公开(公告)号：CN103258730A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310166137.X

申请日：2013-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐晓娜 ,  胡传贤 ,  樊中朝 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种制备剖面为正梯形的台面的方法，包括如下步骤：S1、在一个刻蚀基片表面淀积一个硬掩膜层；S2、在所述硬掩膜层的表面涂布抗蚀剂；S3、在所述抗蚀剂表面形成刻蚀图形；S4、按照所述刻蚀图形对所述硬掩膜层进行刻蚀，以将所述刻蚀图形转移到所述硬掩膜层上，再将所述抗蚀剂去除；S5、通过ICP干法刻蚀技术刻蚀所述刻蚀基片，从而将硬掩膜层的图形转移到刻蚀基片上，其中，调整该ICP干法刻蚀的刻蚀条件得到侧壁与凹陷底部成钝角的凹陷；S6、去除硬掩膜层，从而形成剖面为正梯形的台面。本发明能够形成用于与金属电极连接的具有正梯形的剖面的半导体台面，以防止安装在台面上的金属电极的断裂。

公开(公告)号：CN1521861A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN03103590.6

申请日：2003-01-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李建明 ,  种明 ,  杨丽卿 ,  徐嘉东 ,  胡传贤 ,  段晓峰 ,  高旻 ,  朱建成 ,  王凤莲

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种半导体光电转换器件，其是将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于90度的夹角θ。其可提高半导体光电转换器件的光生电流和光电转换效率，其特点是倾斜半导体光电转换器件，使器件表面与入射光不垂直，而成一定的夹角。由于光线在器件中的路径不是沿与器件表面垂直的方向，因此光线在器件中的路径就比光线垂直入射的情况要长，这能使光在器件中得到更多的吸收，并产生更大的光生电流，进而提高光探测器的灵敏度或太阳能电池的效率。