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公开(公告)号：CN114355731B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011090371.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN116666182A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210147373.6
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种固定装置及等离子体设备，涉及半导体设备技术领域，能够减少固定件被电弧刻蚀而产生的颗粒污染物。该固定装置应用于工艺腔，该工艺腔具有安装孔；固定装置包括固定件以及用于保护所述固定件的保护件，固定件安装于工艺腔的安装孔内；保护件设置在固定件的顶部。本发明提供的一种固定装置及等离子体设备用于半导体器件、半导体芯片制造。
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公开(公告)号：CN116651248A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210147359.6
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B01F25/27
Abstract: 本发明公开一种废液排放设备、废液排放方法及废液排放系统，涉及半导体设备技术领域，能够降低排放通道堵塞的几率。该废液排放设备包括排放装置和喷液装置。排放装置具有排放通道。喷液装置设置在排放装置上，用于向排放通道喷射稀释剂。本发明提供的一种废液排放设备、废液排放方法及废液排放系统用于半导体器件、半导体芯片制造。
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公开(公告)号：CN111584334B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010276075.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于离子注入装置的绝缘结构，包括：绝缘管；所述绝缘管具有内表面以及两端的开口；至少一个屏蔽管，所述屏蔽管随形安装于所述绝缘管的内表面上。通过设置屏蔽管，使污染物无法渗透到绝缘管的内表面上，可以维持稳定的离子驱逐电压，延长绝缘管的清洗周期。从而延长绝缘管的使用寿命，提高了离子注入装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN112071685B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202010702042.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115318755A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110507576.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明公开一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，涉及半导体制造技术领域，以解决湿法清洗需要打开工艺腔，造成工艺时间增加，效率降低的问题。一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，该等离子体掺杂工艺腔的清洁方法包括：获取所述工艺腔的污染程度。当所述工艺腔的污染程度满足轻度污染程度时，在第一工艺条件下，向所述工艺腔内通入第一工艺气体，利用第一工艺气体对所述工艺腔进行清洗。当所述工艺腔的污染程度满足重度污染程度时，在第二工艺条件下，向所述工艺腔内通入第二工艺气体，利用第二工艺气体对所述工艺腔进行清洗。本发明提供的等离子体掺杂工艺腔的清洁方法用于清洗等离子体掺杂工艺腔。
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公开(公告)号：CN115078941A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110267691.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供的一种半导体设备自动化维护检测系统以及方法，涉及半导体技术领域，包括：获取单元用于获取半导体设备中包含的工艺单元的列表信息；记录单元用于获取每个工艺单元的维护记录，并根据该维护记录生成历史维护信息；处理单元用于根据历史维护信息对全部工艺单元进行分类，并根据该分类的结果生成分类维护信息；计划单元用于根据分类维护信息对每个工艺单元生成对应的维护计划，并根据维护计划生成维护控制信息。在上述技术方案中，在自动控制下可以保证不同工艺单元中的零部件均能够得到及时且正确的维护检测控制，保证零部件在发生问题前得到及时的维护处理，保证半导体设备能够正常运转，形成良好的工作状态。
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公开(公告)号：CN115020323A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110245925.2
申请日：2021-03-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/108
Abstract: 本公开提供了图案形成方法、数据线接触部形成方法及器件的制造方法，图案形成方法可包括如下步骤。提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一膜层，以及沿第一方向在第一膜层上形成第一图案。在第一膜层上形成第二膜层，并沿第二方向在第二膜层上形成第二图案。其中，第二方向与第一方向相交设置。将具有第一图案的第一膜层和具有第二图案的第二膜层为掩模，对半导体衬底进行刻蚀，以形成条形凹槽图案，可见本公开能够在半导体衬底上的指定位置形成多个条形凹槽。与常规圆形图案形式的数据线接触部相比，本公开的技术方案能够提供线条/空隙图案形式的数据线接触部，具有结构尺寸更小、图案裕量更大及降低了半导体器件的加工难度等优点。
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公开(公告)号：CN114955879A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110217402.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆运输防撞系统及晶圆运输防撞方法，该晶圆运输防撞系统包括运输装置，监测装置和控制装置，运输装置包括轨道和以可滑动的方式设置在轨道上的天车；监测装置安装在天车上，监测装置用于监测天车周围多个方向的障碍物；控制装置与监测装置和天车分别通信连接，控制装置用于根据监测装置传递的信号控制天车的运行；本申请提出的晶圆运输防撞系统通过在天车上设置监测多个方向的障碍物的监测装置，提高了天车移动时的安全性，防止天车与障碍物碰撞，降低或消除了晶圆运输过程中存在的安全隐患。
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公开(公告)号：CN114883327A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110161345.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种DRAM及其制造方法。包括半导体衬底；所述半导体衬底包括本体和突起结构；所述本体具有有源区；所述突起结构形成在所述有源区上，且构成为导电体；存储节点接触部，形成在所述突起结构上；着陆焊盘，形成在所述存储节点接触部的上方，且所述着陆焊盘的底部与所述存储节点接触部电连接。本申请实施例通过设置突起结构，使得突起结构和存储节点接触部之间的电连接更加的紧密，避免两者无法连接或者部分连接导致的接触不良。
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