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公开(公告)号：CN117936377A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410094893.4
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/268 , H01L21/266
Abstract: 本公开提供了一种利用具有厚度选择性的碳膜对SiC器件实现温度与区域可控的激光退火激活方法，包括：利用光刻和高能离子注入技术在SiC晶圆表面形成目标器件的各个离子注入区；清洗SiC晶圆，在SiC晶圆表面旋涂光刻胶，经显影后，完成离子注入区的表面的光刻胶覆盖；对离子注入深度和浓度不同的离子注入区进行二次涂胶及光刻显影，对不同的离子注入区进行不同厚度的光刻胶覆盖；热解碳化光刻胶，在各离子注入区上形成图形化和厚度区域具有选择性的碳膜；辐照SiC晶圆进行脉冲激光退火激活，使SiC晶圆上由离子注入产生的非晶掺杂区在亚熔化态发生重结晶，并修复离子注入所带来的晶格畸变，激活非晶掺杂区的离子；完成激活处理后，去除SiC晶圆表面的碳膜。
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公开(公告)号：CN116417495A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111650838.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种沟槽NMOSFET结构及其制备方法、NMOSFET器件，其该沟槽NMOSFET结构包括：基底部；主沟槽，刻蚀于基底部上；N‑‑型外延层，形成于基底部上，并位于主沟槽两侧；P型注入层，形成于基底部上，并位于N‑‑型外延层两侧；P型注入层在基底部上的注入深度大于主沟槽基底部上的刻蚀深度；N+型源层，形成于P型注入层和N‑‑型外延层上，并位于主沟槽两侧；P+型欧姆接触层，形成于P型注入层上，并位于N+型源层两侧。
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公开(公告)号：CN115101579A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210680756.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺杂p‑GaN层，沉积于重掺杂p‑GaN层上，轻掺杂p‑GaN层两侧形成沟槽结构；栅介质层，覆盖轻掺杂p‑GaN层的侧壁与沟槽结构，和重掺杂p‑GaN层的侧壁；以及栅金属层，与轻掺杂p‑GaN层顶部接触，用于与轻掺杂p‑GaN层形成栅极肖特基接触，本发明克服了传统p‑GaN栅HEMT器件的栅击穿电压普遍小于10V的问题，大幅提升了GaNHEMT器件的栅极正向击穿电压，降低了栅极泄露电流。
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公开(公告)号：CN107978642B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201711346622.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；阳极电极第一部分位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的另一部分区域，其位置紧挨着高空穴浓度结构层；阳极电极第二部分覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被阴极电极和阳极电极覆盖的区域。本发明可靠性高，重复性好，可实现对器件开启电压的调节，获得低开启电压、低反向漏电流的GaN异质结二极管。
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公开(公告)号：CN104465748A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410708477.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091835A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410270490.7
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/43 , H01L21/329 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/475 , H01L29/66143
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为肖特基二极管的阴极；介质钝化层形成在势垒层上，并暴露出凹槽；肖特基接触形成在介质钝化层的表面，作为肖特基二极管的阳极。本发明同时还公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管的制备方法。本发明通过刻蚀阻断部分氮化镓异质结沟道二维电子气的凹槽阳极氮化镓异质结肖特基势垒二极管，可同时获得低开启电压、低反向漏电流和高击穿电压的优秀电学特性。
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公开(公告)号：CN103956415A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410192628.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 一种GaN基发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层；步骤2：采用光刻的方法，在n型GaN层上制备选择性生长掩膜；步骤3：在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱层和p型GaN层；步骤4：将n型GaN层上保留的选择性生长掩膜刻蚀掉；步骤5：在p型GaN层和暴露的n型GaN层上生长透明电极层；步骤6：在p型GaN层上的透明电极层上制作金属电极，在n型GaN层上的透明电极层上制作金属电极，完成制备。本发明取消了器件制备过程中的台面干法刻蚀工艺，完全避免了台面刻蚀时造成量子阱以及P型GaN的损伤，不仅有效降低了材料生长过程的气源的消耗，还采用湿法工艺完成台面，省略了干法刻蚀设备的需求，大大节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN103258730A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310166137.X
申请日：2013-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种制备剖面为正梯形的台面的方法，包括如下步骤：S1、在一个刻蚀基片表面淀积一个硬掩膜层；S2、在所述硬掩膜层的表面涂布抗蚀剂；S3、在所述抗蚀剂表面形成刻蚀图形；S4、按照所述刻蚀图形对所述硬掩膜层进行刻蚀，以将所述刻蚀图形转移到所述硬掩膜层上，再将所述抗蚀剂去除；S5、通过ICP干法刻蚀技术刻蚀所述刻蚀基片，从而将硬掩膜层的图形转移到刻蚀基片上，其中，调整该ICP干法刻蚀的刻蚀条件得到侧壁与凹陷底部成钝角的凹陷；S6、去除硬掩膜层，从而形成剖面为正梯形的台面。本发明能够形成用于与金属电极连接的具有正梯形的剖面的半导体台面，以防止安装在台面上的金属电极的断裂。
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公开(公告)号：CN1629663A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200310122347.5
申请日：2003-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及光波导技术领域，特别是一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法。该波导的脊形部分截面形状由一个矩形顶部和一个等腰梯形底部构成，波导对光的下限制层为绝缘层，波导的上表面由硅的氧化物和/或者氮化物覆盖。其制作方法包括：a.在SOI晶片上，通过光刻工艺制作光波导的掩膜；b.在顶层硅上用干法刻蚀一个截面为矩形的脊形波导；c.在原掩膜的基础上，用湿法刻蚀对矩形脊波导进行二次刻蚀；d.去除掩膜，在脊形波导上覆盖氧化物和/或者氮化物层。本发明的结构、制作相对简单、刻蚀表面光滑无损伤无聚合物残留、耦合效率相对较高，可以改善波导的光学性能和电学性能。
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公开(公告)号：CN118842527A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411119301.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/40 , H04B10/516 , H04B10/50 , H04B10/61
Abstract: 本公开提供了一种基于多材料平台的集成微波光子处理芯片，包括：基底（1）、发射芯片（2）、电光调制芯片（3）、接收芯片（4）及光子引线键合结构（5），发射芯片（2）、电光调制芯片（3）、接收芯片（4）均置于基底（1）上，依次通过光子引线键合结构（5）连接；发射芯片（2）用于产生光载波信号；电光调制芯片（3）用于将本振信号调制到光载波信号上，得到本振调制信号；接收芯片（4）用于将本振调制信号与外部射频调制信号合束，并进行光电转换，使本振调制信号与外部射频调制信号拍频，得到中频信号；发射芯片（2）和接收芯片（4）的材料至少包括绝缘体上硅，电光调制芯片（3）的材料至少包括绝缘体上薄膜铌酸锂。
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