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公开(公告)号：CN102136492A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010520266.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。
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公开(公告)号：CN117729832A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211092175.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10N10/855 , H10N10/82 , H10N10/851 , H10N10/01 , H10N10/80 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本公开提供一种悬空MEMS热电器件及其制备方法，用于硅材料弹道热输运的测试研究，悬空MEMS热电器件包括：基底；悬空岛对，基底上设有至少一组悬空岛对，每组悬空岛对包括两个悬空岛，每个悬空岛包括：硅薄膜和氮化硅薄膜，其中硅薄膜与氮化硅薄膜一体化成型；悬臂，每个悬空岛的氮化硅薄膜通过悬臂与基底连接，使硅薄膜悬空设置于基底上；悬链，每组悬空岛对中的两个硅薄膜之间通过至少一根悬链连接，其中，悬链的两端分别与两个硅薄膜一体化成型；金属组件，设于氮化硅薄膜上，用于辅助对硅薄膜的弹道热输运进行测试。该悬空MEMS热电器件能够减小MEMS悬空器件接触热阻，实现对硅材料中弹道热输运的精准测试。
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公开(公告)号：CN109682364A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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公开(公告)号：CN104659155A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094684.0
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1896
Abstract: 一种将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法，该方法包括：步骤1：清洗薄膜太阳电池器件和外加转移衬底；步骤2：在外加转移衬底上蒸镀一层金属；步骤3：在薄膜太阳电池器件上蒸镀背电极；步骤4：采用热压键合的方法将外加转移衬底和薄膜太阳电池器件键合在一起，使薄膜太阳电池器件上的背电极与外加转移衬底上的金属发生接触，形成基片；步骤5：将基片放入腐蚀液中，将薄膜太阳电池器件本身的衬底进行剥离，完成制备。本发明可以解决外延剥离技术中传统的粘结剂体积大、重量大、易碎、易分解的问题。
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公开(公告)号：CN102433529A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110440640.0
申请日：2011-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法，该方法包括：在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO2进行保护；在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜；将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴槽中进行阳极氧化；将氧化后的GaAs衬底在磷酸溶液中腐蚀扩孔；采用Ar离子轰击完全去除阻挡层，得到完全通孔的阳极氧化铝模板；将表面制备有阳极氧化铝模板的GaAs衬底进行电子束蒸发金属填孔；以及去除表面的阳极氧化铝膜，在GaAs衬底表面得到均匀的金属纳米颗粒。利用本发明，避免了采用已制备好的阳极氧化铝模板转移到半导体材料衬底过程中模板易碎、模板与衬底之间接触不好、以及引入污染等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117198941A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311277793.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法，包括：对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描，获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压；对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照，获取正电极面的光学显微图像；对砷化镓基太阳电池施加反向电压，对正电极面发出的光子进行探测，获取正电极面的光发射位点图像；将光学显微图像与光发射位点图像进行叠加，确定砷化镓基太阳电池上漏电缺陷的发光位置。该方法能够快速实现电池表面漏电缺陷的快速定位。
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公开(公告)号：CN117038769A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310964791.9
申请日：2023-08-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种混合陷光结构及其制备方法，用于增强量子点中间能带太阳能电池的吸收效率，包括：介质膜，设置于量子点中间能带太阳能电池的上表面；第一介质纳米金字塔阵列层，设置于介质膜的上表面；第二介质纳米金字塔阵列层，设置于量子点中间能带太阳能电池的下表面；反射镜，设置于第二介质纳米金字塔阵列层的下表面。利用第一介质纳米金字塔阵列结构和第二介质纳米金字塔阵列结构增加对光的作用范围，同时利用介质材料钝化电池表面减少电学损失，提高了量子点中间能带太阳能电池对入射光的吸收。
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公开(公告)号：CN103811590A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410052421.9
申请日：2014-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；步骤2：在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；步骤4：在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；步骤5：在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。本发明是利用前表面金属颗粒和背面光栅结构对入射光不同的作用范围，展宽对入射光的作用范围，本发明降低了光的反射率，提高了薄膜太阳能电池对入射光的吸收。
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公开(公告)号：CN102051179B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910237097.7
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN101997029B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910091632.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/78
Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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