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公开(公告)号：CN103227239A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310111724.9
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再刻蚀去铝。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池制备。
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公开(公告)号：CN103208563A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310111690.3
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜与金电极形成良好欧姆接触的制备方法，属于半导体厚膜制备技术领域。以经多次提纯后的碘化汞为原材料，采用超声辅助气相沉积装置制得了多晶碘化汞薄膜，再对薄膜进行表面处理，最后真空蒸镀一层金电极阵列。通过该方法可得到较好的金半接触，金电极与薄膜之间有很好的粘附性，I-V的正反响应特性都较好，金属电极漏电流小，性能稳定。该方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器特别适合于对X射线、Gama射线的探测，本发明具有潜在的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN102351430B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110192217.3
申请日：2011-07-11
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过度缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且晶粒结构完整性好、均匀性佳，膜厚约为800nm，禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN102243991B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110116134.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案：1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，沉积时衬底温度为200℃左后，薄膜厚度为200nm-300nm；3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜，厚度为10nm-20nm，得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构；4、将衬底/(a-Si:H)/Sn叠层置于热处理炉中，在450℃下热处理1小时以上自然冷却，退火全过程通入氮气(N2)作为保护气体；5、用浓盐酸溶液(浓度为37.5%)来除去表面残留的金属锡，最后制得锡诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为70-200nm。本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN102888584A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102881764A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210332308.7
申请日：2012-09-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L27/146 , C23C14/06
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法，主要是先通过物理气相沉积法生长多晶碘化汞厚膜，最后再经过电极的制备及探测器封装等步骤，属于半导体探测器制备工艺技术领域。通过本方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X射线像素明显等优点。通过I-V特性测试表明金电极与多晶碘化汞厚膜均形成良好的欧姆接触。同时对制备的探测器进行了电容频率和能谱响应特性等测试。结果表明所制得的探测器的信噪比可达到2，显示出了良好的信号噪声分辨率；所制备的多晶碘化汞厚膜探测器的电容都比较小；在室温下对5.9keV的55FeX射线、有较好的计数响应，并获得最佳的能量分辨率分别为4％。
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公开(公告)号：CN102709404A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210205718.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法，具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构，然后进行循环式退火，第一次退火完成之后将样品置于腐蚀液中腐蚀并再次循环式退火、腐蚀，并用氮气吹干。最后可制得铜诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可缓解现有金属诱导晶化（MIC）技术中金属重污染的问题，并适用于薄膜场效应晶体管和薄膜太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN102650050A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210148775.4
申请日：2012-05-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的制备方法，采用电磁搅拌和温度调节方法对反应溶液化学平衡进行控制，加快化学液相沉积的过程。本发明还公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜制备装置，主要包括反应容器、恒温系统和加速溶液反应系统，恒温系统为油浴温度控制系统，油浴温度控制系统包括油浴容器、加热器和油浴温度控制器，油浴温度控制器监测储热油的温度，并控制加热器的热量输出，该加速溶液反应系统为电磁搅拌系统，电磁搅拌系统对反应溶液施加电磁搅拌；反应容器内部保持非真空气氛。该装置结构简单，可重复使用，易于操作，不受外界温度的影响，可制备大面积多晶碘化汞晶种层薄膜，成品率高，适用于批量制备。
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公开(公告)号：CN102456768A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010527713.5
申请日：2010-11-02
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种含有ZnO:Al窗口层的ZnO/SnS太阳能电池元件的制备方法，属太阳能电池元件制造工艺技术领域，本发明的太阳能电池元件为多层结构，包括有：涂有ITO膜的玻璃衬底基材，ZnO:Al膜窗口层，作为N层的ZnO层，作为P层的SnS，及最上层的Al膜电极；主要的一层为窗口层ZnO:Al，采用传统通用的JC500—3/D型射频磁控溅射装置来制备ZnO:Al薄膜；溅射的工艺条件为：溅射功率为100W~200W，工作真空气压为0.3Pa~0.9Pa，温度为室温，溅射时间为40~120分钟，靶基距为8cm。该薄膜是有较好的透明导电性很红外反射功率。
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公开(公告)号：CN102320757A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110147817.8
申请日：2011-06-03
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法，具体的说就是利用氯化铝(AlCl3)升华的物理性质来作为铝源进行铝诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明是通过以下技术方案来实现：1、使用玻璃作为衬底，用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁，烘干后放入等离子增强化学气相沉积反应室；2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜，薄膜厚度为100nm-200nm；3、将作为铝源的无水氯化铝粉末和制备好的非晶硅薄膜制品一起放入特制的石英舟内，将装载好的石英舟置于石英管式退火炉中，在550℃下热处理4小时以上自然冷却，退火前和期间通入氩气(Ar)，气体流量为200sccm；4、用浓度为20%的盐酸溶液来除去表面残留的铝，最后得到诱导晶化的多晶硅薄膜；本发明适用于薄膜场效应晶体管(TFT)和太阳能电池领域。
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