公开(公告)号：CN102944912B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201210480462.9

申请日：2012-11-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 邢界江 ,  李智勇 ,  肖希 ,  储涛 ,  俞育德 ,  余金中

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种SOI基三维交叉波导及其制作方法，利用低温键合技术，在第一层SOI波导上制作多层高折射率波导，且第一路SOI波导的输入、输出部分分别和其上各层波导间构成高效的光学上行、下行耦合结构，顶层波导与第一层波导的第二路或更多路SOI波导构成三维交叉结构。这种由多层波导级联构成的三维交叉结构中，相邻层波导的间隙较小，光学上下耦合效率很高；顶层波导与第一层波导在垂直方向有足够厚的低折射率介质隔离，交叉损耗和串扰很小。另外，采用波导宽度绝热锥形渐变耦合的光学上下耦合结构，带宽和工艺容差大。

公开(公告)号：CN101995609A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010283558.7

申请日：2010-09-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周亮 ,  李智勇 ,  俞育德 ,  余金中

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/124 ,  G02B6/136

Abstract: 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。

公开(公告)号：CN101989632A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910090350.0

申请日：2009-08-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 俞育德 ,  李运涛 ,  余金中 ,  陈诺夫 ,  俞海龙

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制备薄膜材料的方法，包括：步骤1：将制备薄膜的材料粉末置于粉仓中；步骤2：将带有电极极性的感光鼓置于粉仓上，通过静电的吸附作用将材料粉末吸附于感光鼓上；步骤3：将吸附有材料粉末的感光鼓置于一材料基底的上方；步骤4：感光鼓放电，使粉末均匀地分布于材料基底的表面；步骤5：对材料基底表面的材料粉末进行结晶化处理，在材料基底的表面形成薄膜材料。利用本发明，工艺成熟、制作成本低，比现行的方法至少低一个数量级。另外，本发明借鉴了静电压印技术，技术成熟度高。

公开(公告)号：CN101378016B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710121073.6

申请日：2007-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 韩根全 ,  曾玉刚 ,  余金中

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 一种利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法，其特征在于，量子点制作步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长SiGe或者Ge的外延层；步骤3：用激光对外延层进行退火处理，在外延层上得到SiGe或Ge量子点。

公开(公告)号：CN100430764C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200510123631.3

申请日：2005-11-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 余和军 ,  余金中 ,  陈少武

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明涉及基于SOI材料的光子晶体分束器，包括一SOI材料衬底，在SOI衬底刻蚀产生硅柱，该硅柱呈正方晶格或六方晶格排列，硅柱高度为SOI顶层硅的厚度，在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波导；输入波导夹在两路输出波导的中间，它与两路输出波导分别由一列硅柱隔离，输入波导前端至少还留有一个硅柱，输出波导末端至少还留有一个硅柱；与外界相连的SOI条载波导分别设置在输入波导输入端、两路输出波导的输出端，该SOI条载波导与硅柱等高。该分束器结构紧凑，其长度比传统波导Y分束器缩小数十倍。通过控制隔离输入波导与输出波导的硅柱大小就能实现不同分束比的光输出，因此更具灵活性与实用性。

公开(公告)号：CN100388868C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200410070849.2

申请日：2004-07-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张建国 ,  成步文 ,  余金中 ,  王启明

IPC: H05B33/20 ,  H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  C09K11/00

Abstract: 一种包含硅基高效发光材料的电致发光器件，采用杂质离子注入在硅基二氧化硅薄膜里实现硅基材料的高效室温发光，包括：一p-型或n-型硅衬底；一掺杂层，该掺杂层制作在硅衬底上，该掺杂层是在硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法形成的，该掺杂层是发光器件的有源区；一n-型或p-型多晶硅层，该n-型或p-型多晶硅层制作在掺杂层上；一二氧化硅隔离层，该二氧化硅隔离层生长在掺杂层和多晶硅层上；一电极，该电极制作在n-型或p-型多晶硅层上；另一电极，该电极制作在p-型或n-型硅衬底上；在二氧化硅隔离层表面留有一出光口。

公开(公告)号：CN101055336A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200610011654.X

申请日：2006-04-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙飞 ,  余金中 ,  陈少武

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/12 ,  G02F1/313

Abstract: 本发明涉及光通讯系统中的光交叉互联、光信号处理技术领域，特别是一种非对称马赫泽德干涉仪及其设计方法。该结构所包含两个调制臂的结构参数非完全一致，由于两者的非一致使得两臂之间存在光程差。通过调节两臂的截面尺寸、长度、折射率分布等参数，可在两臂之间引入一定的光程差。光程差的大小可以通过3D－BPM或FDTD等数值模拟方法确定。运用这一非对称马赫泽德干涉结构制作光开关/调制器时，在一个调制周期中，单个调制臂上需要引入的相位偏移小于传统结构中的π相移(在最优设计时为π/2)，因而能显著提高器件响应速度。

公开(公告)号：CN101055334A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200610011658.8

申请日：2006-04-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙飞 ,  余金中 ,  陈少武

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及光通讯系统技术领域，特别是一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺。包含以下步骤：(1)生成第一掩模层；(2)刻蚀形成台阶结构；(3)生成第二掩模层；(4)各向异性刻蚀第二掩模层；(5)形成掺杂区。在所述自对准工艺中，由于刻蚀所述第二掩模层时的各向异性，所述台阶的侧壁仍被掩蔽，而所述台阶上部被所述第一掩模层所掩蔽，因此所述台阶边缘与所述掺杂区边缘的间距取决于侧壁上第二掩模层的厚度，而不再由光刻套刻精度决定。这一间距可以得到大幅减小，从而有利于改善器件性能，提高器件成品率，降低生产成本。本发明适用于微电子、微机械系统、光通讯系统领域中的器件制作。

公开(公告)号：CN101051101A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610072074.1

申请日：2006-04-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙飞 ,  余金中 ,  陈少武

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02F1/01

Abstract: 一种弯曲辅助型的高效电光调制器，包括依次相光滑连接的一输入波导、一调制波导及一输出波导，其特征在于，其中所述的调制波导为弯曲结构，其是利用材料的等离子色散效应实现光场的强度调制。适用于光通讯系统中的光电集成、光信号处理等领域。

公开(公告)号：CN1195326C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02118525.5

申请日：2002-04-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄昌俊 ,  邓晓清 ,  成步文 ,  王红杰 ,  杨沁清 ,  余金中 ,  胡雄伟 ,  王启明

IPC: H01L31/00 ,  G02B6/12 ,  H04J14/00

Abstract: 一种锗硅的光波导器件，包括一个SiGe的波导阵列光栅的波长复用/解复用器和一组SiGe的光探测器。它工作光波长范围1.1～1.6微米。制作方法为：器件基片通过一次外延得到，先生长低Ge组分的SiGe导波层；然后生长具有高Ge组分的SiGe光探测层；器件含复用/解复用器和探测器两部分，用刻蚀方法将复用/解复用器部分上的高组分的SiGe层腐蚀掉，然后在复用/解复用器部分制作波导阵列光栅，在探测器部分制作波导型光探测器。