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公开(公告)号：CN101794070B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910243540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于缩小投影超分辨成像的器件和光刻方法。器件主要结构特征为多层交替叠加的金属和介质薄膜，薄膜界面为特殊设计的曲面。在薄膜结构最外层掩模物信息以一定缩小倍率成像传递到另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。或者通过投影光学系统将掩模图形投影成像到超分辨成像器件的物平面上，再以一定缩小倍率成像传递到器件另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。
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公开(公告)号：CN102556950A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210026732.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。
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公开(公告)号：CN101792111B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910243533.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调制；在基底的同一区域连续沉积多层不同膜料和厚度分布的膜层，从而得到多层浮雕结构的复合膜层。本发明在微/纳浮雕结构的制备方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101736287A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910241921.6
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法，包括：采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层，在掩蔽膜层上涂布光刻胶；采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构；以一定角度进行倾斜蒸镀，在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有沉积蒸镀材料的阴影区；然后以蒸镀的材料作为保护层对掩蔽膜层进行干法刻蚀，阴影区域的掩蔽膜层由于没有蒸镀材料的保护而被刻蚀掉，这样得到对应于阴影区域的掩蔽膜层狭缝；通过掩蔽膜层狭缝以稀释的氢氟酸溶液对衬底进行各向同性腐蚀，得到位于衬底表面的半圆柱形沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备，就可以大面积地制备得到宽度为二十纳米到二微米的掩蔽膜层狭缝，进而得到直径为一百纳米到十微米之间任何数值的半圆柱形沟槽。
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公开(公告)号：CN1796927A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098974.4
申请日：2004-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开一种全新的显微定位加力观测板，由用于显微定位及比较观察的微结构层和用于承载加力板的基底组合而成，通过微结构层的图形或标注对比观察判断被观察物大小、形状，实现定位观测。本发明用微细加工的方法制作不同形状的微结构或标尺用作显微定位及对比基准，再将微结构层与基底层采用多种方式组合得到显微定位加力观测板。本发明可用于生物力学、细胞学等多种需要显微形貌观测的领域，如：细胞受激反应观测、定位观察、对比观察、细胞计数、被测物大小及类型初步判定，具有方法实用、简单；加力方式灵活、多样；低成本、低污染等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1794093A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510130719.8
申请日：2005-12-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 掩膜遮蔽变角度沉积制作纳米周期结构图形的方法，包括以下步骤：利用掩模版进行曝光光刻；根据所要制作纳米结构图形的线宽和周期、光刻胶图形的高度、蒸发源与基片的距离等参数，计算出相应的蒸发源入射角度；调节蒸发入射角依次沉积金属薄膜和牺牲层；剥离光刻胶和牺牲层。本发明主要利用lift－off技术以及金属沉积时光刻胶的遮蔽效应，以角位移来代替纳米精度的线位移，实现纳米图形的制作。利用本发明已经制作出周期为4μm，线宽为250nm，图形区为10mm×10mm的光栅线条。
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公开(公告)号：CN1125352C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN00116117.2
申请日：2000-09-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作微透镜列阵的方法。该方法包含设计、制作二元掩模，将掩模经光学系统投影在光刻材料上，在曝光过程中移动掩模，刻蚀、复制等步骤。该方法克服了二元光学方法、激光直写技术、光刻热熔法等方法存在的缺陷和上述方法在制作大面积、大深度的连续浮雕微透镜列阵时的工艺困难。与上述方法比较，本发明制作工序少、生产成本低、生产的连续浮雕微透镜列阵成像质量好。故该方法可推广应用于高质量的微透镜列阵批量生产。
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公开(公告)号：CN103345010A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310290048.6
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明是一种基于聚二甲基硅氧烷模板的微透镜阵列元件制作方法，包括如下步骤，S1：制作目标结构掩模板；S2：把目标结构掩模板图形转印到玻璃基板上，得到光刻胶微透镜阵列模版；S3：将聚二甲基硅氧烷与固化剂混合后浇注于光刻胶微透镜阵列模版表面并固化、剥离，制作带有微透镜阵列结构聚二甲基硅氧烷模板；S4：在玻璃基板上旋涂紫外线固化胶；S5：把聚二甲基硅氧烷模板结构面与旋涂紫外线固化胶的玻璃基板紧密贴合，用紫外光照射紫外固化胶至固化；S6：将聚二甲基硅氧烷模板与玻璃基板剥离，得到由紫外线固化胶作结构层、玻璃作基底的微透镜阵列元件。本发明保证了微透镜阵列元件的光学性能，能实现快速批量生产。
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公开(公告)号：CN102556951A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210027093.8
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基悬空的金属纳米针孔及其加工方法，该纳米针孔制作于硅基悬空的金属薄膜上。其制作流程包括：选取双面抛光硅片，在硅片的上表面沉积金属膜，再在硅片的两个表面分别沉积氮化硅膜。然后在硅片上表面涂光刻胶进行光刻，刻蚀氮化硅层和金属层，获得粗定位标识图形。再在硅片下表面涂光刻胶、光刻、刻蚀氮化硅层、湿法腐蚀体硅，获得硅基悬空的金属膜。最后采用聚焦离子束在硅基悬空的金属膜上制备精对准标识和纳米针孔。本发明利用灵活有效、精密度高的聚焦离子束在金属膜上直接加工纳米针孔，实现纳米精度的操作，同时实现入射光点与纳米孔的精确对位，避免了电子束光刻和图形传递的繁琐工艺流程，具有工艺简单，精度高的优点。
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公开(公告)号：CN101718952B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910243534.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数，确定掩模开孔的形状和几何尺寸；沿掩模移动方向，在掩模上周期性地制备出此开孔；在膜料沉积过程中移动掩模，由掩模开孔的形状和几何尺寸控制此膜层各沉积区域的膜厚分布；重复以上步骤，通过更换掩模和膜料，可连续沉积多层不同材料和厚度分布的浮雕结构膜层。该方法结合了移动掩模技术和定向沉积技术，不需要经过曝光、刻蚀等复杂工艺步骤就可以在基底上直接沉积得到一层或多层预定厚度分布的浮雕结构膜层。
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