公开(公告)号：CN104659155A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510094684.0

申请日：2015-03-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马静 ,  刘雯 ,  杨添舒 ,  时彦朋 ,  杨富华 ,  王晓东

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1896

Abstract: 一种将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法，该方法包括：步骤1：清洗薄膜太阳电池器件和外加转移衬底；步骤2：在外加转移衬底上蒸镀一层金属；步骤3：在薄膜太阳电池器件上蒸镀背电极；步骤4：采用热压键合的方法将外加转移衬底和薄膜太阳电池器件键合在一起，使薄膜太阳电池器件上的背电极与外加转移衬底上的金属发生接触，形成基片；步骤5：将基片放入腐蚀液中，将薄膜太阳电池器件本身的衬底进行剥离，完成制备。本发明可以解决外延剥离技术中传统的粘结剂体积大、重量大、易碎、易分解的问题。

公开(公告)号：CN103811589A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410052413.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 时彦朋 ,  王晓东 ,  刘雯 ,  杨添舒 ,  马静 ,  杨富华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02167

Abstract: 一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在玻璃衬底上通过溅射生长一层反射镜；步骤2：在反射镜上沉积一层第一金属纳米颗粒；步骤3：在第一金属纳米颗粒上生长第一背电极；步骤4：在第一背电极上再沉积一层第二金属纳米颗粒；步骤5：在第二金属纳米颗粒上再沉积一层第二背电极；步骤6：在第二背电极上生长一层薄膜太阳能电池材料；步骤7：在薄膜太阳能电池材料的上表面上刻蚀出二维光栅结构；步骤8：在二维光栅结构上生长一层前电极，完成制备。本发明是利用前表面光栅和背面双层金属纳米结构对入射光形成多次散射作用，增强对入射光及透射光的作用效果。

公开(公告)号：CN103811590A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410052421.9

申请日：2014-02-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 时彦朋 ,  王晓东 ,  刘雯 ,  杨添舒 ,  杨富华

IPC: H01L31/18 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；步骤2：在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；步骤4：在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；步骤5：在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。本发明是利用前表面金属颗粒和背面光栅结构对入射光不同的作用范围，展宽对入射光的作用范围，本发明降低了光的反射率，提高了薄膜太阳能电池对入射光的吸收。

公开(公告)号：CN103762248B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201410031339.8

申请日：2014-01-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨添舒 ,  刘雯 ,  时彦朋 ,  马静 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al2O3减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该AAO薄膜的折射率可以在一定范围内调节，以适应多层减反射膜的设计需求。

公开(公告)号：CN104035158A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410270111.4

申请日：2014-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨添舒 ,  刘雯 ,  时彦朋 ,  马静 ,  张端 ,  郑婉华 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法。该光波导芯片包括：衬底；二氧化硅下包层；二氧化硅芯区光波导，其包括输入直波导部分、两个圆弧型弯曲波导部分、阿基米德螺线型弯曲波导部分和输出直波导部分；二氧化硅上包层，其中，输入直波导与阿基米德螺线型弯曲波导的螺线环垂直交叉，以减小X交叉点损耗；两个圆弧型弯曲波导反向相接，平滑地将输入直波导末端与阿基米德螺线型弯曲波导起始端连接起来，并在波导连接处的端面引入最佳的错位偏移量，使得弯曲损耗较小。本发明能够提高陀螺仪的灵敏度，降低陀螺仪的噪声。

公开(公告)号：CN103762248A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410031339.8

申请日：2014-01-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨添舒 ,  刘雯 ,  时彦朋 ,  马静 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02168

Abstract: 本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al2O3减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该AAO薄膜的折射率可以在一定范围内调节，以适应多层减反射膜的设计需求。