分配器内不同单元喷涂组件移动到半导体的对应位置，将装载的不同光刻胶继续进行涂敷工作即可。所以，整个光刻胶的更换过程中并不需要机械结构的改变，只需要选择光刻胶分配器内不同的单元喷涂组件对应进行涂敷工作即可。
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公开(公告)号：CN114334685A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011065494.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种晶圆的CDSEM测量方法、装置及半导体器件，方法包括：步骤S1在当前晶圆上从所有位置点中进行位置点采样，利用CDSEM测量采样位置点的CD值，将采样位置点添加到抽样序列中；步骤S2在下一张晶圆上从除抽样序列中记录的位置点之外的其他位置点中进行位置点采样，并利用CDSEM测量采样位置点的CD值，将采样位置点添加到抽样序列中；继续执行步骤S2，直至抽样序列中记录的位置点能够覆盖整张晶圆上的所有位置点时，重置抽样序列并返回执行步骤S1。本案与现有技术中每张晶圆上只测量固定位置点相比，本发明在没有测量的地方也能进行测量，因此本发明在与现有技术花费相同时间条件下，可以使得晶圆的监控效果极大化。
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公开(公告)号：CN115755528A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111034437.3
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种建立光学邻近校正模型的方法及光学邻近校正的方法。该建立光学邻近校正模型的方法，包括：针对设计好的各图案，根据各图案之间的密切系数来划分图案组；分别为划分好的每个图案组建立相匹配的光学邻近校正模型；其中，密切系数包括图案形状异同、图案密度、图案与自身周围图案的距离以及图案功能异同中的至少一个参数。本公开的建立光学邻近校正模型的方法，根据各图案之间的密切系数来划分图案组，分别为划分好的每个图案组建立相匹配的光学邻近校正模型，大大提高了各图案组所对应的光学邻近校正模型的匹配度，从而能够实现在利用各光学邻近校正模型对相匹配的图案组进行图案模型化时降低图案模型化时产生的误差和不良率。
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公开(公告)号：CN114755896A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110023981.1
申请日：2021-01-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明涉及一种用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机。用于检测处理单元性能的晶圆选择包括：获取与待处理晶圆对应的处理单元类型以及每类处理单元的数量，确定处理组合；根据处理组合的数量，确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量；将待处理晶圆按批次依次输送进涂胶显影机进行处理；获取每一批次晶圆对应的记录表；根据记录表和每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量，从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的晶圆作为待检测晶圆。能够在对最少的晶圆进行检测的情况下，清楚的获取每个处理单元的处理效果，避免重复测量和漏测量，从而提高对处理单元进行监测的效率，降低漏测量的处理单元对产品的不良影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114377906B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202011140748.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B05C5/02 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供的一种光刻胶分配器以及半导体制造设备，涉及半导体技术领域，包括：喷嘴壳体上开设有多个内腔，每个内腔对应设置有一个喷嘴，喷嘴装配在喷嘴壳体的外壁并与对应的内腔连通；多个单元喷涂组件与多个内腔一一对应；其中，单元喷涂组件包括单元瓶和驱动装置，单元瓶装配在内腔并与喷嘴连通，驱动装置与单元瓶驱动装配，以驱动单元瓶内的光刻胶沿喷嘴流出。在上述技术方案中，如果需要更换光刻胶时，只需要将该光刻胶分配器内不同单元喷涂组件移动到半导体的对应位置，将装载的不同光刻胶继续进行涂敷工作即可。所以，整个光刻胶的更换过程中并不需要机械结构的改变，只需要选择光刻胶分配器内不同的单元喷涂组件对应进行涂敷工作即可。
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公开(公告)号：CN115047706A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110254793.X
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本公开提供一种光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法，修正方法包括：提供当层图形和与所述当层图形相邻的前层图形，所述当层图形包括多个图形单元；根据每个所述图形单元的设计参数，以及所述前层图形对每个所述图形单元的光学影响系数，将所述多个图形单元进行分组，得到多个图形组；对不同的所述图形组采用不同的光学邻近修正模型进行修正，获得修正后的掩模版图形。本公开在对当层图形进行光学邻近修正时考虑了前层图形的光学影响，可以减少因前层图形的光学影响而产生的图形错误，从而提高了光学邻近修正的精度。
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公开(公告)号：CN114253082A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011019892.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种涂胶厚度抽样测量方法，所述方法包括：在晶片上定位第一抽样点集，所述第一抽样点集由至少一个抽样点组成，并测量所述第一抽样点集中每个抽样点的涂胶厚度；根据所述第一抽样点集中每个抽样点的涂胶厚度判断是否需要执行进一步的抽样策略；如果是，则采用预设抽样策略对所述晶片再进行涂胶厚度测量。通过对晶片进行第一次抽样测量，并根据第一次抽样测量结果判断是否有必要进行第二次抽样测量，在判断需要时，采用预设抽样策略对晶片再进行抽样测量，减少了人工干预，省时又省力，可以提升晶片生产效率。
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公开(公告)号：CN111900147A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010568031.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/02 , H01L21/67 , B23K26/362
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种用于识别晶圆的识别标记、在晶圆上形成识别标记的系统及方法，该用于识别晶圆的识别标记包括至少一个用于识别晶圆的标记点，标记点形成在晶圆上；其中，一个标记点在点阵结构中的不同位置形成数字识别标记或字母识别标记，多个标记点在点阵结构中以不同位置和不同数量组合的方式形成数字识别标记或字母识别标记。根据发明实施例的晶圆，相比较于现有技术中，使用多个标记点形成与字母和数字形状相似的识别标记，缩小了识别标记的尺寸，避免因识别标记尺寸过大，造成占用晶粒区。
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公开(公告)号：CN113496908A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010270702.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备，包括如下步骤：提供一个半导体器件组；根据检查规则检测所述半导体器件组，使得所述半导体器件组中的各个半导体器件的检测步骤数量均一化。其中各个检测步骤组中的某两个或者多个检测步骤，不会都测量同一个半导体器件组中的同一个半导体器件。这种情况下，检测步骤组中的其他检测步骤则被省略。对于每个检测步骤，根据该检测步骤的预设检查概率，当该检测步骤被连续两个以上的半导体器件排除时，在下一个半导体器件执行该检测步骤。本公开的优点在于，使每个半导体器件组的测量次数均一化；使每个半导体器件组的整体工艺时间均一化。
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