公开(公告)号：CN101908371B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200910052484.3

申请日：2009-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  薛晓勇

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/409

Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明中的增益单元eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容，所述等效寄生电容的存储电荷端控制所述可编程逻辑器件的开关管，利用该增益单元eDRAM无破坏性读出或者破坏性读出较小的特点，在刷新操作过程中，进行读操作时，存储节点的电位不发生变化或者电位变化比较小，从而不会影响开关管的逻辑状态的变化。使用该增益单元eDRAM的可编程逻辑器件的芯片面积可以大大缩小。

公开(公告)号：CN102347440A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010242549.3

申请日：2010-08-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  王明 ,  宋雅丽

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器包括下电极、第一金属材料的上电极以及置于所述上电极和下电极之间的基于第二金属材料的金属氧化物存储介质层，所述第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于所述第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，所述上电极在接触所述金属氧化物存储介质层的界面处、被部分氧化形成第一金属的金属氧化物层。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及关态电阻（高阻态）高、高低阻窗口大、数据保持能力好的优点，大大提高了电阻型存储器的存储器性能；并且其制备方法相对简单。

公开(公告)号：CN102339948A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010228039.0

申请日：2010-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  王明 ,  杨玲明 ,  王艳良

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/101 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第一介质层的交界区域、并仅暴露下电极的中部区域；以第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层；以及上电极。该电阻型存储器一致性和可靠性高，单元尺寸小、有利于提高存储特性。以该电阻型存储器形成的电阻型存储器阵列，多个电阻型存储器之间的一致性高。

公开(公告)号：CN102044630A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910197210.3

申请日：2009-10-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  王明

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于溅射铜制备的CuSiO电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括上电极、铜下电极以及设置在所述上电极和所述铜下电极之间的CuSiO存储介质，其中，所述铜下电极是溅射铜下电极，所述溅射铜下电极表层被硅化处理以形成CuSi化合物缓冲层，所述CuSi化合物缓冲层被氧化处理以形成所述CuSiO存储介质。该CuSiO存储介质的性能良好，尤其能使存储器具有低阻态电阻更高、各单元之间一致性更好，并且该存储器易于与铜互连后端工艺集成，降低制备成本。

公开(公告)号：CN101325084B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710045642.3

申请日：2007-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  丁益青 ,  刘欣

IPC: G11C5/14

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为对交叉型电阻转换型存储单元阵列提供动态偏置电压的方法。交叉型存储阵列依靠交叉的两条金属导线上施加的电信号进行选择操作。本发明设计了一种能够根据阵列的电阻分布情况以及外加操作信号的不同来动态产生对其他非操作的金属线对上施加的电压偏置，使高低两个阻态有较大比值的电阻转换型存储单元的交叉型阵列能够可靠工作。

公开(公告)号：CN101286356B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810038218.0

申请日：2008-05-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵长虹 ,  林殷茵

IPC: G11C7/02 ,  G11C7/04 ,  G11C29/12

Abstract: 本发明属于超大规模数字集成电路技术领域，具体为一种新型不可挥发存储器的工艺波动性控制方法，该方法将新型不可挥发存储器的工艺波动性控制与其测试相结合，利用测试过程对存储阵列的读写和相应的控制电路实现对新型不可挥发存储器的工艺波动性控制。与现有的工艺波动性控制方法相比，本发明的优点在于在实现对工艺波动性控制的同时，不增加存储器芯片的面积，从而不增加生产成本。

公开(公告)号：CN101924550A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910052911.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  薛晓勇 ,  陈凤娇

IPC: H03K19/177 ,  G11C11/409

Abstract: 本发明提供一种采用增益单元eDRAM的查找表，属于可编程逻辑器件领域。该查找表包括多路选择器、若干个反相器和增益单元eDRAM，每个反相器的输出端对应连接于多路选择器的一个数据输入端，每个增益单元eDRAM中的存储单元的存储节点对应连接于一个反相器的输入端。该查找表具有易与CMOS标准工艺兼容、结构相对简单、单元面积小的特点。

公开(公告)号：CN101882462A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200910050945.3

申请日：2009-05-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  王明 ,  吕杭炳 ,  周鹏

IPC: G11C7/20 ,  G11C11/56 ,  G11C17/00

Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器的置位操作方法。本发明通过脉冲幅度以步进式增长的多个脉冲对电阻随机存储器进行一次置位操作，使每个电阻随机存储器、或者每个电阻随机存储器的每次置位操作在最合适的置位操作电压上进行，避免了置位操作中“过编程”的现象，从而提高电阻随机存储器置位后的Ron值，有利于降低后续复位操作的功耗。

公开(公告)号：CN100550409C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710042326.0

申请日：2007-06-21

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 林殷茵 ,  唐立 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/528 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法。相变存储器件中包括：具有半导体薄膜特性的字线、一个或多个金属电极、具有半导体薄膜特性的相变材料、具有半导体薄膜特性的位线。以所述字线或位线与相变薄膜材料形成的异质结二极管，或所述字线或位线与金属电极形成的肖特基二极管，作为1D/1R结构存储器的选通功能单元。本发明的相变存储器结构管理、制造方法简单，并不依赖与衬底硅层，可实现多层相变存储器阵列堆叠，从而大大提高其存储密度。

公开(公告)号：CN101329905A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810040938.0

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  胡倍源 ,  张佶 ,  薛晓勇 ,  吴雨欣 ,  廖高宏 ,  徐乐

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C13/0004

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型双端口动态随机存储器及其存储操作方法，其特征在于包括数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元、两个选通管、一条写字线，一条读字线、一条写位线、一条读位线，其中第一选通器件与读字线和读位线相连，第二选通器件与写字线和写位线相连。此种相变存储器可以起到节约操作时间，提高读写效率的作用。